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AlxGa1-xAs/GaAs合金型异质结价带偏移的研究中,采用以平均键能为参考能级的ΔEV理论计算方法,得到ΔEv(x)=0.531x+0.001x^2的理论计算结果。该计算结果与目前的一些实验结果符合较好。 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x—0.40的n-AlxGa1-xAs层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失 相似文献
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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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本文采用三角阱近似,考虑了GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移主经与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa1-xAs异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 相似文献
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用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAS/Ga1-xAlxAs异质结,发现不同工的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由GaAs带间跃迁的Franz-Keleysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密以级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga1-xAlxAs调制光谱分析,发现表面复盖层对Ga1-xAlxAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的 相似文献
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InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量 总被引:1,自引:1,他引:0
用Keithley S900A 型半导体自动参数测试仪测量了用MOCVD方法生长的InGaP/GaAs异质结样品的界面C V的分布。用多项式逐段拟合的方法,转化得到界面浓度的分布,最后计算得到该体系的价带不连续性ΔEv 为316 m eV,约相当于0.69 ΔEg 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
采用缓变In_xGa_(1-x)As沟道的高性能δ掺杂GaAs/In_xGa_(1-x)As PHEMT近来,InxGa;-xAs三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途f的沟道材料,因为它的有效质量较小,F一L间隙较大。据((IEE.D.L.)199... 相似文献
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在71—163K的不同稳定温度下,对GaAs-Al0.3Ga0.7As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度,作了10-5-103秒时间范围的瞬变测量.一个包含了热声子辅助隧穿,Si掺杂的AlxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果. 相似文献
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自从Mimura等人1980年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管(HEMT),其优越的电子传输性能备受注目,可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Xia等人提出的三段速-场公式,在考虑了300K时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上,又加入了Al_xGa_(al-x)As的组分x的调制效应,以适应能带工程和高性能电路的需要;推导并求解x>0.3的Al_xGa_(1-x)As/GaAsHEMT的直流I-V特性。计算结果与理论值符合良好。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献