电气和电子工程用材料科学

TB43 95050032真空电弧沉积的T五N薄膜表面分析/王浩,.韦伦存,邻积岩,程札椿(北京大学)Ij微细加工技术一1995,(l)二45~49 对真空电弧沉积的TIN薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及厚度分布进行了测试和分析。图3参《许)15(3)一185~189 用离子束增强沉积法(IBEO)在硅及铜基体上沉积了TIB:薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响.用俄歇电子谱(AEs)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍射(XRD)研究了膜的微结构,.并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验.图8表2参4(许)TB43 95Q50033离子束增强沉积制备T…     

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TN04 2003040016电磁屏蔽与吸波材料/刘顺华,郭辉进(大连理工大学)11功能材料与器件学报一2002,8(3)一213一217首先阐述了电磁屏蔽材料与吸波材料研究的重要意义,分析了电磁屏蔽与吸波材料的工作原理,综述了电磁屏蔽材料与吸波材料的种类及其性能最后指出了其研究方向.表1参12(刚)高浓度的深能级陷阱、图7参9(午)TN04 2003040017碳化硅吸波性能改进的研究/葛凯勇,王群,张晓宁,毛倩瑾,周美玲(北京工业大学)11功能材料与器件学报.一2 002,s(a).一263-266采用三种不同的方法对碳化硅粉在2一18 GHz范围吸波性能进行了改进.化学还原的方祛制备…     

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TB43 2003010025大规模薄膜生长的格子MC模拟并行计算/舒继武,郑纬民(清华大学)}z中国科学E辑.一2002,32(3).一419一424基于1 000 x 1000个原子的Ti薄膜淀积生长过程的模拟,在分布式并行系统上提出了区域重叠划分和异步通信的有效并行计算策略,并运用Monte Carfo方法实现了模拟真实沉积速率下的大规模薄膜生长的并行计算过程,缩短了薄膜生长模拟计算时间.实现的并行算法能够模拟比以前粒子数大得多的真实沉积速率下薄膜生长问题,从而为运用计算机方法模拟薄膜生长提供了有效的手段.图2表1参15(木)空位完全扩散到表面.这与实验结果和其他…     

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1’B纽3,1’尸212.2 01010030MOPECVD法制备超徽颗粒SnO:薄膜/张志勇,王雪文(西安理工大学)11叫匕大学学报(自然科学版).一20()O,30(3)一185一188以5 nC14液体为锡源用MOPECVD方法制备出了SnO:薄膜.用X射线衍射仪和透射电镜(TEM)分析了薄膜的晶体结构和5 n02晶体的赖粒度,优化出制备超微颖粒SnOZ薄膜的最佳工艺,并给此膜蒸发上电极,制成S”02气敏器件,测摄其对乙醉的气敏特性,实验证明减小Sr,02晶体的粒度可以改进元件的气敏特性.图3表1参5(木)约5 .3、i()名、二川一2,厚度约601,r:‘)进行化学气相沉积(CV[)),成功地制备出大面…     

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1’N 04 97050()37表面波吸收材料评估/徐长龙,颜锦奎,徐得名(上海大学嘉定校区)lj电子学报一1997,25(6)一77一50 文中给出覆盖有耗介质平面导体上表面波的表面阻抗和衰减率的计算公式。提出吸收材料导磁率的实部和虚部的乘积。;讨和表面波衰减率可分别作为吸收材料本身品质和使用效果的评估参量。给出了样品材料的衰减率的测量结果,测量值与计算值的误差小于ldB。图7表2参4(金)TB43,TN2482 97050()38SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备/杨平雄,郑立荣,王连卫,林成鲁,周宁生,陆怀先(中科院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室)//中国…     

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TN04 97060012Fe一Mn一Si形状记忆合金在不同热机械循环条件下7,。马氏体相变的电子显微镜分析/徐彤,钟志源,陈树川,徐祖耀(上海交通大学)刀功能材料与器件学报一1997,3(2)-89~94 测定TF卜33.7(wt)%Mn一5.22(wt)Q形状记忆合金在不同变量和不同回复温度的热机械循环嘀称.训练.     

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TNO4,TP391.7 01050032微波吸收材料的计算机辅助设计/罗志勇,李月菊,罗祺(中国计量科学研究院)11哈尔滨工业大学学报一2 000,32(5).一132一136恨据微波吸收材料研究的需要,研制出新型微波吸收材料C AD软件.该软件包括主程序和数据库,通过主程序对数据库的调用,将不同试徉的电磁参数分配给不同的吸波涂层实现电磁参数在各层问的自动匹配并经网格优化实现各层电磁参数的最佳组合、层问排列次序的最佳组合;同时主程序还有对复合涂层层数及各层厚度优化的功能,从而实现了微波吸收材料电磁波反射率全局最优结果.详细介绍了软件的基本原理、…     

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TN04 96060026材料科学的研究动态/华中一(复旦大学材料科学研究所)//真空科学与技术学报一19%,16(4).一227一230 (许)TB43 96060027金刚石薄膜的低温合成技术/张贵锋(西北工业大学)l/微细加工技术一1 996,(2)一65~70 文章综述了国内外低温和室温合成金刚石薄膜的发展现状和动态,介绍了几种典型的低温和室温合成金刚石薄膜的方法及工艺特点,给出了低温合成金刚石薄膜的一些基本规律.图2表1参16(许)退火a一Ge/Cu叠层膜中输运性质的反常/彭振生,牟阶(中国科技大学)/l低温物理学报一19%,18(4)一252~256 研究了退火a一Ge/Cu(a一Ge是非晶体态…     

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TG115.22006010030CCD金相组织图形模式识别研究/汪杰君,陈岳林,许廷丽(桂林电子工业学院机电与交通工程系)//传感器技术.―2005,24(1).―19～21.为了解决传统金相组织定量分析中存在的准确性差、效率低的缺点,根据CCD图像采集的特点,利用计算机图像处理技术来实现金相组织的定     

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TB43 99010026薄膜礴壁自旋波稠合栅格设计/陈善宝,张志强(华中理工大学)扩华中理工大学学报、一1998,26(4).一31一32,45用保角变换分析计算了坡莫合金栅格在均匀磁场作用下产生的二级磁场.以此为依据设计了用于薄膜畴壁内自旋波Win七er模式激发的能量辆合栅格.制得的栅格在Winter模式研究中获得了满意的效果.实现了激励电磁场与自旋波的成功韧合,首次测得自旋波Winter模式谱.图4参5(金)TB43 99010027磁泡条畴头Bfoch线产生的三维模拟/陈善宝(华中理工大学)11华中理工大学学报.一1 998,26(4).一33~35用改进的Dufort一Ranckel显示格式颤…     

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TG132.2,TG113.222007060124纳米化处理超声金属表面/王东坡,宋宁霞,王婷,,霍立兴(天津大学材料科学与工程学院)//天津大学学报.―2007,40(2).―228～233.采用超声表面加工处理方法在45钢上制备出纳米结构表层。TEM(透射电子显微镜)、XRD(X射线衍射)、粗糙度和显微硬度试验结果表明:经超声处理后,样品表层的晶粒可细化至纳米量级,平均晶粒尺寸为50nm,且在某些区域出现纳米晶与非晶嵌套结构,表面形成残余压应力,表面粗糙度值降为原始样品的1/100,与样品心部相比,表层硬度显著提高。图8表2参13TG132.2,TG113.222007060125退火温度对纳米…     

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TG113.22,TG132.22005060019非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性/蒋向东,张怀武,文歧业,石玉(电子科技大学微电子与固体电子学院)//真空科学与技术学报.―2005,25(1).―37～40.采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃～550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30s后的薄膜结构和磁性。结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃～450℃,Avrami指数在1.17～1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁性能受晶…     

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TB43 96040022纯净化真空弧沉积非晶硅薄膜/邹积岩,程仲元,杨磊(华中理工大学电力工程系)11微细加工技术一1996,(1)一53一59 文章阐述了真空电弧沉积的各种净化方法,并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应一2一用,包括在制造太阳能电池方面的应用前景.图4参5(许)理过程中的界面扩散反应机理,界面反应动力学过程及界面反应产物.图9参8(许)TB43 96040023在柔性基上真空蒸镀rro膜/程知群(合肥工业大学)lj光电子技术一1 996,]6(1)一sx~54 研究了在柔性基上真空蒸镀ITO薄膜的实验装置和工艺参数.给出了最佳工艺参数和实验结果.图3…     

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TN04 97040024聚苯乙烯超微粒子的STM观察/徐伟,陈虞峰,陈殿勇,华中一,吕绪良,府寿宽,于同隐(复旦大学)11真空科学与技术学报一1997,17(2).一79一83 发现扫描隧道显微镜可对聚苯乙烯超微粒子进行观察.用水悬浮液及苯饱和溶液使聚苯乙烯表面溶胀后,都可得到清晰的STM像,并首次从     

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TND4 94030073F’e”S喃热电材料机械合金化的相变特点/吴炳尧,梅本富(东南大学)刀东南大学学报一1993,23(增刊)一147~150 阐述了应用机械合金化方法,将Fe33si‘:从金属相转变为半导体相的相变特点。图3表2参4(南)一380~383 作为特种功能材料之一的超细高纯氧化铝,已在人工晶体、陶瓷和灯用稀土三基色荧光粉等方而获得了广泛的开发应用.文章介绍了制备硫酸铝钱的新工艺,及通过热解法生产超细高纯氧化铝的工艺过程和实验结果.图l表l参5(南)TN04 94030074凡一Ni一B非晶超细颗粒的氧化特性研究/李香管,张希曾,胡炳儿,杨燮龙,蔡鹿意,姜继森(…     

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TN04 2002060021一维纳米材料的合成、组装与器件/董亚杰,李亚栋(清华大学)11科学通报.一2002,47(9)一641一649一维纳米材料的合成、组装及其物性的测量是制约其在纳米原型器件制作与应用中的关键,评述了这一领域的最新进展.一维纳米材料的组装大致可分为宏观场力组装与微流输助模板限域组装,其中前者是通过控制宏观电场、磁场的方向和大小来对微观的纳米线进行组装,后者则通过控制模板的形状、尺寸、流体的流速、沉积的时间等来实现纳米线网络阵列的制备.纳米线的组装与单根纳米线的物性测量使得纳米线激光器、传感器乃至纳米逻辑电路的制…     

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T日43 02020060金属/聚酸亚胺LB簿膜界面特性的研究/封伟,曹猛,郑建邦,李成全,吴洪才(西安交通大学电信工程学院)11西安交通大学学报一2001,35(8)一825一525为提高有机电子器件的性能,制备了不同厚度的聚酶压胺(P l)LB薄膜.测量了不同厚度的聚酞亚胺LB薄膜与金电极接触时的表面电压,分析了金属/Pl LB薄膜界面的电荷分布情况,发现电荷主要集中在界面附近.测定了金属/P 1 LB/金属结构的电流一电压关系,用金属热电子发射和场致发射的模型对其进行了分析,结果表明电子发射机理受温度和电场强度的控制.实验结果与模型符合得较好.图5参12(午…     

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TN04 99050024有机材料ZnTBP/CA/PhR体系的反饱和吸收特性研究/龚勤敢,赵有源,黄玉华,潘永乐,陈凌冰,李富铭(复旦大学物理系三束材料改性开放实验室)”中国激光.一1999,26(5)一444一4纽8报道了有机材料ZnTBP/CA/PhR对激光的反饱和吸收特性.理论分析从该材料特有的五能级结构出发,指出三重态的第一激发态在反饱和吸收过程中的重要作用,并用两束光同时照射样品的实验方法进行了醚h正.该材料的反饱和吸收效应可在功率不太高的连续光下操作.图4参5(许)TB43 99050025X射线研究Ceo:缓冲层/王荣平,周岳亮,潘少华,吕惠宾,陈正豪(中国科学院…     

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TB43 2003020010工作气压对制备立方氮化佛卑膜的影响/邓金祥,陈光华,严辉,王波,宋雪梅(北京工业大学)11北京工业大学学报一2 002,28(3).一378一380用射频溅射法将立方氮化硼(c一BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上、薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c一BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为O.67Pa时,得到了立方相体…