光致变色二芳烯材料的光子型光信息存储

本文合成了八种光致变色二芳烯化合物,研究了它们的光致变色性质,并综述了它们在光子型光信息存储技术中的应用.在光辐照下,这些化合物在溶液和PMMA膜中均具有良好的光致变色特性.使用这些化合物作为光存储介质,成功进行了系列高密度光子型光信息存储实验,包括全息光存储、双光子光存储和多波长光存储.结果表明:二芳烯材料是光子型全息、双光子和多波长光存储技术中可采用的最理想的存储介质之一.     

有机光致变色材料的合成与多阶存储实验研究

本实验介绍了用于多阶光存储材料的有机光致变色的二芳基乙烯化合物合成,存储的膜片制作和多阶光存储实验.结果显示:用1,2-双(2-甲基-5-(4-醛基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯作为多阶光存储的记录材料,与PMMA掺杂,采用旋涂法制成存储膜片,可以实现八阶光信息存储.     

光致变色材料及其在光存储中的应用

介绍了光致变色原理及各类无机、有机光致变色材料,并就其在双光子、多波长、超分辨光存储中的应用进行了讨论.     

茚满二酮希夫碱配合物的合成及其在光存储染料中的应用

通过对比有机光存储材料和无机光存储材料,介绍了有机光存储材料在光盘应用中的优势。合成了一种以茚满二酮希夫碱为配体的Ni配合物有机光存储材料,通过紫外波谱分析和热重分析测试希夫碱配体以及希夫碱配合物的光性能和热性能,并且测量了该材料涂覆光盘后的光信号参数,研究了这种茚满二酮希夫碱配合物在蓝光光盘存储中的应用前景。     

具有离子识别能力的新型有机光致变色材料

有机光致变色材料是在特定波长的光照射下,生成同分异构体,同时在另一波长光照射或加热的条件下,该异构体可发生逆反应并伴随着明显的光物理化学性能变化的有机材料。将超分子化学的分子识别和光致变色相结合,可以实现客体操控材料的光致变色性能。基于其特殊的光切换性质,人们已开发出多种多响应、多功能材料并将其广泛应用于分子开关、分子逻辑门、分子机器、化学传感、生物成像等诸多领域。其中,具有离子识别能力的光致变色化合物因其易操作和廉价而成为最理想的该类材料之一。该类化合物不仅光致变色性质可以被离子所调节,同时也可以作为特异检测离子的新型光控探针。着重介绍近几年具有离子识别能力的光致变色材料的研究进展。最后结合现阶段的研究情况,对其前景和应用进行了展望。     

掺杂光致变色材料的涂料光致变色性能的研究

提出一种能用太阳光（或紫外光）调节色彩的涂料制备方法。通过光致变色材料、紫外线吸收剂和涂料的协同作用，当太阳光（或紫外光）照射后，漆膜能自动变色，但在无照射时又能恢复原有颜色。此涂料色彩丰富、图案变化多样，让人感觉更舒适。     

Ca2SnO4:Eu3+陶瓷的光致变色及光强调控特性研究

开发光辐射响应好、稳定性强的光致变色材料是无机光致变色材料研究的一大目标。研究采用高温固相反应法制备了稀土离子Eu³⁺掺杂的光致变色陶瓷Ca_2.02-xSnO₄:xEu³⁺。对陶瓷的光致变色行为展开研究,发现在290 nm光照下着色效果最好,陶瓷由白色变为灰色。440 nm光照8 min后着色陶瓷颜色基本恢复,或者将着色陶瓷加热至623 K后灰色完全消失。光致发光性能研究表明395、466和534 nm可激发出以617 nm为主的红色光发射。研究了陶瓷的光强调控特性,发现290 nm光照射能使陶瓷的发射光谱强度显著降低,617 nm处有最高着色光强调制率86.9%。经过10个循环的着色-漂白实验,陶瓷光强调控性能保持稳定,表现出良好的可逆性。陶瓷的光致变色行为和光强调控行为表现出明显的特征UV波长响应和UV光辐射累积响应特点,表明该材料有望应用于光辐射剂量探测领域。     

光学信息工程中的材料问题

本文评述了光学信息工程中的材料问题,重点在光通讯、光存储和光计算中的材料。讨论和分析了各种红外光导纤维的制备和性质,为超长距离光通讯建议用氟化物玻璃纤维。为光学数据存储推荐了光盘存储技术,较详细地讨论了烧蚀、相变、态变和磁光型四类光存储介质材料。对于光计算,介绍了光学空间调制器、光学双稳态和集成光学元件和材料。     

含偶氮结构超支化聚合物的合成、表征及其光致变色性能研究

以硝基还原法合成得到的偶氮苯甲酰氯为A_2单体,三羟甲基丙烷和二乙醇胺分别作为B_3和BC_2单体,利用一步法,通过控制反应条件,合成了2种含偶氮苯生色团的超支化聚合物(Pol-1和Pol-2)。采用傅里叶变换红外(FT-IR)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对两种聚合物进行了结构表征。深入研究了这2种超支化偶氮聚合物在紫外光诱导下的光致变色行为。结果表明,在365nm紫外光照射下,两种聚合物均能发生光致变色现象,对于实现此类材料在分子开关及光存储中的应用提供了相关的依据。     

基于光致变色荧光粉发光可逆调控和颜色对比的光存储和防伪应用（英文）

光致变色和光致发光是两种有趣的光学现象,它们在单一材料中的结合可以应用于多级防伪和光学记忆存储等器件.然而,在双光刺激下开发一种同时具有光致变色和光致发光的材料是一个挑战.本工作利用缺陷诱导色心的形成制备了光致变色SrWO₄:Yb³⁺,Er³⁺,Bi³⁺荧光粉,在254 nm紫外光和473 nm激光交替照射下,获得了从白色到暗黄色的可逆光致变色.SrWO₄:Yb³⁺,Er³⁺,Bi³⁺的光致变色效应引起了可逆光致发光调控.基于相应的颜色对比和发光强度变化,实现了SrWO₄:Yb³⁺,Er³⁺,Bi³⁺荧光粉的光存储和防伪应用.在实际应用中,柔性SrWO₄:Yb³⁺,Er³⁺,Bi³⁺薄膜作为一种很有前途的替代材料,既能满足多样化的要求又能提...     

光致变色材料的研究与应用

变色材料在变色眼镜、光学信息存储、光分子开关等方面具有广泛的应用.主要分析了螺吡喃、俘精酸酐、二芳基乙烯以及二氧化钛、卤化银等有机和无机光致变色材料的研究现状及其变色机理,最后介绍了光致变色材料在国防以及信息存储材料等方面的应用前景.     

福建物构所光致变色材料研究取得新进展

<正>光致变色物质具有颜色和多种物理性质可逆变化的特征,其中磁性随光刺激发生变化(即所谓光磁效应)的化合物除具有一般光致变色物质的强光防护、光开关等功能外,还可能在磁共振成像、光信息存储等方面发挥重要作用。多氰基配位化合物被认为是最有发展前景的此类材料,多年来备受关注,但是,其光磁效应通常在液氮温度以下发生,而罕见于室温附近。因此,发展具有室温光磁     

二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析

VO2是一种固态热致变色材料，随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态，而且相变可逆。由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化，这使得它成为一种有前景的电／光转换、光存储、激光保护和智能窗材料。本综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展。     

吲哚啉螺噁嗪光致变色化合物的研究进展

吲哚啉螺噁嗪以相对较高的化学稳定性、光敏性和抗疲劳性,可应用在光信息记录、光致开关、传感器、油墨印刷、防伪标识、光致变色纺织物和镜片等领域,从而希望成为实用性的光致变色材料之一,近年来引起了人们的浓厚兴趣。本研究从合成方法、光致变色机理、分散介质对其影响和新型吲哚啉螺噁嗪等方面入手,对其研究现状和动向进行综述,并展望了吲哚林螺噁嗪光致变色化合物的发展前景。     

溶胶—凝胶法光功能材料研究进展

本文对ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备光功能材料及其材料的特性进行了介绍,对有机染料和无机分子掺杂子ｓｏｌ－ｇｅｌ基质中的激光性质,发光性质,光致变色现象及量子尺寸效应等进行了综述,并预测了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备光功能材料的发展趋势。     

有机光致变色材料及其在防伪技术中的应用

概述了一种功能化学材料-有机光致变色材料,它在不同波长光的照射下,通过开环-闭环、结构异构和氧化还原等过程,能够发生颜色的变化.介绍了其在防伪技术领域的一些应用,并提出了一些增加防伪力度的思路.其中光致变色材料的应用,将是防伪技术领域的一个值得重视且亟待深入研究的工作.     

变色窗户材料

为了降低建筑物内部空调能耗,正在积极研制各种新型节能窗户材料。光致变色材料和电致变色材料能象电器用具一样开关,在阳光稀少的冬天增大透光率,在炎热的盛夏变暗。例如氯化银就是一种光致变色材料,它遇到明亮的光线时会变暗,但这种光致变色材料在冬天会挡住阳光。电致变色材料的适应性更强。电致变色玻璃窗覆有多层特殊材料,在两电极层之间夹有导电电解质层。无电流时,两电极透明。     

光致变色聚合物的光学性能与应用

综述了光致变色聚合物的光学性能及应用的近期研究进展，首先，介绍了光诱导双折射及双色现象形成机理及实验方法，并讨论了分子结构与外部条件对上述现象的影响。其次，介绍了光致变色聚合开关线性光学性能和应用。如由光助极化和全光极化形成的光开关现象将有可能引起数字存储或光-光开关等新装置的出现，最后，简单说明了光诱导表面光栅在近几年的研究情况，并分析了它们在全息图像存贮，光学过滤器及共振电偶中的潜在应用。     

光致变色材料的特性及其在大屏幕显示系统中的应用

一、引言光致变色材料的起源,可以追溯到1876年人们从二硝乙烷的钾盐中发现颜色变化开始。在这以后的整整一个世纪中,光致变色材料已经有了数百种化合物,至今它在有机和无机物中都有着广阔发展前景。这类材料的主要特性是紫外光照射后,能发生颜色变化并且是可逆的。根据此类材料的灵敏度特     

石榴石型磁光存储材料

稀土铁石榴石薄膜被认为是最具应用前景的下一代磁光记录材料。稀土铁石榴石薄膜具有高的矫顽力、良好的热、化学稳定性及强的磁光效应等特点；特别是当Ｂｉ３＋和Ｃｅ３＋离子部分取代石榴石结构中的稀土离子后，可以极大地增强其磁光效应。本文就磁光记录的原理、磁光存储材料、稀土铁石榴石磁光薄膜的制备及其如何降低石榴石薄膜中的晶界噪声等问题作了一些探讨。