有线电视个人通信

有线电视个人通信＂ＰＣＳｏｖｅｒｃａｂｌｅ＂，ＴＥＬＥＰＨＯＮＹ，Ｊａｎ￥Ｈ．Ｅ．Ｙｏｕｎｇ当美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）在１９９０年发出关于个人通信业务（ＰＣＳ）的征询公告时，很多人认为ＰＣＳ只不过是蜂窝区移动通信系统的另一种形式。实际上，此公告由...     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

Globalstar卫星通信系统星座模拟和全球覆盖率的研究

Ｇｌｏｂａｌｓｔａｒ系统是美国ＬＱＳＳ公司于１９９１年６月向美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）提出的低轨道（ＬＥＯ）卫星通信系统。使用开发工具Ｄｅｌｐｈｉ，通过编程的方法成功地模拟了Ｇｌｏｂａｌｓｔａｒ卫星通信系统的系统动态运行情况，并同时给出了系统运行的全球覆盖率。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

FCC概况

美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）依据１９３４年《通信法》成立,管制美国州际和国际通信、电视、广播。州内通信由州公益事业委员会（ＰＵＣ）管制。ＦＣＣ最高领导层即委员会的组成非常权威,共有５名（１９８２年前是７名）委员,均经总统提名、国会认可,其中一人由总统...     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

会议讯息

２００１年中国国际ＳＵＰＥＲＣＯＭＭ 展览会 在沪举行 由中华人民共和国信息产业部和美国商务部支持,中国邮电器材总公司和美国通信工业协会主办的“２００１年中国国际 ＳＵＰＥＲＣＯＭＭ展览会”（即 ＰＴ／ＳＵＰＥＲＣＯＭＭ ＡＳＩＡ２００１）于２００１年４月２５～２８日在上海光大会展中心举行）。新加坡时报集团是本届展览会的海外组织单位,日通信机械工业会为协办单位。出席开幕仪式的有信息产业部、中国电信、中国联通和中国网通的领导,美国通信工业协会、日本通信机械工业协会和新加坡时报集团的负责人。美国联邦通信委…     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

欧洲计划联合开发8in SOI晶片

欧洲计划联合开发８ｉｎＳＯＩ晶片ＪＥＳＳＩ的＂ＶＬＳＩ用的绝缘晶片上Ｓｉ＂计划瞄准了先进的ＣＭＯＳ用的８ｉｎＳＩＭＯＸ（注入氧分离）晶片制造这一目标。由ＳＯＩＴＥＣ（Ｇｒｅｎｏｂｌｅ，Ｆｒａｎｃｅ）研制的低量ＳＩＭＯＸ工艺将应用于Ｗａｃｋｅｒ化学电子...     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

赛宝电磁兼容研究测试中心(CEMCRTC)

赛宝电磁兼容研究测试中心（ＣＥＭＣＲＴＣ）是中国赛宝（总部）实验室─Ｃｈｉｎａ　ＣＥＰＲＥＩ（Ｈｅａｄｑｕａｒｔｅｒｓ）Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ属下的专业电磁兼容（ＥＭＣ）技术研究测试机构。她已得到ＩＳＯ导则２５认证,获得中国实验室国家认可委员会（ＣＮＡＣＬ）颁发的认可证书。同时她还获得中国电磁兼容认证委员会（ＣＣＥＭＣ）、中国国家进出口商品检验实验室认可委员会（ＣＣＩＢＬＡＣ）、国防校准／测试实验室认可委员会（ＮＤＬＡＣ）等权威机构颁发的认可证书,是我国政府有关部门指定的国家级ＥＭＣ认证检验机构Ｃ…     

消除E10交换机SMM站故障文件超量告警的方法

消除Ｅ１０交换机ＳＭＭ站故障文件超量告警的方法天津市市内电话局申路在ＡＬＣＡＴＥＬ１０００Ｅ１０型ＯＣＢ２８３交换机中，ＳＭＭ站常出现“ＭＡＸＴＨＥＲＥＳＨＯＬＤ－ＯＦＡ”告警，由于ＳＭＭ站是ＯＣＢ２８３交换机的核心，所以我们对其出现的告警十分重视，...     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

在局域网上实现调制解调器的共享

介绍在局域网ＬＡＮ上实现调制解调器共享的方法，同时介绍典型局域网－－ＮＯＶＥＬＬ网中用于实现ＭＯＤＥＭ共享的网络产品异步通信服务器（ＮＡＣＳ）及访问服务器（ＮＡＳ）。     

FLEX编码体制详释

文章对ＦＬＥＸ编码体制作了比较详细的注释，同时讨论了ＦＬＥＸ编码系统的一些要素。主要内容包括ＦＬＥＸ编码系统在整个寻呼系统的地位和ＦＬＥＸ帧结构；ＦＬＥＸ的几个一般参数及ＦＬＥＸ的实现，其中包括与漫游相关的几个参数的讨论，如同播系统标识（ＳＳＩＤ）、网络标识（ＮＩＤ）、帧偏置、最大跨帧数（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｃａｒｒｙ Ｏｎ）和系统信息发送等。     

GSM移动智能业务—CAMEL（下）

４ＣＡＭＥＬ程序４１移动发起的呼叫和前转呼叫（１）移动发起的呼叫移动发起呼叫的基本呼叫状态模型见图２。对于Ａ向Ｂ发起的呼叫简化为“Ｏ（ＡＢ）”。如果Ａ方已激活发起的ＣＡＭＥＬ业务信息（ＯＣＳＩ），则会产生与ｇｓｍＳＣＦ（１）的控制或监视关系。（...