6N沟道金属-氧化物-半导体

一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下     

4互补金属——氧化物——半导体集成电路

互补金属——氧化物——半导体集成电路(Camplementary Mos Integrated Circuits),它是把P型沟道及N型沟道MOS晶体管制作在同一片子上来构成的电路。单沟道(P型或N型沟道)MOS集成电路多半是使用MOS晶体管作为负载电     

P沟道MOS典型工艺

在制造大规模集成电路的工艺中,P沟道MOS已成为工业产品的标准件。P沟道之所以比N沟道占优势,是由于P沟道工艺中的二氧化硅表面性质可被控制,易于掌握。表面态密度加工的典型差别(它引起P沟道晶体管阈值电压的不同)常常使N沟道晶体管从增强型转变为耗尽型。N沟道MOS场效应管在理论上虽能提供良好的特性,但P沟道MOS场效应管由于能重现增强型的特性,因此它成为研制数字集成电路的基础。     

具有250毫微秒存取时间的N型沟道MOS存储器

理论上说,N 型沟道 MOS 在组装密度和速度方面要比 P 型沟道的好。N 型沟道器件空穴载流子运动比 P 型沟道器件的要快3倍。由于制造比较困难,所以制造者对 N 型沟道器件制造很慎重—在制造过程中栅区下的杂散离子必须不被俘获,它们在阈值电压下会产生不理想的变化。     

甲类50W/甲乙类130W完全对称型直流功率放大器

完全对称型直流功率放大器的基本电路是从真空管直流功率放大器演变过来的。由于具有两种载流子,两种特性相反的器件,所以半导体放大器在电路的构成方面比真空管放大器更加灵活、应用范围更加广泛。用同样的前置电路可以任意设置输出级的偏置电压,输出级可以用各种功率放大器件构成、包括N沟道MOS—FNT、P沟道MOS—FET、N沟道V—FET、双极型晶体三极管、真空管等。完全对称型功率     

硅的局部氧化器件

说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能导致高的包装密度。另外,在双极晶体管的制备中这个方法能自对准,这使工艺过程简单了。在MOS集成电路中可以制作自对准的栅氧化区以及自对准的扩散沟道截断环。这样用比较简单的工艺可以实现P型沟道以及N型沟道MOS电路。通过氧化物-氮化物夹层结构的控制钻蚀(LOCOS-Ⅱ工艺)可更好的制作沟道截断环。     

三次掩蔽自对准金属-氧化物-半导体工艺

引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对准栅结构。采用氮化硅膜来消除接触掩蔽以及降低场氧化物顶部至接触区和栅区的高度。这种工艺能制造N沟或P沟MOS集成电路。在N沟MOS集成电路中,应用低阻率P型衬底材料或用离子注入提高场表面浓度能避免场反型的问题。为简单起见,本文叙述制造工艺步骤和P沟MOS集成电路的器件特性。     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。     

不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响

研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此.这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释.     

锁定特性和测量方法

1 引言锁定是一种效应,一旦发生就严重干扰集成电路的预期特性。锁定的灵敏度与所用的工艺关系很大,它是CMOS电路的一个重要特性。从外部能量源随机注入的载流子会触发由N沟和P沟MOS结构中的寄生NPN和PNP单元组成的闸流晶体管结构并使之进入预状态。     

宽长比对CMOS反相器开关时间影响的分析

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器是集成电路的基本单元,其开关时间影响集成电路的传输延迟。文章针对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS）的宽长比对CMOS反相器开关时间tr和tf的影响,分析N型金属氧化物半导体晶体管（NMOS）和P沟道耗尽型场效应晶体管（PMOS）宽长比对开关时间的影响,通过多次模拟分析,得出对称开关时间对宽长比的要求。     

金属—氧化物—半导体集成电路(四)

七、互补型金属-氧化物-半导体电路互补电路在许多方面都同单极电路不同。较为熟悉的 P 型沟道晶体管是在 N 型硅中扩散P~ 源和漏区。在互补型金属氧化物半导体电路中是以两个串联的晶体管——一个 P 型沟道,另一个 N 型沟道构成基本单元。制作互补型金属氧化物半导体器件虽然也用 N 型硅,但是除了扩散 P 型沟道晶体管的 P~ 源和漏区之外,还必需为 N 型沟道晶体管扩散作为衬底的大 P     

场效应管的业余测量方法

场效应管(FET)是一种不同于普通晶体管的电压—电流控制型器件,其电流传导的载流子只有电子或空穴,属于单结结构。它既有与二极管一样的PN结,又有让电流通过的沟道。电流进入沟道端称为源极(S),流出沟道端称为漏极(D),而控制通过沟道电流大小的一端称为栅极(G),表示符号见附图。场效应     

互补型对称金属-氧化物-半导体集成电路

简单回顾一下金属—氧化物—半导体(以下简称“MOS”)绝缘栅场效应晶体管的一些基本特点。这些器件包含扩散在硅衬底上的两个电极(源和漏)。源和漏由有限的空间分离开,所以形成了一个多数载流子传导沟道。金属栅做在沟道之上并与之绝缘。 n型沟道器件一般在漏电源电位(V_(dd))、源和衬底地电位(V_(ss))下工作。如果给栅加上正电位,则在栅极和衬底之间产生一电场。由于电场必须终止在电荷上,电子通过衬底并且随     

一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路

本文实现了一种无隔离区的DYL MOS混合集成的新电路。考虑到多元逻辑电路的主要基本单元线性“与或’门和MOS集成电路的自隔离特点,只要对它的工艺过程稍加调整,即可在同一芯片上制成了互相隔离的适合线性“与或”门需要的大,小β晶体管和P沟道MOS晶体管。用这种集成技术,在N型硅片上试作了由双极晶体管和P沟道MOS晶体管组成的反相单元。这种电路工艺简单,可与DYL线性“与或”门在工艺上兼容,具有输入阻抗高、输出阻抗小,并可和DYL电路与TTL电路相容等优点。     

一种降低氧化物表面态电荷密度的新方法——C_2HCl_3氧化技术

本文介绍一种降低硅氧化物表面态电荷密度的新工艺——三氯乙烯(C_2HCl_3)氧化技术。采用本工艺能较稳定地将表面电荷密度N_(ss)控制在10~(10)数量级,在10～12Ω-cm的P型衬底上制作出N沟增强型MOS器件。经过系统的实验,在研制N沟MOS大规模集成电路的栅氧化工艺中已用C_2HCl_3氧化取代了HCl氧化,成功地研制出了N沟MOS大规模集成电路。     

深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究

当器件尺寸进入深亚微米后，SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视。通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系，分析了这两种器件的退化规律，对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释。并模拟了在最坏应力条件下，最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系，说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时，能使Gmmax的退化小于10％。