杂质对离子注入射程端缺陷的影响

本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩散流.注入的杂质可以俘获点缺陷,从而影响了点缺陷的相向扩散流,P促进射程末端缺陷的分解,而B促进其聚结.     

单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究

单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10~(13)cm~(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非晶层,非晶区与单晶区的边界为粗糙界面.在非晶区两侧,存在着大量不同类型的缺陷:{311}面缺陷和{111}堆垛层错.它们分布在不同的层区内,对于非晶区而言,形成大体对称的分布状态.接近非晶区,{111}堆垛层错密度较大,远离非晶区,{311}面缺陷密度较大,深层的完整晶体中,上述面缺陷的密度均很小.     

Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究

剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er~+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10~(15)cm~(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。     

压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察

晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...     

离子注入非晶碳薄膜的SEM研究

离子束混合技术可在低温下通过非平衡态键合作用实现薄膜与基底界面间的原子级混合,甚至可在无相互反应和互不相容的物质之间也能完成这种过程,因此通过离子束混合增强薄膜与基体粘着效应的研究受到人们的重视[1—3]。本文考察了C+离子注入对非晶态碳薄膜的摩擦学性能以及膜与基底结合强度的影响,并用SEM对非晶碳膜的表面微观结构进行了分析研究。结果与讨论表1显示C+离子注入C/SiO2前、后,非晶碳膜脱离SiO2基底时的划痕临界载荷及非晶碳膜耐磨寿命的测定结果。离子注入前,非晶碳膜与基底的附着力很低,当划痕临界载荷仅为0.7N时,碳膜即…     

非晶薄膜晶化的频谱研究

选择一定的退火温度和退火时间，ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜可以晶化为晶粒尺寸几个至几十个纳米的微晶薄膜．复阻抗频谱和电导频谱研究表明，这种微晶薄膜的粒间效应增强，在一定频率范围内微晶薄膜的电导低于非晶薄膜的电导．认为这种微晶薄膜的粒间组成是许多个原子尺度大小的无规网络，微晶薄膜的结构为纳米晶粒和非晶网络组成的两相结构，电导符合多渠道导电模型．     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

P－GaP中离子注入缺陷的形成

研究了Ｚｎ~＋离子注入ｐ－ＧａＰ半导体所引起的缺陷。在电流密度为０．０３μＡ／ｃｍ~２下，将注入Ｚｎ~＋离子剂量为１×１０１~（１４）离子／厘米~２的ＧａＰ样品腐蚀出蚀坑后用ＳＥＭ观察，结果表明，在离子注入区域有缺陷形成。     

离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米     

高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了 2 Me V Er+ 以不同剂量注入硅 (10 0 )所引起的辐射损伤及其退火行为 .采用多重散射模型计算了 2 Me V 1e14/cm2 注入硅 (10 0 )引起的损伤分布 ,并与 TRIM96模拟得到的结果进行了比较 .结果表明计算得到的损伤分布与 TRIM96模拟的损伤分布完全符合 ;实验结果表明 Me V Er+ 注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关 .随着退火温度的变化 ,注入剂量为 5e14/cm2 及其以上的样品存在反常退火行为     

硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.结果表明计算得到的损伤分布与TRIM96模拟的损伤分布完全符合;实验结果表明MeV Er+注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关.随着退火温度的变化,注入剂量为5×1014/cm2及其以上的样品存在反常退火行为.     

非晶硒化镉微区结构及光吸收性能

报道了通过实验研究淀积条件对非晶硒化镉（α－ＣｄＳｅ）薄膜的微区结构及光吸收性能的影响。在此基础上寻求该样品微区结构对光吸收性能产生影响的规律性。     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .     

碳化硅表面氧化层非晶化的TEM原位观察

碳化硅表面氧化层非晶化的ＴＥＭ原位观察梅志顾明元吴人洁（上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室，上海２０００３０）碳化硅颗粒表面氧化处理是一种促进基体与增强体界面结合、保护增强体免遭铝液浸蚀的方法。但有关碳化硅表面的ＳｉＯ２氧化膜的存在形式，尚存在...     

锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究

随着超大规模集成电路技术的发展,CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术,因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义.本文研究了超浅结工艺中使用的锗预非晶化对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响.对具有不同剂量Ge注入的NiSi金属栅MOS电容样品的研究表明,锗预非晶化采用的Ge注入对NiSi金属栅的功函数影响很小(小于0.03eV),而且Ge注入也不会导致氧化层中固定电荷以及氧化层和硅衬底之间界面态的增加.这些结果表明,在自对准的先进CMOS工艺中,NiSi金属栅工艺和锗预非晶化超浅结工艺可以互相兼容.