基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究

动态导通电阻现象会导致GaN器件导通电阻增加,不仅会增大器件通态损耗,还会使器件温升更加显著,是限制GaN器件在高频度变换器中应用的重要因素之一。针对该现象,设计一种基于高速脉冲恒流源的动态导通电阻测试平台,并利用该平台分析了两款不同电压等级器件的导通电阻对断态电压应力、断态电压持续时间以及环境温度的影响。研究结果表明：当断态电压应力增大到两款器件各自额定电压的60%,两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了15%和25%;断态电压持续时间增至100 s,两款器件的导通电阻分别较各自标称值变化了40%和81%;随着环境温度增大到125℃,两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了102%和105%。GaN器件动态导通电阻现象较为显著,因此有必要在设计变换器时慎重地考虑GaN器件的工况,以保证在符合系统指标的前提下降低动态导通电阻的影响,从而提高GaN器件的效率。     

基于变分模型的梯度域色阶映射算法

针对梯度域动态范围压缩算法存在伪边缘以及局部细节扭曲等现象,提出了一种基于变分模型的梯度域色阶映射方法。首先,在梯度域内构造了一个既能够压缩图像的动态范围又能够保证边缘与细节信息的变分模型;其次,将Gibbs采样的思想引入到最速下降法,在求解变分模型最优解的同时有效地提高了无约束最优算法的收敛速度;最后通过改进的最速下降法得到变分模型最优解。实验结果表明该算法能够有效地去除光晕,得到细节保持完好的低动态范围图像。另外,改进的最速下降法保证了算法的实时性。     

基于最小噪声匹配的低噪放-天线一体化电路

传统的接收端天线与低噪声放大器(LNA)级联,通常需将天线输出阻抗与LNA的输入阻抗均匹配到50Ω,为此引入的匹配电路不仅占用了较大的电路尺寸,而且额外引入插入和失配等损耗。为消除匹配网络,本文提出一种基于ATF-54143晶体管的低噪放-天线一体化电路,基于最小噪声条件下将天线的阻抗与LNA晶体管的输入阻抗实现匹配。该方案通过直接优化微带天线的阻抗实现与LNA晶体管的宽带匹配,不使用任何形式的输入阻抗匹配网络来构建有源集成天线,从而克服了传统设计存在的问题和不足。实验测试表明,在2～3 GHz的带宽内,噪声系数(NF)较传统级联设计都有改善,且最大改善可达0.38 dB(较传统设计NF降低16%)。     

接线方法对回路电阻测试结果的影响分析

回路电阻测试是断路器最基本的测试项目,在相关的行业规定中对试验接线提出了需要遵循的原则.文中通过理论计算和实验对不同接线方式的测量结果影响进行了分析,可供完善相关规定借鉴.     

太赫兹MIMO弧形阵列方位向成像算法研究

该文提出一种新的在太赫兹频段下基于MIMO弧形阵列的方位向成像算法,通过将MIMO弧形阵列等效转换为MIMO线阵,基于等效MIMO线阵引入RMA算法思路对弧形阵列方位向图像进行重建。该文详细介绍了MIMO弧形阵列与普通MIMO线阵的等效转换,建立了相应的成像信号模型,设计了MIMO弧形阵列太赫兹单频方位向成像算法,并通过计算机仿真验证了该算法的可行性与有效性。     

基于热激光激发OBIRCH技术的失效分析

针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位.该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷.光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种.对技术原理进行了综述,并利用OBIRCH激光扫描显微镜对功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、集成电路静电放电(ESD)保护端口和金属-绝缘体-金属(MIM)电容进行失效定位.结果表明TLS技术对于短路、漏电以及电流路径成像的定位十分有效.特别是难以观察的微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹等.OBIRCH技术对精确和快速地定位多层金属化布线、新型封装的短路和阻性缺陷等方面有着重要的作用.     

基于高压BCD工艺的内集成自举电路

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。     

基于结构张量图像建模方法的滤波性能研究

主要研究结构张量驱动的变分偏微分方程(variational Partial Differential Equation; variati0nal PDE)图像建模方法的滤波性能.基于角形强度度量和水平线演化理论,设计了一种具有角点增强性能的角形冲击滤波器,以克服边缘冲击滤波器增强图像的不足.基于边缘和角形冲击滤波器,...     

基于PSCAD的高压断路器仿真模型

断路器是电力系统中最重要的控制和保护设备,但现有的断路器模型大多只能简单表现断路器的分合状态改变,故建立基于动态电弧的断路器模型。首先分析所选电弧模型,得到所需参数,再在PSCAD/EMTDC仿真软件中搭建断路器仿真模型,在MATLAB中针对电弧模型进行算法编程,并利用PSCAD中特殊接口调用MATLAB程序得到断路器开断故障全过程。通过仿真研究与比较,断路器切断故障时的电压电流与理论分析基本一致,验证了断路器模型的正确性,表明设计模型具有一定的参考性。     

基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究

气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用。就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算。结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义。     

宽带HBT VCO单片电路的设计和制作

针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50～58mA,VCO振荡频率为3.2～6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11～14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。     

体串联电阻对体接触SOI数字D触发器速度特性的影响

在用体接触结构设计的SOI电路中,浮体效应被压制了,但是体串联电阻的存在仍旧在远离体接触的体区产生局部浮体效应。对于数字电路来说,浮体效应会影响他们的速度。本文采用体接触结构设计了数字D触发器,并制造了这种电路,展示了电路的性能。实际器件的输出特性表明了浮体效应的存在。SPICE模拟表明体串联电阻对体接触SOI数字D触发器速度特性有明显的影响。