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辉光弧光协同共放电方式制备TiN薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分别采用中频磁控溅射、电弧离子镀及辉光弧光协同共放电混合镀(APSCD)三种方式在碳钢基体上制备TiN薄膜,采用原子力学显微镜、显微硬度计、台阶膜厚仪、电化学技术对薄膜表面形貌、显微硬度、膜厚、耐腐蚀性进行测试.研究结果表明:多弧离子镀薄膜颗粒的平均粗糙度为7.066 nm,混合镀薄膜颗粒的平均粗糙度为4.687 nm,在相同时间条件下,磁控溅射薄膜厚度为658 nm,混合镀膜厚度为1345 nm,混合镀工艺具有降低多弧离子镀粗糙度又可以克服磁控溅射沉积速率慢的优点.经过混合镀TiN薄膜后,基体表面显微硬度从226HV提高到1238 HV,在天然海水中测得混合镀膜层腐蚀电位比基体提高104 mV. 相似文献
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利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜,并对其进行X射线衍射分析。掠入射的X射线衍射分析得出:离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构,晶格常数a为0.4405nm。根据X射线衍射分析,用屈服强度表征的TaN薄膜的显微硬度为16~20GPa,与文献上报道的显微硬度值接近。离子束辅助沉积制备的TaN薄膜宏观内应力较小,且都为压应力。晶粒尺寸大约在10nm左右,随着注入离子能量的增加,薄膜晶粒尺寸有长大的趋势。 相似文献
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针时凹印版电镀存在的污染和高能耗,采用射频感应偶合(ICP)离子源辅助电子束沉积硬质铬耐磨层,通过控制离子源参数和加入过渡层来提高薄膜与基体的结合力和显微硬度。利用扫描电镜、原子力显微镜、显微硬度计、划痕仪、表面轮廓仪,摩擦磨损仪对膜层的组织结构和性能进行了研究,探讨了在薄膜沉积过程中,离子源工艺参数对薄膜界面结合机理,组织结构和性能的影响。 相似文献
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常规双辉等离子渗铬温度较高(800℃以上),能耗较大.为此,采用双辉等离子渗金属技术,在560℃下对45钢进行了表面渗铬硬化,制备出了性能良好的表面合金改性层.采用X射线衍射仪及其附带的能谱仪测定了渗层物相及成分,采用金相显微镜考察了渗层组织形貌,并采用显微硬度计检测了渗层硬度.结果表明:渗层组织由沉积层及扩散层组成;渗层表层为2~3 μm的沉积层,含铬量达到48%以上,沉积层致密并与扩散层结合紧密;内有20~25 μm的扩散层,其合铬量呈梯度分布;表面物相由Fe-Cr、Cr7C3、Cr23C6等组成;渗层表面显微硬度达600~700 HV,硬度向内呈梯度分布. 相似文献
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非平衡磁控溅射类金刚石薄膜的特性 总被引:3,自引:1,他引:3
非平衡磁控溅射(UBMS)结合了普通磁控溅射(MS)和离子束辅助沉积的优势,易于实现离子镀,近年来得到了广泛的应用.采用该技术制备的类金刚石薄膜(DLC)具有许多独特的性质.本文研究了非平衡磁控溅射技术制备DLC薄膜的光学、机械,电学和化学性能.研究表明,非平衡磁控溅射制备的DLC膜具有较宽的光谱透明区,且表面光滑、摩擦系数小、耐磨损、抗化学腐蚀,同时具有较高的电阻率和良好的稳定性. 相似文献