微小型恒温晶体振荡器

本文介绍体积为20×12×5(mm)和16×16×5.5(mm)两种结构的微小型恒温晶体振荡器的设计制造、工艺以及为微型化而对晶体谐振器进行专门的设计安装。详细介绍了对主振电路、射随级和加热及控温电路采用混合集成和表面安装技术而实现了微型化。对已提供给航空、航天电子工程使用的,频率从100kHz到80MHz范围部分产品进行的全面技术指标测试结果进行了分析。还对多信号输出晶体振荡器的工作原理作了简单介绍。     

5MHz短稳晶振的研制

研制出的5MHz短稳晶振,其短稳指标为:4,9×10~(-11)/25ms。这说明该晶振输出频率的频谱纯度很纯,相位抖动很小,可以广泛地用在现代雷达、导航、通信、卫星、导弹、遥测遥控等无线电设备中,作频率时间基准信号。     

加热电流对恒温晶振温度稳定性的影响

通信技术的发展对恒温晶振的小型化需求越来越高。在设计一款小尺寸的恒温晶振时发现,环境温度从-40 ℃到85 ℃时,频率曲线一致向上,难以满足±3×10^-9 频率温度稳定度要求。经分析表明,晶振的加热电流随环境温度而变化,在通过低电导率的接地引线时引起晶振PCB内的地电压波动,进而导致变容管的偏置电压发生变化。采用双地法和补偿法解决了加热电流引起的地电压波动对恒温晶振温度稳定性的影响。     

高稳定压控晶体振荡器的设计

本报告就20～22兆赫 VCX0在宽工作条件下(包括更换晶体单元以选择信道和温度不容许情况)所有中心频率容限达到±5×10~(-6)的情况评论石英晶体振荡器的电路特性。所叙述的晶体振荡器电路在保持主要频偏和线性性能下从0°到60℃的频温稳定性能比±4×10~(-6)好。设计对频温特性的最大影响为±1×10~(-6)的电路是采用这样的方法,即把对频率有一定影响的且与温度有关的元件数目减至最小以及采用把可预测的电路线性频温特性与晶体谐振频温特性的线性旋转相匹配的补偿方法。性能试验结果指出典型电路对频温特性的影响为±0.2×10~(-6)。本报告也讨论输入端和输出端的要求,这种要求应允许把 VCX0结合到现时的和将来的发射机设计中。     

基于GPS的恒温晶振频率校准系统的设计与实现

针对目前广泛对高精度频率源的需求,利用FPGA设计一种恒温晶振频率校准系统。系统以GPS接收机提供的秒脉冲信号为基准源,通过结合高精度恒温晶振短期稳定度高与GPS长期稳定特性好、跟踪保持特性强的优点,设计数字锁相环调控恒温晶振的频率。详细阐述系统的设计原理及方法,测试结果表明,恒温晶振的频率可快速被校准到10 MHz,频率偏差小于0.01 Hz,具有良好的长期稳定性,适合在多领域中作为时间频率的标准。     

甚高频时标电路的恒温

时标电路是距离计数器的关键电路之一。我们选用了结构小巧、紧凑的直立插入式恒温晶振的结构,安装了甚高频恒温晶振电路,时标频率为149.851兆赫,恒温在52°±0.5℃。经过一年多的使用,性能稳定可靠。     

X波段固态微波频率合成器的研制

本文报道一种可用计算机控制输出频率的 X 波段固态微波频率合成器,其输出频率在100MHz 范围内以100kHz 步进可调,秒级频率稳定度为1.722×10~(-9),长期频率稳定度与主晶振相同。最后给出了利用差频法测量短期频率稳定度的测量系统框图及其测量结果。     

一种宽温高精度温补晶振的研制

介绍了一种新型宽温微机补偿晶体振荡器。文中使用微处理器对专用集成电路芯片设计了温补晶振,分别在高低温区段对输出频率进行分段补偿;增加了噪声处理电路,滤除补偿电压跳变引入的噪声,避免相噪恶化;用二次分段补偿的方法,将补偿温度范围拓展到-55~+105 ℃。试验结果表明,使用该方法研制的10 MHz温补晶振,其频率温度稳定性在-55~+105 ℃范围内,优于±1.0×10^-6,相位噪声优于-140 dBc/Hz@1 kHz。     

工业遥控用频率合成二次变频FSK窄带收发模块

<正> 目前市场上流行的无线收发模快,一般有如下几种形式:①LC谐振式超再生收发头,此种模块价格低、结构简单,但抗干扰能力差,特别是由于LC谐振回路引起的频率偏移,使性能极不稳定,只能用在玩具及低档产品中。②带声表谐振器的发射头和超再生接收头,此种方式的发射机中采用了一只频率稳定度较高的声表谐振器(大部分为315MHz或433.92MHz)。广告中称频率稳定度达10~(-5)数量级。查资料可知,声表面谐振器的温度系数为-8.5ppm/℃(DNR系列)。一般的使用环境温度要求是-10～50℃,温差达60℃。按常温20℃,-8.5ppm/℃计算,则温漂为±255ppm,即2.55×10~(-4),根本达不到10~(-5)数量级,且由于接收仍用LC方式,所以性能一般。③带声表谐振器的发射头和由进口IC组成的超外差式接收头,该形式与形式2中存在同样问题,只是接收改成了用晶振的超外差式,其稳定性与灵敏度较形式2有所改善,但仍达不到工业遥控的要求(频率稳定度8×10~(-6)),而且造价较高。 以上三种形式无一不是采     

C波段四管功率合成体效应振荡器

本文介绍一种四管功率合成体效应振荡器。这种功率合成器结构简单、体积小、重量轻,适合于空间电子设备使用。振荡器最大功率输出为1.2—1.5W,功率合成率近100%,直流—微波转换效率达3.8%。功率合成器采用了双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,相对频温系数达到2×10~(-5)/℃。工作在注入锁定状态,增益为16db时锁定带宽为40MHz。     

Ⅱ－Ⅵ族化合物单晶生长过程中缺陷的形成与控制原理

根据晶体生长的基本原理，分析了二元及三元Ⅱ－Ⅵ族化合物在布里奇曼法单晶生长过程中，各种晶体缺陷的形成原因及其与晶体生长条件的关系。在此基础上指出了控制晶体缺陷的思路。     

液晶运动图像投影仪

由产生图像的液晶显示元件，投影图像的光学机构和显示屏即构成液晶运动图像投影仪。液晶材料可将图像信息暂时储存，称为储存效应。连续图像投影方法是，在液晶材料中产生图像并暂时储存起来，将投影光源对准液晶材料，然后作为液晶透射或散射光函数的图像投影到投影屏上，可连续地产生投影图像。     

位错对布里奇曼HgCdTe体晶结构完整性的影响

本文根据Ｘ射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论，分析了位错和亚晶界、亚晶界和Ｘ射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的ＨｇＣｄＴｅ体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求，ＨｇＣｄＴｅ体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在Ｘ射线形貌相中，亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中ＨｇＣｄＴｅ材料的组分要变化，并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化，由此引入的热应力在结晶过程中会在ＨｇＣｄＴｅ晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了ＢｒｉｄｇｍａｎＨｇＣｄＴｅ体晶结构完整性，这使其Ｘ射线形貌相往往不好。     

Liquid Crystal Motion Picture Projector

ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＭｏｔｉｏｎＰｉｃｔｕｒｅＰｒｏｊｅｃｔｏｒ①ＳＨＩＹｏｎｇｊｉ（ＬｕｏｙａｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏｌｅｇｅ，Ｌｕｏｙａｎｇ４７１００３，ＣＨＮ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｍｏｖｉｎｇｐｉｃｔｕｒｅｐ...     

Mechanisms Controlling Crystal Habits of Gold and Silver Colloids

Examples of gold and silver anisotropic colloids, such as prisms and rods, have appeared in the literature for many years. In most cases, the morphologies of these thermodynamically unfavorable particles have been explained by the particular reaction environment in which they were synthesized. The mechanisms used to explain the growth generally fall into two categories, one in which chemically adsorbed molecules regulate the growth of specific crystal faces kinetically, and the other where micelle‐forming surfactants physically direct the shape of the particle. This paper raises questions about the growth of anisotropic metal colloids that the current mechanisms cannot adequately address, specifically, the formation of multiple shapes in a single homogeneous reaction and the appearance of similar structures in very different synthesis schemes. These observations suggest that any growth mechanism should primarily take into consideration nucleation and kinetics, and not only thermodynamics or physical constrictions. The authors suggest an alternative mechanism where the presence and orientation of twin planes in these face‐centered cubic (fcc) metals direct the shape of the growing particles. This explanation follows that used for silver halide crystals, and has the advantage of explaining particle growth in many synthesis methods. In this mechanism, twin planes generate reentrant grooves, favorable sites for the attachment of adatoms. Shape and structural data are presented for gold and silver particles synthesized using several different techniques to support this new model. Triangular prisms are suggested to contain a single twin plane which directs that growth of the initial seed in two dimensions, but limits the final size of the prism. Hexagonal platelets are suggested to contain two parallel twin planes that allow the fast growing edges to regenerate one another, allowing large sizes and aspect ratios to form. Rods and wires were found to have a fivefold symmetry, which may only allow growth in one dimension. It is expected that a superior mechanistic understanding will permit shape‐selective synthesis schemes to be developed.     

Hg1—xCdxTe晶体密度和组分的关系

根据Hg1-xCdxTe晶体结构、组分和点阵常数的关系，导出Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系式。讨论了温度对晶体密度的影响，与参考文献中的密度公式进行了比较。     

铁电液晶及其应用

某些碟状近晶相液晶具有铁电和热电性质。最简单的铁电液晶是近晶 C相(碟状近晶 c 相)。文章综述了铁电液晶的电光效应、器件结构、取向方法和主要应用。报道了作者对复合铁电液晶材料的最新研究成果。     

非线性液晶聚合物电光调制器

文章描述了透明非线性液晶聚合物的合成，准直和非线性光学性质，给出了液晶事物电光调制器的制作和测试方法及应用。     

LiGaTe2 (LGT) nonlinear crystal: Synthesis and crystal growth processes exploration

The LiGaTe₂ (LGT) single crystal up to 12 mm in size was grown in 3 stages: synthesis, homogenization and crystal growth. The initial charge with 6–10 at% excess of Li₂Te was produced by melting elementary Li, Ga and Te components. The homogenization step was carried out with the maximum value of melt overheating not exceeding 50 K. The Bridgman-Stockbarger technique was used to grow the LiGaTe₂ crystals. A furnace of special design, providing the enlargement of LGT linear size, was used. At each stage (synthesis, homogenization and crystal growth) the DTA analysis was carried out: during heating and cooling we recorded peaks corresponding to melting or crystallization of different components in the charge, such as Te⁰ (melting point 739 K) and LiGaTe₂ (melting point 945 K) and in the as-grown crystal. The XRD analysis was also carried out at each technological stage. The analysis showed that there are 2 side phases (Te⁰, Ga₂Te₃), and their phase contents decrease to 1.2 at%, while the LiGaTe₂ phase increases up to 93.5 at% during the homogenization process. The synthesized charge composition was analyzed by flame photometry (for Li) and atomic absorption (for Ga and Te). To provide a flat crystallization front and optimal conditions for crystal growth, spatial distribution of thermal field in the furnace was simulated. Transmission spectrum was recorded for the as-grown LGT crystal.     

移动通信用单片晶体滤波器

本文介绍单片晶体滤波器在移动通讯设备中的用途及特点,给出了其设计的基本方法。并给出了一个实例的指标及应用情况。