用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用，基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性。推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应，在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致。     

基于表面势的多晶硅晶体管漏电流物理模型

提出了一种基于薄层电荷模型、陷阱态密度和表面势的多晶硅薄膜晶体管漏电流物理模型。模型采用非迭代的运算方法, 简单且适用于所有大于平带电压的工作区域。 考虑了包括高斯分布的深能态和指数分布的带尾态在内的陷阱分布形式, 陷阱分布参数的提取通过光电子调制谱方法实现。通过模型与现有实验结果的比较, 得到一致的符合结果。     

沟道层带尾态密度和厚度对a-IGZO薄膜晶体管特性影响的数值仿真

建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor, 简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3·eV-1及以上时,器件电学特性受深陷阱态影...     

非晶硅中的缺陷态光吸收谱

<正> 非晶硅薄膜的光学及电学性质与共电子局域态分布紧密相关。为了改进非晶硅薄膜器件的性质,如太阳能电池、薄膜晶体管等,需要低局域态密度的材料,因而测量并了解局域态的性质十分重要。局域态包括带尾态、缺陷态及亚稳缺陷态。本文着重讨论缺陷态及亚稳缺陷态。     

镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管

提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少。     

用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性.推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应.在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致.     

多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模

讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域--栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.     

多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术

采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明,该技术能有效降低多晶硅薄膜的界面态密度,提高多晶硅薄膜晶体管性能,二次离子质谱分析表明在p-Si/SiO界面有氮原子富积,说明生成了强的Si-N键。     

非晶IGZO薄膜晶体管开启区电流的解析模型

对非晶In-Ga-Zn-Oxide薄膜晶体管,假设能隙中陷阱态密度呈指数分布,给出了解析的电流模型。运用薄层电荷近似的方法推导陷落电荷和自由电荷表达式,并基于此给出了基于表面势的电流表达式。在此电流表达式的基础上,通过泰勒展开,给出了基于阈值电压的电流表达式。基于表面势和基于阈值电压的电流表达式的计算结果与测量数据相比较,符合得很好。     

一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管

提出了一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下,这种结构的ＴＦＴ能有铲抑制关态电流上升的机理。研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ膜层厚度对ＴＦＴ关态电流和开态电流的影响。检测辽种结构ＴＦＴ在暗态和背照射下的静态特性。