硅的中子嬗变掺杂

早在1951年,Lack-Horowitz就提出核反应可作为半导体材料硅的一种掺杂方法。六十年代初期,Tanenbaum等人进行了实验,指出中子嬗变掺杂(简称NTD)可以得到电阻率均匀的N型硅。然而,由于当时硅材料本身纯度较低,以及一些实验条件的限制,此法未引起人们的注意。直到1973年,才受到重视,并迅速发展,广泛地应用在高阻断电压的可控硅和整流器、辐射探测器、大规模集成电路和硅靶摄像管等元     

瞬态闭锁试验在0.13 μm大规模集成电路中引起的潜在损伤

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种：闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13 μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明：瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。     

瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明:瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。     

用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤

在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨,离子束能量和样品的位置可变,具有各向异性。在加工过程中,样品表面存在一定量的损伤,从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性,但离子能量和刻蚀的方向不可调节,所以也有局限性。     

国外计算机发展特点

近几年来,由于大规模集成电路日趋发展,第四代计算机正处在方兴未艾的发展时期。其特点是集成电路的集成度不断提高,速度越来越快,功耗越来越低,性能价格比越来越高,软件也越来越丰富和完善。这一切又如催化剂一样,促使计算技术得到飞速发展,各种类型的计算机迅速更新换代,产量急剧增加。据统计,近十年内全世界拥有     

PAL读写仪

随着微电子技术的发展,先后出现了各种功能不同的大规模集成电路,这些器件虽然具有功耗低、集成度高、功能强等优点;但它们灵活性差、造价高,使用起来又不方便(必须和中小规模器件配合使用)。使用可编逻辑器件可使系统结构     

离子束微制作

离子束微制作技术对甚大规模集成电路、超大规模集成电路或者未来量子效应器件的制作由于其独特性能而越来越起重要的作用。并且它具有广泛的用途，包括蚀刻、沉积、掺杂、材料合成和改性以及平印术。对于蚀刻，需要具有原子标度的精密度和最低的损伤诱发的技术。本文讨论了低能离子束的重要性及其新蚀刻技术，比如数字蚀刻的特性。     

X、γ音响个人剂量计

X、γ音响个人剂量计是一种个人监测仪,用于从事核工业,辐射研究,放射性同位素应用和放射医学等工作的个人受辐照剂量的监测。目前个人辐射剂量监测常用的方法有胶片法,电离室型个人剂量计法,热释光剂量计法等。胶片法是一种最古老的方法,虽然它佩带方便,但不能即时读数。电离室型个人剂量计虽然佩带方便又能即时读数且能量响应好,但电离室由于要求高绝缘,其漏电问题使稳定性和可靠性难于达到设计要求,而且制造工艺复杂。近年来随着大规模集成电路的发展,电离室与I/f变换器结合成一     

同步辐射光刻均匀性最优控制

在同步辐射光刻光束线和实验站上进行大规模集成电路光刻,其均匀性问题直接影响暴光样品的成品率。利用计算机对暴光均匀性信号进行快速精细在线测量。讨论了光刻光束线在线实时控制系统和它的基本特征。     

从应用看计算机及有关技术的进展与趋向(续)

三、互连技术:总线与网络 如把处理机或计算机间的任何连接泛称为互连,则互连技术涉及的范畴将包括总线,局部网络与大范围网络。图5表示三者互连长度和数据传输率的复盖范围。     

As离子束混合形成硅化钨的卢瑟福背散射分析

本工作用卢瑟福背散射研究了离子束混合方法形成硅化钨的条件。通过对热烧结和离子束混合法的比较,结合X射线衍射分析相结构的结果,指出离子束混合法可降低形成二硅化钨所需的退火温度。观察到氧杂质对形成条件的影响,简单讨论了离子束混合形成硅化物的机理。     

COMPETING REACTIONS OF EXISTING Ni SILICIDE AND Ni OR Si INDUCED BY THERMAL ANNEALING AND MeV Si ION BEAM MIXING

The competing reactions between existing Ni silicides surrounded by Si and Ni were investigated by thermal annealing and MeV Si ion beam mixing. With high energy irradiation, the energy deposition at both interfaces, Ni/Ni silicide and Ni silicide/Si, is equal. Two MeV He~- RBS and TEM were used to obtain the reacted layer composition and epitaxial orientation, respectively. Also glancing angle Co K_a. X-ray diffraction was utilized to identify phase formation. The main results indicate that the existing silicides preferentially react with Ni layer, and that there are pronounced differences of Ni silicide phase transition between thermal annealing and MeV Si ion beam mixing, even though the mixing was performed in radiation enhanced diffusion regime. The results can be explained in term of the heat of silicide formation and surface energy change.     

Ni/Si体系离子束混合及相变研究

注入参量变化引起不同的混合结果,在宽温区中得到Ni_2Si、NiSi、NiSi_2多种化合物相,进而探讨了Xe离子诱导的Ni/Si体系界面原子混合机理及诱发相变的动力学过程。     

Photoluminescence from neodymium silicide thin films formed by MEVVA ion source

Neodymium silicides were synthesized by Nd ion implanted into Si substrates with the aid of a metal vapor vacuum are(MEVVA)ion source.The blender of Nd5Si4 and NdSi2 was formed in a neodymium-implanted silicon thin film during the as-implanted state,but there was only single neodymium silicide compound in the post-annealed state,and the phase changed from NdSi2 to Nd5Si4 with increasing annealing temperature.The blue-violet luminescence excited by ultra-viloet was observed at the room temperature(RT),and the intensity of photoluminescence(PL)increased with increasing the neodymium ion fluence,Moreover,the photoluminescence was closely dependent on the temperature of rapid thermal annealing(RTA),A mechanism of photoluminescence was discussed.     

低温离子束混合形成非晶态Pd_(0.67)B_(0.33)合金

Stritzker和Becker用离于注入法制备了PdB_(1.5)合金,证实它具有超导性。Orsay组曾系统地研究过离子注入Pd_(1-x)B_x系(0≤x≤0.54)的电学性质,表明当B的浓度达到共晶浓度(x=0.27)时,Pd_(1-x)B_x为非晶态;当B的浓度x≥0.40时,样品具有超导性。 离子束混合利用载能离子穿越不同元素薄层和固体原子碰撞,引起原子离位的输运作用,     

离子束混合对铝合金腐蚀行为影响的阳极极化研究

用离子束一次混合、二次混合和氧化处理在LY11硬铝合金基体上形成防护层。在3％NaCl溶液中采用三电极动电位扫描法测定各试样的一次阳极极化和环形极化曲线,比较其自然腐蚀电位、点蚀击穿电位、保护电位、可能点蚀区宽度以及极化电流等电化学参数。发现离子束二次混合形成的富Cr新合金层远优于一次混合或氧化处理的防护层。用RBS分析获得混层合金元素的纵向分布,证明在二次混合情况下,Cr与基体产生了良好的混合。     

离子束混合生成银-黄铜合金混层及其摩擦性能

黄铜是工业上应用十分广泛的一种合金材料,若能改善其表面的摩擦性能,又保持基体原有的强度,将是具有实际意义的。为此,我们用离子束混合技术将银引入黄铜基体,在表面生成了润滑性能良好的银-黄铜合金混层,并对其摩擦性能、强度及与基体的结合力作了对比试验,然后用AES、SIMS、SEM以及光学显微镜对其混合状态和表面形貌作了分析和     

Study of ion beam induced mixing during sputter depth profiling of thin films by LEIS

Ion beam induced mixing during sputter depth profiling was studied for tantalum and lead marker layers in silicon with 5 keV neon by low energy ion scattering spectroscopy (LEIS). The diffusion approximation was used to calculate mixing efficiency values (D/JF_d) from decay length measurements. The mixing efficiency values are shown to be sensitive to the preferential sputtering which takes place during ion bombardment. TRIM simulations for Ta/Si are shown to agree with the experimentally determined value for preferential sputtering. Depth profiling at high temperature is shown to separate some of the interrelated mixing mechanisms of radiation enhanced diffusion (RED) and radiation induced segregation (RIS). For the Ta/Si system the mixing efficiency value is observed to remain constant regardless of the 5 keV inert gas ion beam used for depth profiling.     

航空轴承表面改性的研究

本文介绍了采用离子注入的两种工艺路线(直接注入和离子束混合),对两种航空轴承材料(GCr15和Cr4Mo4V)经过单一元素或多元素组合的注入或混合处理后性能的影响。试验结果表明:两种工艺对两种材料表面改性的效果是相当的,都能大大提高材料表面抗腐蚀性能和耐磨性能。     

强脉冲离子束辐照混合的RBS研究

采用卢瑟福背散射(Rutherford backscattering spectroscopy,RBS)方法对强脉冲离子束辐照Ti/Al、Al/Ti和Ni/Ti三组薄膜/衬底体系所形成的混合层进行了研究.在Ni/Ti组合中形成了厚度比离子射程大得多的、混合度较高的梯度混合层.发现熔融态混合的程度不仅取决于两材料在熔融态的表面张力的差别,而且取决于它们熔点的差异.这两个参量较接近的混合程度较好.