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驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式.通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值. 相似文献
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介绍了IR2110的内部结构和特点,高压侧悬浮驱动的原理和自举元件的设计,针对IR2110的不足提出了几种扩展应用的方案,并给出了应用实例。 相似文献
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简单实用的功率MOSFET驱动电路 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了采用脉冲变压器隔离的功率MOSFET无源驱动电路,可工作在任意占空比下,具有实用性强、电路结构简单、响应速度快,输出阻抗小等优点。介绍了该驱动电路在零电流开关电路中的简化应用,并给出了实验波形。 相似文献
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介绍一种实用的小功率开关稳压电源的设计过程。其输出电压稳定度高,源效应和负载效应较小,保护电路完善,体积小、重量轻、效率高。 相似文献
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开关磁阻电机是由功率变换器电路、双凸极磁阻电机及其控制器组成的新型机电一体化调速电动机系统,其性能优越,发展前景广阔。 相似文献
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小型(φ3×20)舌簧开关触点间能承受交流电压1200伏的在国内还是空白,本文较全面的从舌簧开关力的分析及吸合安匝的计算。触点间耐高压的依据和措施来叙述这种舌簧开关的设计研制,并以实际测试数据叙述它的性能,从结构及工艺特点阐明它的生产关键。 相似文献
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为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEMT高速开关行为的影响规律进行验证,探究了实际电路中存在寄生电感对开关行为的影响。实验结果表明,调整驱动电路参数可以提高开关速度,降低开关损耗,但不可避免地会引起电压、电流的振荡和过冲,设计驱动电路时需要折衷考虑,工况对开关时间影响较大,桥臂电路应用需要根据不同的工况调整死区时间以达到最优的效果,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,实验结果为eGaN HEMT驱动电路的设计和应用提供了有益的帮助。 相似文献
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针对户外高压隔离开关常受到外界环境等外力的作用而造成合闸失败的问题,设计了一种新型抗干扰高压隔离开关。首先通过对传统的三柱水平旋转式高压隔离开关的结构组成和工作原理进行分析,得出了造成高压隔离开关合闸过程中导电杆提前翻转的原因。然后结合槽轮间隙机构和四连杆阻尼机构的运动特点,给出了抗干扰隔离开关的设计方案与三维几何模型的建立。最后通过数值仿真对四连杆阻尼机构中弹簧的安装位置进行了确定,并验证了设计目标要求。结果表明:该结构可以有效解决传统高压开关导电杆受外力的干扰,可为隔离开关结构的优化设计提供参考依据。 相似文献
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一种新颖的软开关组合式高频环节逆变器的研究 总被引:1,自引:5,他引:1
将恒频移相LCC谐振电路与SPWM控制技术有机结合,提出了一种新颖的软开关高频环节单相逆变电路。详细分析了它的工作原理、控制方法及稳态特性,并利用MATLAB仿真软件绘制了一组稳态特性曲线,该曲线有利于电路参数优化。针对阻性和感性负载分别进行了实验,结果证明整个电路都实现了软开关,减小了开关损耗,提高了电路效率。 相似文献