几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。     

适用于MPEG2标准的二种VLSI模块设计

本文提出了ＭＰＥＧ２视频解码器主要功能模块的专用ＶＬＳＩ结构．其中包括一种新的适用于ＭＰＥＧ２标准的ＩＤＣＴ实现方法，对于８点一维ＩＤＣＴ，只用７个变量乘常系数乘法器和１０个加／减法器，在４个时钟周期内能处理完８点数据；通过合理分配画面存储结构，提出了一种新的流水线的运动补偿预测结构．用ＶＨＤＬ语言进行仿真，并用１．０μｍＣＭＯＳ单元库进行综合，满足ＭＰＥＧ２ＭＰ＠ＭＬ视频解码的实时处理要求     

适用于VLSI的一种并行乘法器结构

本文给出了二进制补码和无符号乘法器的通用表达式。对VLSI乘法器的结构进行了讨论。     

离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。     

二维离散小波变换的VLSI实现

小波变换图像编码获得了比传统DCT变换编码更好的图像质量和更高的压缩比,然而,实时二维小波变换需要大量运算,因此,专用小波变换芯片的设计已成为小波图像编码中的关键技术,文章提出了一种高速的二维小波变换的VLSI结构。根据模块化的设计思想,设计出一组二维小波变换的基本模块。通过将这些模块按变换要求适当组装,完成了多级二维小波变换,编写了相应的VerilogHDL模型,并进行了仿真和逻辑综合。     

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。     

二维正交子波交换的VLSI并行计算

本文提出一个二维离散正交子波交换的ＶＬＳＩ并行结构。该结构将二维输入信号分解成不重叠的若干行组，从而使每组中的所有行被并行处理，而不同组的行的处理、不同级上的计算，以及不同信号的计算可以在此结构上流水线地进行。     

适用于MPEG2标准的IDCT的新VLSI结构

本文提出了一种新的适用于ＭＰＥＧ２标准的ＩＤＣＴＶＬＳＩ结构，并用超高速数据语言进行了仿真。     

二维DWT／IDWT处理器的VLSI设计

在本文中，我们设计了基于多分辨分析，适合于硬件实现的二维ＤＷＴ和ＩＤＷＴ实时系统，采用了ｔｏｐ－ｄｏｗｎ的ＶＬＳＩ设计方法，用硬件描述语言ＶＨＤＬ，在Ｓｙｎｏｐｓｙｓ系统中进行了验证和综合，综合结果表明：系统的规模为７１４０单元面积，对于四层信小波变换，数据处理速度约可达到４Ｍｐｉｘｅｌ／ｓ。     

二维正交子波变换的VLSI并行计算

本文提出一个二维离散正交子波变换的ＶＬＳＩ并行结构，该结构将二维输入信号分解成不重叠的若干行组，从而使每组中的所有行被并行处理，而不同组的行的处理、不同级上的计算，以至不同信号的计算可以在此结构上流水线地进行。     

二维DCT算法及其精简的VLSI设计

采用了快速算法,并通过矩阵的变化,得到了一维离散余弦变换(Discrete Cosine Transform,DCT)的一种快速实现,并由此提出一种精简的超大规模集成电路(Very-large-scale integration,VLSI)设计架构.使用了一维DCT的复用技术,带符号数的乘法器设计等技术,实现了二维DCT算法的精简的VLSI设计.实验结果表明,所设计的二维DCT设计有效,并能够获得非常精简的电路设计.     

面向VLSI版图复用技术的二维层次式压缩算法

面对 VLSI生产工艺的不断更新 ,利用已有的版图 ,迅速获得适应新工艺的新版图 ,已成为市场上实际的需求 .提出的基于约束图的压缩算法 ,是面向全芯片压缩的二维压缩算法 .它采用层次式压缩策略 ,“落叶池”等新的数据结构 ,在压缩过程中放松模块间的连线 ,具有自动加入拐弯的功能 .从两个例子的压缩结果 ,可以看出这是一个实用的新压缩算法     

面向VLSI版图复用技术的二维层次式压缩算法

面对VLSI生产工艺的不断更新,利用已有的版图,迅速获得适应新工艺的新版图,已成为市场上实际的需求.提出的基于约束图的压缩算法,是面向全芯片压缩的二维压缩算法.它采用层次式压缩策略,"落叶池"等新的数据结构,在压缩过程中放松模块间的连线,具有自动加入拐弯的功能.从两个例子的压缩结果,可以看出这是一个实用的新压缩算法.     

基于边界元法的二维VLSI版图电容提取

提出了一种用边界元法计算ＶＬＳＩ版图电容的方法，通过求解二维拉普拉斯方程，直接得到版图中各种类型的电容的值。该方法提取数据准确简单，占用内存少，计算效率高，且有较高的精度。用该方法对几种典型的ＶＬＳＩ版图电容进行提取，均取得较好的结果。     

与双极工艺兼容的离子注入结型场效应晶体管的二维分析

本文在介绍长、短沟JFET沟道中电场的不同以及载流子漂移速度饱和概念的基础上,给出了Wong和Liou通过二维器件模拟程序PISCES分析双极工艺兼容的离子注入长、短沟JFET静态特性的方法和结果。除了分析线性区和饱和区外,他们的模拟还就JFET的过渡区提出了新的见解,给出了短沟JFET几种以前未曾强调的特性:a)在饱和区不会发生夹断;b)在饱和工作区自由载流子漂移速度发生饱和;c)截止区的I～V特性符合幂函数规律。在Wong和Liou的报道中,详细论述了导电沟道形状、电场矢量、电流矢量和电流电压特性的情况。     

适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论．这套技术已成功地应用放“0．8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制，并获得较好芯片成品率．     

适用于VLSI生产的MeV离子注入系统的设计研究

MeV离子注入系统的制造是为了满足VLSI基片加工的需求。本文讨论了机器设计考虑,并对系统和其性能作了评价。