首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 640 毫秒
1.
本文介紹一种采用二极管地址譯碼和选擇的磁心存儲器之驅动和讀出系统。驅动电流值取决于晶体三极管电压开关和适当的可调电阻,可调电阻用于調节幅度,讀出放大器有一个可調的門檻电压,并将讀出信号存儲在电容-二极管存儲器申,直到计算机程序控制需要时为止。本文介紹一种容量为4096字的磁心存储器的工作线路,其存取时間为12微秒,半选电流的上升时間小于250毫微秒。采用适当的电压值和现有的晶体管,该系统就可以驅动容量更大且存取时間更短的存儲器。  相似文献   

2.
本文描述重合电流磁心存貯器的一般問題,随后提出一些減少与克服困难的新方法。其中有大大提高用晶体管驱动器时的可靠性的选通补偿技術,4微秒操作的新型读出放大器,以及能得到由—30℃至 55℃可靠工作的温度补偿法等。文中概述磁心存储器线选擇法的优点,考虑了部分开关法,討論了使所需驱动线路的数量減为最小的矩陣法。并且叙述了典型的线选擇存貯器。最后,提出一种允許用简单讀出线路极快操作的新的噪音抵消法。  相似文献   

3.
Ⅲ、具有高效能的开关 A.每度中省掉一个驅动器既然开关工作时每一度中只有一个驅动器被激励(如果这一度用于禁止方式,那么除一条以外的所有綫被激励),因此对任何一度来說,如果知道m—1个驅动器的状态,那么第m个驅动器的状态也就被确定。于是,每度节省一个驅动器的方法是:  相似文献   

4.
本文所描述的是为导彈上用的实时工作計算机所設计的磁心存儲器。这个磁心存儲器有64个并行的字,每个字为64个数位。它的主要特点是,工作速度高(取数时間为0.25微秒,存取周期为0.80微秒),且能在-5℃至+125℃溫度范围内很好的工作。这个存儲器采用线选方案,磁心的部分翻轉技术,以及讀出线上特殊的补偿方法,从而达到高的工作速度。在上述的溫度范围内,把存儲器驅动电流脉冲的寬度作为其周围环境溫度的函数来加以控制,从而获得最佳工作。下面将对这个存儲器的設計思想和工作性能进行詳細的叙述。此外,为达到滿意的高频工作的目的,在这篇文章中,对特殊安装技术的必要性也进行了討論。  相似文献   

5.
总输及整机介招78 88扮印11 111?2 标题数据处理系杭的未来爵算技术的若干发展方向哈伟斯特数据处理系就MOBIDIC一B蔚算机的系就拮构用微程序控制的通用舒算机PASCAL舒算机期数邂辑殷针及运算按制器磁膜存赊器粽述全晶体管磁心存盼器‘不破坏覆出跌氧体磁心存盼器高速存取的磁心存盼系就快速选数的磁鼓存盼器毅淤简题IBM65o磁鼓筒介4096个数的跌氧体磁心存赊器箭算机用的几种磁头磁心存盼器的晶体管修路靓录磁头的选择开关电路均分负载矩障开关期数多道程序舒算机中的运算及控制方法提高数字箭算机乘法速度的耀辑方法、“条件和”加…  相似文献   

6.
本文讨论了在高速操作中采用磁心均分负载开关驱动一个双向二极管矩阵的可能性。为了便于分析,将每个开关磁心看作是一个脉冲变压器。达脉冲变压器的必要参数是利用波源阻抗、负载阻抗及脉冲的要求而计算出来的。给出了脉冲变压器及一个由3×3个二极管及作为负载的磁心元件构成的矩阵(用三个磁心均分负载开关驱动的)的实验结果。得出的结论是:采用四个均分负载开关来驱动一个重复频率为十兆赫的双向二极管矩阵是可能的;采用两个均分负载开关可获得五兆赫的操作。  相似文献   

7.
本文给出了讀数和写数时間分別为13.5毫微秒和60毫微秒的4608位不破坏薄膜存貯器模型的放大器和驅动器电路的設計原理。在公用数位讀出线上固有的数位干扰是通过在非线性平衡电路中应用隧道二极管来解决的。进一步提高信号干扰比是采用了一个具有非线性负反馈的能抑制干扰的讀出放大器来达到的。 所設計的字驅动器,当重复频率为50兆周、脉冲寬度为7毫微秒时,能提供700毫安的脉冲电流。  相似文献   

8.
写数脉冲(数位脉冲和字线脉冲)和磁心材料的特性有紧密的关系。数位脉冲电流不能大于在其作用下磁心内徑处产生的磁場强度达到矯頑力的电流。字线脉冲可以超过这个临界值,但幅度愈大,则寬度愈窄。本文根据最大的信号干扰比,给出了字线电流脉冲幅度和寬度的关系。讀数脉冲和磁心材料特性沒有什么关系,但主要受到驅动线路功率的限制。  相似文献   

9.
本文讨论多孔铁氧体存贮磁心的设计要点和工作特性,指出低矫顽力、低开关系数的材料如何作为高速电流重合存贮器的器件。文中给出计算公式,几何形状以及制造时的主要因素,并且描述了一种测试大量不对称磁心的方法。文中还给出电磁特性,脉冲推动和偏流试验的结果。提出一些试验数据,分别说明净推动,脉冲宽度,半选推动和温度对磁心响应的影响。这种器件与目前的电流重合法磁心相比较,速度大约提高了四倍。  相似文献   

10.
随着高速计算机的发展,需要研制存取时间小于1微秒的大容量超高速存貯器。提高磁心存储器的电流选择比可以达到这个目的。已经证明,采用多度电流重合法,将在存储系统的结构及操作方式方面引起重大的变革。因此,普通磁心选择开关已经不能胜任。本文介绍了一种双磁心开关,利用它可以顺利地来解决一系列在多度重合法中所产生的各种开关问题。本文还介绍了一个存储容量为10,000字(每字40位)的磁心存貯器,当选择比为3:1及7:1时,测得的存取时间分别为1微秒及0.8微秒(后者还可以缩短到0.6微秒);除了分析这个存貯器的工作原理以外,文中并附有实测的波形图。  相似文献   

11.
本文介紹了一个高速随机取数铁氧体磁心存儲器,它是为未来較快速的計算机而設計的,也可用作脉冲分类装置及緩冲存儲器等。对于采用部分翻轉技术做成的和具有1024字(每字25位,每位用一个磁心)的存儲系統进行了模拟和测試。該系統采用了外徑为0.030吋的铁氧体磁心,周期約500毫微秒,取数时間約260毫微秒。与目前容量相当的存儲器相比較,在速度上提高了四倍左右。  相似文献   

12.
該存貯器由大量敷有磁膜的鋁板制成。它按线选择方式操作,用双向的数位电流进行写入。由扁导体組成的数字线和数位线互成正交地紧贴在板上,它們在整块连續的膜面上确定出存貯单元的位置。低阻抗的薄膜保証能以較低的成本实现线选擇。这里用普通的铁氧体存貯磁心做成选擇线路,用二極管矩陣引导电流进入被选中的线。读出和写入使用同一条数位线,它穿过存貯器的全部4096字。数位电流的干扰用一种特殊的平衡电路减为最小。  相似文献   

13.
本文描述一个新研制的磁心存贮器的设计及性能。在这个低功率、高速度存贮器的设计中,采用了二维方案以及磁心部分翻转技术。这个存贮器的特点是:电流导引二极管矩阵和均分负载磁开关的综合利用,构成经济且优质的驱动系统。该存贮器的存贮容量为73,728个二进制数位,可靠地执行指令的重复频率高达1.47兆赫。文中还描述了:存贮器的结构、串并联延迟线脉冲分配器、控制脉冲以及实测的性能。  相似文献   

14.
在“先进的线路計划”中发展了一种硅晶体管的直接耦合邏辑线路。硅晶体管在集-基极“二极管”中具有足夠的电場梯度,它允許在正向偏压条件下高速工作。电流开关技术提供了合适的控制电平,使得晶体管能在不牺牲高速度的区域内工作。在这个区域中工作,可以得到线路的簡化并且只有很低的功率损耗。对于組合状态的器件作了定义。描述了邏辑线路和功率放大器装置的設計技术。功率驅动和傳輸线驅动线路中采用了鍺隧道二极管。为测量延迟时間,組成含有424个线路的模型。发现ACP线路(为这类线路所取的名称)能在3.2毫微秒内完成两級邏辑作用。  相似文献   

15.
本文介绍容量为2048个数,BT-1型铁氧体磁心矩阵存贮器的元件的研究成果。为了减少半激励干扰的噪音,在存贮器中采用了写后干扰脉冲。文中研究了读出信号、半激励干扰与磁心工作状态的关系。选择了包括写后干扰在内的工作电流脉冲的最佳参数。确定了存贮器磁心的挑选标准和试验的数码形式。最后描述了根据选择标准检查环状铁氧体磁心的自动机的线路。  相似文献   

16.
介紹一个全部采用数字技术和兼有全标度及零位移机构的自动图表标繪器的設計。討論該設計某些部份可采用的其它方法。 装置使用晶体管及印刷綫路来做算术运算及邏輯操作,并包含有板移动的机械設計,这种設計使有可能采用具有高速加速度的小功率驅动馬达。 用适当的輸入設备,就可以把点密集地标繪在一起,速度为每秒三次,位置精度达到0.01吋以上。  相似文献   

17.
本文说明了由于半导体工业技术的发展,使磁心存貯器在结构上产生重大革新——由原来的堆疊式磁心体结构发展为插件式结构及由此而带来的一系列的优越性。文中以在一个插件板上装有32K×2位容量的一微秒周期的存貯器的方案、系统结构及研制结果来说明这种构结是完全现实可行的。  相似文献   

18.
由于許多要求相互矛盾,在大容量高速存貯器中,讀出放大器的設計可能是最困难的线路問题。对讀出放大器的这些要求包括:对信息分布不敏感、輸入阻抗可控制、寬的通频带、增益稳定、共式信号抑制強、可放大双向信号、参考电平稳定、高速比較器、低門檻电平,而且还希望价格低些。本文討論一种新线路,它簡单、且能滿足这些要求。打算将这种线路用于大容量(大于1000字)随机磁心和磁膜存貯器中。栈路能放大50毫伏的“1”信号,它具有50毫微秒的傳輸和比較延时。共式信号大至10伏,还不影响鑑别器的性能。线路的两个关鍵性的特点是:采用直接耦合差动前置放大器和隧道二极管鑑別器。直接耦合差动前置放大器的特点是:共式信号抑制强、增益稳定、对信息分布不敏感、并且能夠放大双向信号。隧道二极管构成一个优质鑑别器,因为它工作速度快、門槛电平低、門檻电平可以控制且不随溫度变化。于是,对前置放大器增益的大小和稳定性的要求就不严格了。文中推导了設計公式,并对完整的直流最坏情况进行了分析。叙述了某些应用时的线路变化,并給出了实驗数据。在附录Ⅱ中,討論了与前置放大器結合使用的隧道二极管鑑别器的一般問题。分析了某种輸入“1”“0”比时放大器跨导的允許容差,并且分析了偏流扣隧道二极管峯值电流的容差。  相似文献   

19.
由于铁氧体磁心在开关线路中的广泛应用,必须发展开关磁心的理論分析,它将使操作变得容易并可做为設計师的一种工具。在分析中,基于磁通翻轉物理概念所导引出来的近似法的本身是很复杂的。本文中介紹了基于磁心磁通-时间曲线所做的分析并討論了磁心带负载时的簡单情况。  相似文献   

20.
文中提出一个新的P—N結二極管电荷控制模型,在这个模型中分别采用时常数τ_F和τ_R来使正向电流I_F及反向电流i_R与存儲于基区的电荷Q联系起来。分析了正常开关运用的反向开关瞬态特性,这时存在恆流阶段(存儲阶段)和电流衰减阶段。也分析了过驅动开关运用的反向开关特性,这时不存在恆流阶段。导出了新的开关时間方程式。这些方程用可测量的器件参数τ_F、τ_R、C_j、外线路可变值I_F和I_R、以及一外线路参数R表示。所提出的模型可用于任何类型的P—N結二極管。文中还给出了用各种类型二極管所得到的实驗結果。实驗結果与理論完全符合。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号