一个具有启动子功能的酵母DNA自主复制起始区

对乳酸克鲁维酵母（Ｋｌｕｙｖｅｒｏｍｙｃｅｓ ｌａｃｔｉｓ）天然线性双链ＤＮＡ质粒ｐＧＫＬ１中一个有自主复制起始功能的６３８ｂｐ片进行了研究。序列分析结果显示该片段中存在两个高度保守的酵母ＡＣＳ（ＡＲＳｃｏｎｓｅｎｓｕｓ ｓｅｑｕｅｎｃｅ）序和多个ＡＲＳ－ｂｏｘ序列。缺失突变分析表明该片段的自主复制功能与其ＡＣＳ密切相关。并且证实它的两个ＡＣＳ都有功能，可以各自独立发挥作用。据此提出１０ｂｐ序列（     

动脉硬化平滑肌细胞增殖和凋亡及其调节

为阐明动脉粥样硬化（ＡＳ）斑块发展与稳定的内在机制，围绕动脉增生内膜、ＡＳ斑块内平滑肌细胞（ＳＭＣ）增殖和凋亡密切相关的即刻早期基因（ｃ－ｆｏｓ、ｃ－ｊｕｎ、ｃ－ｍｙｃ）和相关基因（ｐ５３、ｂｃｌ－２、ｃ－ｓｉｓ）表达失衡和重调这一中心展开研究，提出血管ＳＭＣ增殖和凋亡是决定ＡＳ斑块发展的关键环节。     

酵母人工染色体载体的改造和修饰

将能在植物中表达的烟草花叶病毒ＣａＭＶ３５Ｓ启动子、ＧＵＳ基因、潮霉素（Ｈｙｇｒｏｍｙｃｉｎ）基因及ＭＯＳ终止子组建到酵母人工染色体（ＹＡＣ）载体，构建了具有能在植物细胞中表达和选择ｐＹＡＶ、ＧＵＳ、ｐＪＳ９７／ｐＪＳ９８－ＨＹ ＹＡＣ载体系体系统和一个标记ＹＡＣ克隆的ｐＵＲ４３－ＨＹ质粒。     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

CASELECTS Carbon Craphite Fibers

ＣＡＳＥＬＥＣＴＳＣａｒｂｏｎＣｒａｐｈｉｔｅＦｉｂｅｒｓ１１９：５０４４６高性能复合材料吸湿膨胀系数的测试方法Ｒｏｍｅｏ，Ｇｉｕｌｉｏ，ｅｔａｌ（Ｄｅｐ．Ａｅｒｏ－ｓｐ．Ｅｎｇ，Ｐｏｌｉｔｅｃ．Ｔｏｒｉｎｏ，１０１２９Ｔｕｒｉｎ，Ｉｔａｌｙ）．Ｊ．...     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

鸡痘病毒282E4株基因组末端非必需区的序列测定与分析

将鸡痘病毒（ｆｏｗｌｐｏｘ ｖｉｒｕｓ，ＦＰＶ）２８２Ｅ４株７．３ｋｂ的ＢａｍＨＩ片段经亚克隆后，获得ｐＵＦａ，ｐＫＳＦｂ，ｐＵＦｃ和ｐＵＦｄ四个重组策粒。采用ＡＢＩ ３７７ＤＮＡ测序仪荧光标记法对上述质粒进行了序列测定，并应用ＤＮＡ ｓｉｓ Ｖ７．０同ＧｅｎＢａｎｋ中已知的ＦＰＶ序列和痘苗病毒的Ｃｏｐｅｎｈａｇｅｎ株的全序列进行同源性比较。     

大豆Kunitz型胰蛋白酶抑制剂基因的克隆及其转基因烟草抗虫性初探

从未成熟的大豆叶中提取总ＲＮＡ，利用ＲＴ－ＰＣＲ方法扩增出大豆Ｋｕｎｉｔｚ型胰蛋白酶抑制剂基因单一目的片段，克隆到ｐＢｌｕｅｓｃｒｉｐｔ ＫＳ（＋）ＳｍａＩ位点上。序列分析表明，该基因与报导的序列高度同源：其核苷酸序列及推论的编码氨基酸序列的同源率分别为９９．５％和９８．２％。由此，构建了大豆Ｋｕｎｉｔｚ型胰蛋白酶抑制剂基因的植物高效表达载体ｐＢｉｎＳＫＴＩ。并采用农杆菌介导的叶盘法转化了烟草，获     

CSF－1R部分基因在大肠杆菌中表达、抗融合蛋白血清制备及丝氨酸／苏氨酸磷酸化的初步研究

鼠巨噬细胞集落刺激因子－１受体（ｍＣＳＦ－１Ｒ）部分序列与质粒ｐＧＥＸ－２Ｔ谷胱苷肽转移酶（ＧＳＴ）融合，融合蛋白ＧＳＴ－ＣＤ－Ｐｓｔ（胞浆区），ＧＳＴ－ＣＴｅｒｍ（Ｃ－末端）和ＧＳＴ－ＫＩ（激酶插入区）成功地在大肠杆菌ＪＭ１０９株表达。初步结果指出：（１）ＧＳＴ－融合蛋白在体外激酶分析中可以作为底物；（２）由ＰＫＡ导致的磷酸化可能具有生理学意义；（３）ｍＣＳＦ－１Ｒ被ＣＫＩＩ磷酸化。３２Ｐ标记ＧＳＴ－ＣＤ－Ｐｓｔ的磷酸氨基酸分析证实，ｍＣＳＦ－１Ｒ的胞浆区丝氨酸上被磷酸化，已制备抗ＧＳＴ－ＣＴｅｒｍ，ＧＳＴ－ＫＩ和ＧＳＴ－ＣＤ－Ｐｓｔ兔抗体。抗血清的筛选通过野生型３２Ｄ－ＣＳＦ－１Ｒ转染子免疫沉淀进行。     

Cs／p—GaAs（100）表面的变角XPS研究

在实验数据的基础上，采用变角ＸＰＳ分析表面层状结构的计算程序，应用了新算法，使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Ｃｓ吸附在清洁ｐ－ＧａＡｓ（１００）表面上的Ｃｓ层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Ｃｓ／ＧａＡｓ达到峰值光电发射时，Ｃｓ覆盖率为０．７１个单层，Ｇａ、Ａｓ弛豫层厚度为２．３个单层，Ｇａ相对．Ａｓ轻微富集。     

共聚物电解质MA—Na2／AA—Na水溶液的粘度特性

对共聚物电解质ＭＡ－Ｎａ２（顺丁烯二酸钠）／ＡＡ－Ｎａ（丙烯酸钠）水溶液ηｓｐ／Ｃ（比浓粘度）与浓度的关系、中性盐及溶液ｐＨ对ηｓｐ／Ｃ的影响进行了研究。结果表明，稀释ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液时，ηｓｐ／Ｃ急剧上升，而稀释含中性盐（ＫＣｌ或ＣａＣｌ２）的ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液体系时（中性盐含量保持０．０１ｍｏｌ／Ｌ），ηｓｐ／Ｃ的变化却不大。添加极少量（〈０．０５％）中性盐，可使ＭＡ－Ｎ     

色散渐减光纤压缩光脉冲

利用色散补偿光纤（ＤＣＦ）及色散位移光纤（ＣＳＦ）压缩重复频率为２．５ＧＨｚ的增益开关量子阱ＤＦＢ半导体激光器出射的光脉冲，将光脉冲由５３．８ｐｓ压缩至２．５ｐｓ，而后利用色散渐减光纤将２．５ｐｓ的光脉冲进一步压缩至０．８３ｐｓ。     

运用一步化体外转录—翻译系统筛查基因突变的新技术

报道了一种筛查基因突变的新技术－ＰＣＲ结合一步化体外转转录－翻译系统。该技术包括：（１）ＰＣＲ扩增靶ＤＮＡ片段，并使ＤＮＡ产物的一端或两端带上Ｔ７Ｔ１序列；（Ｔ１：翻译起始信号，ＣＣＡ ＣＣＡ ＴＧ）；（２）以核的为模板，利用一步化体外转录－翻译系统合成相应肽链；（３）用ＳＤＳ－ＰＡＧＥ及高分辨ｐＨ梯度ＰＡＧＥ（聚丙烯酰胺凝胶电泳）分离分析多肽产物，通过异常电泳图谱而发现基因突变，本文以已知突变的     

文摘

文摘二元系统火工品的燃烧试验（英文）Ｃ９４２８２９６５ＲＵＧＵＮＡＮＡＮＲＡ，ＢＲＯＷＮＭＥ（ＲｈｏｄｅｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＧｒａｈａｍｓｔｏｗｎ，ＺＡＰ）：Ｈ０５１０Ｂ，ＣｏｍｂｕｓｔＳｃｉｅｎｃｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＧＢＲ）９５（ｌ／６）１１...     

抗 SMV 栽培大豆种质资源的 SCAR 标记指纹图谱分析

依据与ＳＭＶ（ＳｏｙｂｅａｎＭｏｓａｉｃＶｉｒｕｓ）抗性基因紧密连锁的共显性ＳＣＡＲ标记ＳＣＷ—０５６６０的序列测定结果，合成了两对ＳＣＡＲ（ＳｅｑｕｅｎｃｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄＡｍｐｌｉｆｉｅｄＲｅ－ｇｉｏｎｓ）标记特异引物，对３０个栽培大豆品种进行了指纹图谱分析。结果表明，较短的片段Ｓ—５６００和Ｓ—０５６６０是抗病品种的特征性条带；而较长的片段Ｓ—５１０００和Ｓ—５１６００是感病品种的特征性条带。Ｓｏｕｔｈｅｒｎ杂交结果表明，这两对引物扩增出的条带具有同源性。     

一种混合优化策略在工步排序中的应用

结合创成式ＣＡＰＰ系统中工步优化问题，介绍了由遗传算法（ＧｅｎｅｔｉｃＡｌｇｏｒｉｔｈｍｓ，ＧＡ）和模拟退火算法（ＳｉｍｕｌａｔｅｄＡｎｎｅａｌｉｎｇＡｌｇｏｒｉｔｈｍｓ，ＳＡ）构成的混合寻优策略。最后以一箱体的工艺规划过程为例，将基于混合寻优策略的工步排序融入以加工中心为主要加工设备的ＣＡＰＰ工艺决策过程。     

国际声学会议信息

１．ＡＳＡ／ＥＡＡＭｅｅｔｉｎｇ─Ｂｅｒｌｉｎ，１９９９１９９９年３月１４—１９日在德国柏林举行美国声学学会（ＡＳＡ）第１３７届学术年会和欧洲声学协会第２届会议的联合会议。会议地点：德国柏林工业大学会议秘书处地址：ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｅｒＴｅｃｈｎｉｓｃｈｅＡｋｕｓｔｉｋＳｉｇｒｉｄＢａｅｒｎｄａｌＥｉｎｓｔｅｉｎｕｆｅｒ２５１０５８７Ｂｅｒｌｉｎ，ＧｅｒｍａｎｙＦａｘ：＋４９３０３１４２５１３５Ｅ－ｍａｉｌ：ｆｏｒｕｍ９９＠ｍａｃｈ．ｕｔ．ｔｕ—ｂｅｒｌｉｎ．ｄｅ２．ＷＥＳＴＰＲＡＣＶＩＩ，２…     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

关于逼近论中的几个问题

设ＣＡ，ＣＢ分别是Ｂａｎａｃｈ空间Ｘ的子集Ａ，Ｂ的Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ中心，ＰＡｘ，ＰＢｘ分别是Ａ，Ｂ对ｘ∈Ｘ的最佳逼近元。本文给出了‖ＣＡ－ＣＢ‖，‖ＰＡｘ－ＰＢｘ‖关于（广义）Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ（拟）距离ｈ（Ａ，Ｂ）的最佳估计式，在空间Ｌ＾ｐ（１〈ｐ〈∞）中肯定回答了文［１］中提出的问题，改进和推广了文［２］中的主要结果。