顺源新推出USB和1394接口专用供电模块

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高SOT23封装的电流处理能力，还能替代体积较大的SOT89和SOT223等效元件，有助于设计人员缩减产品尺寸。     

Zetex低电压双极晶体管有助提升功率密度

仿真信号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors，日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能，可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件，有助设计人员缩减产品尺寸。     

无源与分立器件

Philips高性能低VCesa BISS晶体管日前,皇家飞利浦电子集团在低VCesa BISS晶体管产品系列中加入新成员—PBSS4240V和PBSS5240V。PBSS4240V和PBSS5240V的集电极电流高达2A,具有一流的性能,并在功能增强的同时,相对其他较为著名的SOT23封装1A器件还节省了41%的PCB空间。PBSS4240V和PBSS5240V还提供极低的集电极-发射极电阻(RCEsat=190mW),由于产生热量更少,还可提高整体电路的效率。PBSS4240V和PBSS5240V采用1612尺寸SOT666/SS-Mini封装。SOT666 BISS晶体管非常适用于电源管理应用,其中包括DC/DC转换、电源…     

恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装

恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器，最高功耗Ptot2．1W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。     

Diodes双极型三极管采用微型PowerD15封装大幅节省占板空间

Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2，比SOT223小47％，比DPA小60％；板外高度仅为1．1mm，远薄于165mm高的SOT223和2．3mm高的DPAK封装。     

Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下,可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET,节省七成的电路板空间。     

Diodes推出行业最小双极型晶体管实现更小巧便携式产品设计

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2,离板厚度仅0.4mm,面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。这些晶体管尺寸小,加上卓越的400mW功耗,有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。Diodes破     

Diodes推出适用于超便携式电子产品的小型SOT963封装器件

Diodes公司推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管（BJT）、MOSFET和瞬态抑制二极管（TVS）器件,性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。Diodes SOT963的占板面积仅有0.7mm2,比SOT723封装少30%,     

Zetex新型LED照明驱动器有效提升功率密度

Zetex Semiconductors(捷特科)宣布推出ZXLD1360LED驱动器。新器件采用SOT23封装,能够提供1A可调整输出电流,功率密度高于市场上采用较大SO8封装的其它同类产品。ZXLD1360是一款降压稳压器件,可在7V至30V的供电范围内工作,     

SIP21110：250mA LDO稳压器

Vishw推出新型SIP2111 025mA LDO稳压器，扩展了其LDO产品系列。该低成本器件采用可节省空间的超薄SOT23-5L封装，可在1mA负载时提供35μA的低典型接地电流，实现了延长便携电子设备中电池的工作时间的目标。     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压侧MOSFET,采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻为500mΩ,连续额定电流为1A,     

模拟与混合信号

采样率达3GSps的ADC；14BIT和12BIT ADC；内含复杂模拟区块的高集成度模拟电路；采用SOT23封装的功率晶体管；具有关断功能的超低噪声放大器模块；安森美推出低VCE（sat）双极晶体管；电平移动式差动放大器；采用微型电源封装的轨至轨2A运算放大器；提供1A电流和真彩PWM调光功能的LED驱动器；电磁加热用1200V NPT沟道IGBT；低导电损耗的60V MOSFET；超小型高频MEMS继电器     

Diodes自我保护式MOSFET节省85％的电路板空间

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球最小的完全自我保护式低端M0SFET。该ZXMS6004FF组件采用2．3mm×2．8mm的扁平式SOT23F封装，比其他采用7．3mm×6．7mmSOT223封装的大型组件节省85％的电路板空间。     

采用小型平面支撑封装的功率MOS FET

目前，意法半导体有限公司（SGS－THOMSOM）Microelectronics）研制了一种采用最小平面支撑封装SOT－223的系列低功率MOSFET。STN×N××器件是N通道增强模式MOS－FET，能在雪崩状态抵抗高能脉冲，是用于硬盘驱动器、DC／DC转换器、电源及小马达电流传感电路的理想元件。该系列     

可节省85％占板空间的新型自保护式MOSFET

Diodes公司日前又扩展了其IntelliFET产品系列．推出其体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

Zetex Semiconductors大功率高效MOSFET

Zetex Semiconductors公司推出新一代沟道MOSFET,为D类音频输出提供所需的大功率、最佳散热效果和优质音频复制功能。这些N沟道和P沟道器件的额定电压为70V,SOT223和DPAK封装,能够保证平板电视、5.1环绕系统等大功率音频设备安全而可靠的运行。这些器件适用于采用互补或全N沟道     

DAC8411：16位DAC

TI推出采用微型SC70封装的单通道数模转换器（DAC）系列。DAC8411系列8位至16位引脚兼容型产品在1．8V电压下流耗为80μA,具有1．8V至5．5V的宽泛电源电压以及6μs（典型值）趋稳时间等优异特性。这些器件具有比标准SOT23器件小40％的小型尺寸以及低功耗特性,是电池供电与手持应用、自动测试设备、高精度仪表、波形发生、工业过程控制以及医疗设备等应用领域的理想选择。     

Catalyst推出两款扩展型LDO稳压器CAT6217和CAT6218

模拟、混合信号器件及非挥发性内存厂商Catalyst半导体公司今天宣布其低压差fLDO）稳压器产品线新增两款产品。CAT6217和CAT6218是分别能提供150mA和300mA输出电流的低压差稳压器，厚度仅为1mm，采用小型5引脚SOT23封装。     

恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管

正恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。     

RCA TA8694和TA8777微波功率晶体管的可靠性研究

1.0 引言本方案的目的在于检查、最佳化、提高和确定用铝作金属化可输出28瓦的 TA8694晶体管和用金作金属化及管芯载体封装的可输出40瓦的 RCAT A8777晶体管的失效前平均时间。为了提高失效前平均时间,使晶体管性能最佳化,仔细分析了器件失效模式和机理,随后并进行了校准测量。朝着使失效前平均时间达到10~0器件小时的最终目标而努力。2.0 方案的目的为了用有效而及时的方法达到此目的,方案工作分成二个独立的任务,下面称为第一阶段和第二阶段。