新的电调制反射谱技术及其应用

提出一种微接触电调制反射谱（LCER）测试方法,该方示与无接触电调制反射（CER）谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs／GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱（PR）相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。     

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.     

MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。     

多孔硅反射谱的测量与分析

测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．     

从势垒区电压波形对照GaAs液结的光调制反射与电调制反射

通过直接观察n型GaAs-电解液结表面势垒的电压,对光反射和电反射的内在规律进行了比较.引入一个新的参数,来精细地区别这两种调制.从脉冲激光或(和)外加调制电压下空间电荷区中电场的具体分布,解释了二种调制光谱的共同点和差别.     

窄禁带半导体的电解液电反射谱

应用低场下电解液技术观察了InSb、Hg_(1-x)Cd_xTe 和Pb_(1-x)Sn_xTe材料的电反射谱。得到了大于基本吸收边缘的垂直带间跃迁谱和自旋轨道分裂谱。测量了Hg_(1-x)Cd_xTe合金的组份。对低场下的电解液电反射(EER)谱的实验条件进行了讨论。     

GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱

基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGa...     

光调制反射谱用于研究MBEGaAs1—xSbx／GaAs外延膜

本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。     

超晶格微带电子态随电场演化过程的电解液电反射谱研究

本文利用电解液电反射谱研究了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ短周期超晶格中微带电子态随电场的演化过程，不仅清楚地观察到弱场Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和强场Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，而且观察到了从弱场过渡到强场过程中Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应互相竞争的现象．     

光调制反射谱作为MBE生长中原位检测手段的应用

本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用．利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的在室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为ＭＢＥ生长原位光谱检测增添了一种可行的手段．     

GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.     

GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.     

光调制反射谱作为MBE生长中的原位检测手段的应用

本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用，利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为ＭＢＥ生长原位光谱检测增添了一种可行的手段。     

硅光电器件抗反射系统设计研究

根据ＳｉＯ２－Ｓｉ系统在空气中的反射率公式，讨论了ＳｉＯ２层厚度和入射光波长对反射率的影响，提出了在两种情况下确定ＳｉＯ２层厚度的方法：１．实现在某一波长范围抗反射效果最佳；２．实现在某一光照条件下光电流最大。     

高反射硅镜弱吸收的研究

运用表面热透镜技术精确测量 1315nm高反射硅镜的弱吸收 ,并结合原子力显微镜所显示的薄膜表面情况判断引起吸收的原因 ,为工艺上减少吸收降低损耗提供测量保证     

低功耗高速硅电光调制技术的研究

通过对硅电光调制器研究结果的分析，提出厂低功耗高速调制的新技术。即采用不均匀掺杂人为引进漂移场和限制注入载流子运动范围以提高其浓度等方法，达到高速低功耗调制的目的。     

硅纳米晶体与尺寸相关的介电函数谱

嵌埋于SiO2中的硅纳米晶体具有结构稳定、发光性质可控和制备简便等特点,受到广泛关注和研究。在设计与研制基     

电解液电反射谱实验的一种新方法(英文)

<正> The electrolyte electroreflectance (EER) spectra has advantages of high sensitivity and high resolution with wide applications in studying band structure, optical properties and analying semicondoctor composition.The paper emphasizes an improvement about EER spectra measurement. In the previous method, the measuring accuracy is limited because the operating properties of photomultiplier are affected by variation of its operating veltage.