碳纳米管阴极平板显示器的工艺研究

碳纳米管场致发射显示器是一种新型的真空器件，也是一种具有巨大应用潜力的平板型显示设备。本文详细地介绍了碳纳米管场致发射原理，给出了碳纳米管阴极平板显示器的基本结构和工作原理，对于显示器件的真空封装，碳纳米管阴极装配，控制栅极制作等工艺问题进行了阐述和研究。采用这些技术，已经研制出了碳纳米管阴极场致发射显示器的样品。     

场致发射平板显示器的研究进展

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。     

新型栅极结构的单色三极场发射器件

应用云母板作为栅极基底,结合常规的丝网印刷工艺,制作了改进的栅极结构。采用钙钠平板玻璃作为封装面板,利用碳纳米管作为冷阴极材料,研制了三极结构的单色场致发射显示器件。栅极基底的优良绝缘性能确保了其不易被强电场强度所击穿;改进的栅极层则能够进一步缩短栅极-阴极之间的有效距离,有利于降低栅极的工作电压。该显示器件具有高的显示亮度,良好的栅控能力以及场致发射特性。     

场致发射显示器研究与进展

介绍了受人们普遍关注的新一代平板显示器场致发射显示器研制开发的新进展情况,其中包括Spindt结构、碳纳米管、表面传导、金刚石薄膜、MIM和MISM结构、大面积可印刷低逸出功型等场致发射显示器.分析了每种类型场致发射显示器的优点及存在的问题,并对它们各自发展前景做了介绍.     

三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

高真空场发射三极显示器的制作

三极结构的场致发射显示器是一种新型的真空平板显示装置,高真空的实现与维持是确保显示器件正常工作的必要条件.通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺和玻璃定位片装置,实现了场致发射显示器的高真空平板封装.从器件封装结构、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了工艺改进.综合采用这套技术,已经研发出三极结构的、具有高真空度的碳纳米管阴极场致发射显示器样品.     

三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理，基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题，荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题，在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上，成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

分段圆型碳纳米管阴极结构的三极FED制作

利用钠钙平板玻璃形成阴极板;结合丝网印刷技术在阴极板上制作了分段圆型碳纳米管阴极结构。烧结固化的银浆层用于分别构成矩形底电极和圆型底电极,其良好的导电性能确保阴极电势能够被顺利传导给碳纳米管。对矩形底电极采取了分段条形电极形式,多个分段条形电极整体排列在阴极板表面,形成分段条形电极矩阵,改进的矩形底电极能够有效降低整体显示器的无效电压降;而制作的圆型碳纳米管层和圆型底电极用于提高碳纳米管的场发射性能。结合分段圆型碳纳米管阴极,研制了三极结构的场致发射显示器。该显示器具有良好的场致发射特性和高的图像发光亮度,能够正确显示简单的字符图像,其开启场强为2.16 V/μm。     

大面积碳纳米管冷阴极的制备与研究

针对碳纳米管(CNT)阴极场发射均匀性这一关关键难题，根据CNT场发射理论制备了一种新型碳纳米管阴极印刷浆料，实验表明：质量分数约为20％的纯化CNT与4．2％的导电氧化物粘接材料混合形成的印刷浆料，其阴极具有较佳的发射均匀特性，用丝网印刷技术制作成的大面积(对角线长度大于12．5cm)阴极，再经过快速烧结技术及两步后处理工艺，既能除掉粘接材料又能使CNT很好地与衬底固定，并使碳纳米管部分直立和充分暴露，进一步改善了发射均匀性，该均匀发射的阴极开启场为2．0V／μm在电场强度阴极可望应用于场致发射显示器，液晶显示的背光源、电光源等器件。     

碳纳米管场致发射特性的研究进展

碳纳米管(CNT)具有优良的场致发射特性,是场致发射器件的理想阴极材料。本文介绍了几种碳纳米管阵列的制作方法以及研究碳纳米管场致发射特性的理论和实验进展。     

新型三极碳纳米管场发射器件的研究

采用催化剂高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极。利用优质云母板作为绝缘材料．结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。详细地给出了新型三极碳纳米管场发射器件的制作工艺．对场致发射的机理进行了初步的讨论。采用这种新型的栅极结构．不仅极大地降低了总体器件成本．同时避免了碳纳米管薄膜阴极的损伤．提高了器件的制作成功率。所制作的三极结构平板场发射器件具有良好的场致发射特性和栅极控制能力。     

三极结构场致发射显示器件的制作

利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。     

电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极

本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺.     

碳纳米管场发射显示器研究现状

碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射显示材料之一。本文将概述碳纳米管显示器件常用的制造工艺，并介绍其发射性质研究和在显示器件应用方面近期的进展。     

Electron translocation and field emission in printed CNT film by high-temperature sintering and post-treatment

The main problem of printed carbon nanotube film (CNTF) is that emitters do not have distributed uniformity. CNT was buried in leftover binding materials, which needs to be removed by fitted sintering and post-treatment. A new paste for printed CNTF was developed. Tunneling coefficients of leftover potential barrier were calculated respectively by the numerical method. The electrons translocation results through potential barrier between CNTs in calculated CNTF were tested by an experiment. A novel post-treatment, including high-temperature sintering and mechanical shearing and blowing, was performed to evidently improve the electron translocation and field emission current density of CNTF. Excellent emission prosperities were exhibited: stable current density, distributed uniformity emitters and long lifetime. The treatment of high-temperature sintering and mechanical shearing and blowing, may be an important prerequisite for future field emission display.     

All‐Carbon Nanotube‐Based Flexible Field‐Emission Devices: From Cathode to Anode

The fabrication of a flexible field‐emission device (FED) using single‐walled carbon nanotube (SWNT) network films as the conducting electrodes (anode and cathode) and thin multi‐walled CNT/TEOS hybrid films as the emitters is reported. P‐type doping with gold ions and passivation with tetraethylorthosilicate (TEOS) made the SWNT network film highly conductive and environmentally stable, and hence a good alternative to conventional indium tin oxide electrodes. CNT/TEOS hybrid emitters showed high current density, low turn‐on field, and long‐term emission stability, compared with CNT emitters; these characteristics can be attributed to the TEOS sol, acting both as a protective layer surrounding the nanotube tip, and as an adhesive layer enhancing the nanotube adhesion to the substrate. All‐CNT‐based flexible FEDs fabricated by this approach showed high flexibility in field emission characteristics and extremely bright electron emission patterns.     

应用于LCD的平栅型碳纳米管场致发射显示器背光源的研制

采用磁控溅射、光刻和湿法刻蚀技术制备平栅型场发射阴极阵列,利用电泳将碳纳米管(CNT)发射源沉积在阴极表面,将阴极板和阳极板封接后制成51cm单色平栅型CNT场致发射显示器(CNT-FED),作为背光源模板应用于49 cm液晶显示器(LCD)器件中.场发射测试表明,器件在阳极电压3 500V、栅极电压290 V时,阳极...