稻壳合成β—SiCl晶须／颗粒及其增强复合材料的应用

本文对稻壳合成β－ＳｉＣ晶须及β－ＳｉＣ颗粒进行了研究，并对这两种产品进行了增强复合材料的应用，结果表明：稻壳合成β－ＳｉＣ晶须的反应中，β－ＳｉＣ颗粒的生成是不可避免的；β－ＳｉＣ晶须有效地改善了陶瓷复合材料的力学性能及耐磨性能，以β－ＳｉＣ颗粒增强的ＳｉＣ基质复合材料的热压制品磨耗比为标准砂轮的４９．５倍。     

晶须增强Al－8．5Fe－1．3V－1．7Si复合材料及晶须增强效果的评价

采用粉末冶金法在较高的温度下制备了ＳｉＣ，Ｓｉ_３Ｎ_４和Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）晶须增强Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ耐热铝合金复合材料，山于采用不含Ｍｇ的基体避免了Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）晶须界面上出现界面反应和Ｓｉ_３Ｎ_４，ＳｉＣ晶须界面上出现的界面生成物，所以所有晶须界面都是清洁的．加入晶须可以明显提高材料的强度和模量，三种晶须的增强效果依次为ＳｉＣ，Ｓｉ_３Ｎ_４和Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）．这类复合材料的强度随温度的升高呈线性下降，其使用温度可比ＳｉＣ_ｗ／２０２４Ａｌ复合材料提高５０－１００℃     

晶须转动及其对SiC_W／Al－Ni复合材料高温压缩变形流变应力的影响

本文测定了ＳｉＣＷ／Ａｌ－Ｎｉ复合材料高温压缩变形的应力－应变曲线，讨论了该种复合材料高温压缩变形时所表现出的应变软化现象，利用ＳＥＭ观察了ＳｉＣＷ／Ａｌ－Ｎｉ复合材料在高温压缩变形中晶须的转动，并对晶须长轴的取向分布函数及其与复合材料压缩流变应力之间的关系进行了较为详细的研究．研究结果表明，在压缩变形过程中，ＳｉＣＷ晶须的长轴要发生转动，并趋向垂直于压缩方向分布，晶须取向的重新分布是造成复合材料应变软化的主要原因．     

纳米级SiC晶须的微波合成

以酚醛树脂、超细炭黑和超细ＳｉＯ２为原料，用微波加热的方法合成了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须。用Ｘ射线衍射、分析电镜等手段对ＳｉＣ晶须进行了结构测定。比较并分析了不同的炭源和温度对ＳｉＣ晶须性能的影响．     

挤压变形对SiCw/ZK51A镁基复合材料组织和性能的影响

利用透射电镜、扫描电镜和拉伸试验等实验方法,研究了铸态和挤压态ＳｉＣｗ／ＺＫ５１Ａ镁基复合材料的组织与力学性能。结果表明,挤压铸造ＳｉＣｗ／ＺＫ５１Ａ复合材料经等温热挤压后,其力学性能有很大提高。主要原因是：挤压变形能消除铸造缺陷,增强ＳｉＣ晶须与ＺＫ５１Ａ镁合金基体的界面结合,使复合材料中ＳｉＣ晶须发生定向分布,沿挤压方向呈准一维分布特征,晶须的增强承载能力得到充分发挥。     

RB－SiC／MoSi_2复合材料的界面特征

采用（Ｓｉ＋Ｍｏ）合金浸渗反应烧结ＳｉＣ，以难熔ＭｏＳｉ_２作为第二相取代ＲＢ－ＳｉＣ中的游离Ｓｉ，从而获得ＲＢ－ＳｉＣ／ＭｏＳｉ_２复合材料．实验结果表明，ＭｏＳｉ_２均匀、连续地分布于ＳｉＣ颗粒界面处，形成连续网络．界面是由ｔ－ＭｏＳｉ_２和β－ＳｉＣ两相交错重叠所构成．界面层处未观察到反应层和非晶态物质，过渡层厚约５ｎｍ．     

晶须增强Al—8.5Fe—1.3V—1.7Si复合材料及晶须增强效果的评价

采用粉末冶金法在较高的温度下制备了Ｓｉｃ，Ｓｉ３Ｎ４和Ａｌ１８Ｂ４Ｏ３３晶须增强Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ耐热铝合金复合材料，由于采用不含Ｍｇ的基体避免了Ａｌ１８Ｂ４Ｏ３３晶须界面上出现界面反应和Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＣ晶须界面上出现的办生成，所以所有晶须界面都是清洁的。加入晶须可以明显提高材料的强度和模量，三种晶贩增强效果依次为ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４和Ａｌ１８Ｂ４Ｏ３３。这类复合材料的强度随温     

Ni对C－B_4C－SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文研究了烧结助剂Ｎｉ对Ｃ－Ｂ_４Ｃ－ＳｉＣ复合材料显微结构与性能的影响．Ｘ射线衍射表明Ｎｉ在烧结温度下与ＳｉＣ，Ｂ_４Ｃ人发生反应在晶界生成Ｎｉ_（４．６）Ｓｉ_２Ｂ，并产生液相，有效地促进了Ｃ－Ｂ_４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降；同时Ｎｉ_（４．６）Ｓｉ_２Ｂ在氧化时生成致密的２ＮｉＯ·Ｂ_２Ｏ_３，包裹了易氧化的Ｂ_４Ｃ和Ｃ，有效地防止了复合材料的氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能．     

树脂对碳毡硅化处理后的显微组织与性能影响

研究了树脂对碳毡经处理后的显微组织与性能影响。结果表明,未浸渍树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗细注且均匀分布在游离硅中;而浸渍树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粒径及分布均不均匀。大颗粒碳化硅的出现造成了试样断裂强度的降低,ＸＲＤ结果表明Ｓｉ－ＳｉＣ复相陶瓷的主晶相为α－ＳｉＣ,β－ＳｉＣ和游离Ｓｉ,不同晶型ＳｉＣ的出现与试样烧结过程中Ｓｉ／Ｃ反应的放热     

颗粒增强铸造铝基复合材料的研究

本文探讨了用搅拌铸造法,采用常规的熔炼加工设备和工艺,制造ＳｉＣ颗粒增强铝基复合材料的可行性;研究了不同ＳｉＣ含量的复合材料的显微组织;试验表明：复合材料中ＳｉＣ颗粒分布较为均匀,其力学性能均优越于基体合金,弥散分布的ＳｉＣ颗粒是复合材料力学性能优异的主要原因。     

以稻壳为原料制备β—SiC颗粒过程中除碳工艺研究

本文介绍了一种以稻壳为原料生产β－ＳｉＣ颗粒的方法，研究了采用浮选法除碳的工艺。并介绍了影响浮选效果的几个重要因素。     

SiC晶须补强莫来石基陶瓷复合材料的研究

本文主要研究了不同ＳｉＣ晶须加入量对莫来石基复合材料性能的影响，并对ＳｉＣ晶须、ＺｒＯ２颗粒在材料中的强韧性机理进行了探讨，结果表明：在０￣２５ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须加入量范围内，材料的力学性能随ＳｉＣ晶须加入量的增加而提高，在２５ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须加入量时，材料的致密化程度受到明显的影响；ＳｉＣ晶须、ＺｒＯ２对材料性能的贡献有叠加作用；材料中存在载荷转移、晶须拔出／解离、裂纹偏转、相变增韧等韧化机理     

原位合成MoSi_2-SiC复合材料的高温强化

采用高温压缩实验研究了不同体积分数 ＳｉＣ含量对原位合成 ＭｏＳｉ２—ＳｉＣ复合材料在 １０００－１４００℃ 的屈服强度及流变应力的影响结果表明,与单－ ＭｏＳｉ２材料相比,复合材料的高温强度随 ＳｉＣ含量的增加而明显提高．高温屈服强度 σｙ和第二相 ＳｉＣ粒子间距λＳ服从σＹ＝σ０＋ｋλＳ－１／２关系式结合组织结构的研究结果对其相间障碍强化的高温强化机制进行了初步探讨．     

CVD法合成SiC晶须的实验研究

利用简单的实验设备，特殊的金属丝作触媒，以ＳｉＯ２和Ｃ为原料，利用碳热还原反应生成的ＳｉＯ和ＣＯ，通过ＣＶＤ的方法快速合成α－ＳｉＣ晶须，用光学显微镜研究了晶须的生长速度，通过ＴＥＭ研究α－ＳｉＣ晶须的结构和生长方式。讨论了这种方法中α－ＳｉＣ晶须生长的热力学条件，机理及生长动力学模型。     

颗粒增强名合金叠层复合材料的制备与强度和耐磨性

介绍了ＳｉＣ颗粒增强Ａｌ－Ｃｕ合金叠层复合的制备方法，研究了叠层复合材料的抗弯强增强层的耐磨性与ＳｉＣ颗粒含量的关系。结果表明，ＳｉＣ颗粒体积分数为２０％时该的抗弯强度最大，磨损量最小；ＳｉＣ颗粒与基体结构强度及层间宏观应力影响材料的强度性能。     

SiC／Al－4％Mg复合材料的组织特征及界面分析

试验观察发现，在ＳｉＣ粒子增强Ａｌ－４％Ｍｇ复合材料中，绝大多数ＳｉＣ粒子分布于α相的晶界，呈无规则排列，少量留在α相晶粒内。本文对其进行了理论分析，并对ＳｉＣ粒子与Ａｌ基体的界面进行了微观观察和分析     

AlN／SiCw（y2O3—SiO2）复合材料热处理增强机理

利用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ和ＨＲＥＭ等测试技术对ＡｌＮ／ＳｉＣｗ（Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２）复合材料热处理增强机制进行了研究。结果表明：材料在１３００℃空气中进行热处理，其氧化处理过程也是其热处理增强过程，增强机理主要是由于氧化擅长 用改变了粒界玻璃相的相组成，粒界玻璃相在高温氧经气氛下和ＡｌＮ颗粒发生作用生成ＡｌＮ多形体２Ｈ＾δＳｉａｌｏｎ相，并与ＳｉＣ晶须形成空间交错的结构。     

SiC晶须对金属陶瓷抗弯强度和断裂韧性的影响￣ 

研究了加入ＳｉＣ晶须对Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷抗弯强度和断裂韧性的影响。结果表明：加入１０Ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须能提高抗弯强度和断裂韧性；该材料的载荷一位移曲线因晶须的反复阻止作用呈锯齿状；材料的良好强韧性是金属相增强增韧、裂纹偏转增韧以及ＳｉＣ晶须的裂纹桥接与拔出效应共同作用的结果。     

颗粒增强铝合金叠层复合材料的制备与强度和耐磨性

介绍了ＳｉＣ颗粒增强ＡｌＣｕ合金叠层复合材料的制备方法，研究了叠层复合材料的抗弯强度和增强层的耐磨性与ＳｉＣ颗粒含量的关系。结果表明，ＳｉＣ颗粒体积分数为２０％时该材料的抗弯强度最大，磨损量最小；ＳｉＣ颗粒与基体结合强度及层间宏观应力影响材料的强度性能     

原位SiC颗粒增强MoSi_2基复合材料的显微组织和力学性能

本文研究了原位 ＳｉＣ颗粒增强 ＭｏＳｉ２基复合材料的组织结构和力学性能。结果表明：复合材料的组织为ｔ－ＭｏＳｉ２基体上均匀分布 β－ＳｉＣ等轴颗粒,数量很少的球形小孔隙主要分布在 ＳｉＣ颗粒内, ＳｉＣ颗粒尺寸为 ２－５ μｍ．复合材料界面为直接的原子结合,无非晶层存在．复合材料的室温维氏硬度、断裂韧性、抗压强度及高温流变应力明显高于单一ＭｏＳｉ２,随着ＳｉＣ体积分数的增加,维氏硬度、断裂韧性及高温流变应力提高,而抗压强度先增加后减少． ＳｉＣ体积分数从 １０％增加到 ４５％,ＫＩＣ从 ４．３４提高到 ５．７１ ＭＰａ·ｍ１／２;与单一 ＭｏＳｉ２相比提高了 ２５％－４６％; １４００℃时,σ０．２从 ２０％ＳｉＣ的 ２３０提高到 ４５％ＳｉＣ的 ２８５ ＭＰａ,比单一 ＭｏＳｉ２提高了 ９８％－１４６％．