95％Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化机理研究

本文以实验证实了95％Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化的玻璃迁移机理。所用的9~#金属化配方为添加玻璃的配方,陶瓷金属化烧结时,主要靠金属化层中的一部分玻璃向陶瓷中迁移,冷却时,靠此玻璃把陶瓷和金属化层粘结在一起而完成真空致密封接的。     

玻璃相与陶瓷金属化技术

本文叙述了陶瓷金属化技术的发展过程和玻璃相在金属化技术中的重要作用.讨论了几种主要金属化机理,提出了陶瓷中玻璃相和金属化层中玻璃相的相互关系.     

陶瓷金属化层不连续图形的电镀方法

<正> 陶瓷金属化技术在电子工业中占着十分重要的地位,由于它能使陶瓷不但具有电子陶瓷的很多优良性能,在一些局部区域又具备金属的特性,因此使这一技术在很多场合起着特殊的作用。如可控硅外壳、集成电路陶瓷外壳及各种陶瓷基片电路的生产等,都需要用到陶瓷金属化技术。Mo-Mn法和W-Mn法是陶瓷金属化技术中应用得极普遍的     

高纯氧化铝陶瓷的金属化工艺研究

采用CaO-Al_2O_3-SiO_2玻璃体系作为金属化中的玻璃活化剂,在高纯(99%)氧化铝陶瓷表面烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度、CaO及Al_2O_3含量和TiO_2的加入对于金属化层烧结强度的影响。结果表明Ca-Al-Si玻璃系统可在1450℃左右进行金属化烧结,同时在提高CaO与Al_2O_3含量后有助于金属化烧结,TiO_2的加入则对金属化烧结有不利影响。     

氧化铝陶瓷的Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化工艺研究

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。     

便于陶瓷和金属化陶瓷进行化学镀的清洗和处理方法

<正> 在电子工业中,陶瓷器件的应用正在日益增加,例如:混合电路、多层陶瓷电路,接头,管痤、绝缘子和电容器等。在制作这些产品的过程中通常要求局部镀,有时要求直接镀于陶瓷表面或陶瓷的金属化表面。目前对陶瓷表面和金属化表面的涂敷尚缺乏全面的了解。本文讨论了几种成熟的工艺。对于烧结在陶瓷上的 Mo-Mn、W、Mo、Cu 金属化层采用化学镀 Ni-B 或 Ni-P,能满足电子工业的各种要求。     

氧化铝陶瓷的低温钼金属化研究

采用BaO-Al2O3-SiO2（BAS）微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明：以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。     

透明氧化铝陶瓷金属化与封接实验研究

本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验。结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件。金属化层与陶瓷之间的结合主要来源于金属化层中的玻璃态物质对陶瓷表面良好的润湿性。     

95%Al2O3陶瓷的MoO3体系低温金属化机理研究

本文采用由MoO₃加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO₃还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al₂O₃-SiO₂-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

AlN陶瓷厚膜金属化研究进展

简要论述了AlN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AlN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AlN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。     

混合集成电路de化学镀镍

在陶瓷衬底的金属化图形及其互连上化学镀镍,对生产高可靠、结构坚固、高电路密度的电子设备中,起着重要的作用。金属化陶瓷衬底经化学镀镍后,能满足固体微电子器件的严格设计要求。     

氧化铝陶瓷Mo-Mn金属化探讨

参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题。     

低温共烧陶瓷基板材料学上的进展

本文介绍了玻璃-陶瓷和玻璃 陶瓷两种低温共烧陶瓷（LTOC）基板主要途径上的进展，着重提到氧化物混合物 陶瓷该方法的优点，同时介绍了对LTOC金属化材料的要求、组成和选用，简述了工艺因素和烧结时的界面反应对LTCC电容器、电阻器性能的影响。     

氧化铝基陶瓷Mo-Mn法金属化机理分析及实验研究

本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷（包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷）一些实验研究结果。通过对实验结果的分析和讨论,指出了高纯氧化铝陶瓷金属化配方设计、工艺参数控制等方面应把握的技术要点。实验研究结果对工程中高纯氧化铝陶瓷的金属化和封接工作具有一定的指导作用。     

陶瓷金属化对真空灭弧室可靠性的影响

从陶瓷金属化生产的全过程分析了不同的陶瓷、陶瓷金属化的工艺控制对真空灭弧室性能进行了相应性能的分析,探讨了真空灭弧室用金属化陶瓷绝缘外壳生产和检验应该注意的事项.     

钼金属化的烧结

钼涂层厚度的变化测量表明密度随着烧结时间和温度而增加,在一个给定的热处理的情况下,氧化铝上的涂层密度要比钼上的涂层密度大。我们确信在快速烧结的陶瓷上金属化涂层是由于玻璃从陶瓷中扩散到涂层中去的缘故。     

高性能等静压成型陶瓷与其金属化工艺匹配性的探索

通过对金属化层与陶瓷匹配性的探索,分析其对金属化陶瓷性能指标的影响,确定能与陶瓷良好匹配的金属化生产工艺,使金属化陶瓷的生产合格率高,产品性能指标稳定、可靠。     

AIN陶瓷厚膜金属化研究进展

简要论述了AIN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AIN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂（玻璃结合系；反应结合系；混合结合系）的结合机理，综述了三种主要结合剂以及AIN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。     

高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理研究

通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷存在很大不同,高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时,Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出。在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合。