TMS320F2812片内Flash在线烧写技术研究

基于TMS320F2812内部Flash在线烧写技术,提出了一种串口烧写Flash技术.详细论述了烧写技术的实现步骤,给出了关键部分的程序代码.通过对比发现,基于JTAG接口烧写技术常用于调试阶段,而串口烧写技术能够应用于一些特殊场合,并能提高系统的可维护性.     

UEFI计算机系统快速调试方法的实现

针对目前UEFI BIOS计算机系统Flash更新困难、调试速度慢的弊端,文中提出了一种在UEFI下免烧Flash快速调试的方法。该方法在不改变BIOS的写保护跳线的前提下,利用UEFI Recovery思想,使得系统从U盘启动,而U盘中的FVMAIN.FV可以由开发人员根据自己的需求通过编译相应的驱动程序来产生,从而模拟Flash更新的效果,免除了反复烧写Flash的操作。同时在Intel 945G Express Chipset平台架构上对该方法的正确性进行了检测验证。     

基于CCS的DSP片外Flash直接烧写设计

要可靠启动DSP系统中用户代码,关键是Flash正确可靠烧写。提出了一种基于CCS简单、容易理解的直接烧写方法。通过恰当设置COFF代码段,保存运行地址必需的DATA,以在线编程的方式将保存的DATA烧写到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP试验板,对Flash烧写上电加载后,DSP能够正确、稳定的运行。给出了直接烧写方法,操作简便,容易掌握,为DSP系统中Flash的烧写提供了一条有效解决途径。     

基于CCS的DSP片外Flash直接烧写设计

要可靠启动DSP系统中用户代码,关键是Flash正确可靠烧写.提出了一种基于CCS简单、容易理解的直接烧写方法.通过恰当设置COFF代码段,保存运行地址必需的DATA,以在线编程的方式将保存的DATA烧写到外部Flash中.采用TMS320C6711 DSP试验板,对Flash烧写上电加载后,DSP能够正确、稳定的运行.给出了直接烧写方法,操作简便,容易掌握,为DSP系统中Flash的烧写提供了一条有效解决途径.     

TMS320VC55x系列DSP在线烧写方法研究

TMS320VC55x系列DSP是TI公司在TMS320C54x基础上推出的新一代低功耗DSP。由于该系列DSP没有片内Flash,所以程序的加载方法是必须解决的问题。阐述了TMS320VC55x系列DSP的片外Flash在线编程方法,给出了系统的硬件连接方法和烧写程序,并研究了自举引导的实现方法。     

TMS320VC55x系列DSP在线烧写方法研究

TMS320VC55x系列DSP是TI公司在TMS320C54x基础上推出的新一代低功耗DSP.由于该系列DSP没有片内Flash.所以程序的加栽方法是必须解决的问题.阐述了TMS320VC55x系列DSP的片外Flash在线编程方法,给出了系统的硬件连接方法和烧写程序,并研究了自举引导的实现方法.     

TKScope DK10全球率先支持TI DSP全系列快速仿真、烧写

TKScope DK10是广州致远电子有限公司2010年隆重推出的一款高性能综合仿真开发平台，支持DSP和ARM内核的仿真调试，并且支持片内／片外Flash的独立烧写，同时内嵌32路专业逻辑分析仪。     

一种新的基于TMS320C6000 DSP的Flash引导自启动方法

DSP的Flash引导启动已被广泛运用。针对传统方法用两个项目文件分别完成应用程序的调试和程序代码的烧写问题,提出了一种在一个项目文件中去完成应用程序的调试和程序代码的烧写方法。方案中,运用了在上电复位时DSP可以由EMIF引导自动搬移CE1起始地址1 kbyte到地址0x00的思想,解决了存放在Flash中的Bootloader引导程序复制到DSP的内部RAM起始地址去执行的问题,实现了由Bootloader引导程序从Flash中加载应用程序的功能,完成了DSP的Flash引导启动。实验结果表明,所提出的方案可靠、方便。     

基于C6000系列DSP片外flash自启动方法

通过对C6000系列DSP片外hash烧写过程的分析，提出了一种简单且方便可行的数据在线烧写方法。不需要格式转换，也不需要flashburn软件支持，在CCS下就能完成所有工作。实验结果表明，该方法大大简化了烧写过程，并且提高了烧写成功率。     

一种在线烧写Flash的方法研究与实现

本文介绍了一种基于VXI总线，共享存储器的Flash ROM在线烧写方法，阐述了系统的功能，并给出了系统的硬件组成和软件设计。     

VxWorks操作系统中TFFS快速格式化方法的实现

TFFS文件系统为各种FLASH存储器提供块设备接口,是M- System公司为Vxworks操作系统定制实现的.原先的TFFS的格式化在FTL层是按照FLASH的块进行格式化,由于FLASH的块数比较多,故格式化的时间比较长;快速格式化的原理是按照FLASH的片,使用整片擦除函数,提高FTL格式化的速度.测试结果表明...     

一种通用的NAND Flash参数识别方法

介绍了如何从未知参数NAND Flash芯片中,获得相应参数的一种通用方法,从而打破了这个界限,使得没有获得NAND Flash的datasheet的情况下仍然可以使用.     

基于MSP430F149数字语音记录仪设计

介绍了一种基于单片机MSP430F149、语音信号处理DSP芯片D6571E11及大容量闪存进行语音编码压缩存储的数字语音记录系统。采用低功耗单片机及大容量存储器使系统可连续记录14h以上的语音信息,并且可自动存储语音记录起始时间信息,便于用户查阅和管理。     

多通道NAND闪存控制器的硬件实现

本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。     

A 512-kb flash EEPROM embedded in a 32-b microcontroller

A 512-kb flash EEPROM developed for microcontroller applications is reported. Many process and performance constraints associated with the conventional flash EEPROM have been eliminated through the development of a new flash EEPROM cell and new circuit techniques. Design of the 512-kb flash EEPROM, which is programmable for different array sizes, has been evaluated from 256- and 384-kb arrays embedded in new 32-b microcontrollers. The 512-kb flash EEPROM has incorporated the newly developed source-coupled split-gate (SCSG) flash EEPROM cell, Zener-diode controlled programming voltages, internally generated erase voltage, and a new differential sense amplifier. It has eliminated overerase and program disturb problems without relying on tight process controls and on critical operational sequences and timings, such as intelligent erase, intelligent program, and preprogram before erase. A modular approach was used for chip design to minimize development time and for processing technology to achieve high manufacturability and flexibility     

基于STM32的μC/GUI外置spi flash字库研究与实现

为了解决μC/GUI中文字库占用空间大与MCU内部存储空间有限的矛盾,实现μC/GUI对中文更全面完整的支持,对μC/GUI外置汉字字库的实现方法进行研究,提出了将汉字字库存储于外置spi flash芯片的解决方案。首先对汉字存储相关的数据结构进行研究,编写spi flash芯片驱动程序,之后利用PC串口编写软件和串口中断处理函数将字库文件写入到外置flash芯片中。然后在中文字库成功写入flash芯片内部的基础上,对μC/GUI中与字符显示相关的内核函数进行修改,完成对所有显示字符属性的判断,从而实现μC/GUI对外部中文字库的支持。试验结果表明,外置字库中的汉字成功地在液晶屏上显示出来。存储于外置spi flash芯片中的字库能被μC/GUI正常的调用和显示。外置spi flash字库节省了MCU内部有限的存储空间,具有较好的通用性和灵活性。     

A 126.6-mm2 AND-type 512-Mb flash memory with 1.8-Vpower supply

A 512-Mb flash memory, which is applicable to removable flash media of portable equipment such as audio players, has been developed. The chip is fabricated with a 0.18-μm CMOS process on a 126.6-mm² die, and uses a multilevel technique (2 bit/1 cell). The memory cell is AND-type, which is suitable for multilevel operation. This paper reports new techniques adopted in the 512-Mb flash memory. First, techniques for low voltage operation are described. The charge pump, control of pumps, and the reference voltage generator are improved to generate internal voltage stably for multilevel flash memory. Next, a method for reducing total memory cost in the removable flash media is described. A new operation mode named read-modify-write is introduced on the chip. This feature makes the memory system simple, because the controller does not have to track sector-erase information     

A 16 Gb 3-Bit Per Cell (X3) NAND Flash Memory on 56 nm Technology With 8 MB/s Write Rate

A 16 Gb 8-level NAND flash chip on 56 nm CMOS technology has been fabricated and is being reported for the first time. This is the first 3-bit per cell (X3) chip published with all-bitline (ABL) architecture, which doubles the write performance compared with conventional shielded bitline architecture. A new advanced cache program algorithm provides another 15% improvement in write performance. This paper also discusses a technique for resolving the sensing error resulting from cell source line noise, which usually varies with the data pattern. The new architecture and advanced algorithm enable an 8 MB/s write performance that is comparable to previously published 2-bit per cell (4-level) NAND performance. Considering the significant cost reduction compared to 4-level NAND flash based on the same technology, this chip is a strong candidate for many mainstream applications.     

M58LW064D的原理及应用

介绍了ST公司新推出的NOR结构大容量并行FLASH闪速存储器产品M5 8LW0 64D ,它具有体积小、速度快、功耗低、 8位和 16位可选的数据总线、与微处理器MCU接口简单等特点 ,适于在嵌入式系统中使用。主要对该芯片的结构、功能、与C80 5 1F0 2 0的硬件接口电路设计以及对它进行读、编程、擦除等操作的程序设计方法作了进一步介绍     

VxWorks系统下的NVRAM To Flash驱动程序设计

NVRAM(非易失性随机存储器)因其具有读写速度快、数据非易失的特点,常用来存取重要数据。在读写速度要求不高的场合,为降低成本,可用现有的Flash存储器来代替NVRAM,这需要提供NVRAM To Flash驱动。但现有的驱动效率不高,写数据速度太慢,给使用者带来不便。基于Vx-W orks操作系统,提出一种新的NVRAM To Flash驱动程序设计方法,该方法实现了NVRAM的两个接口函数,通过减少擦除Flash次数,提高了数据读写速度。