NPL改进的光谱响应标准(400nm～20μm)(一)

英国国家物理实验室已建立了两套光谱响应标准。用高量子效率的硅光电二级管建立400～92Onm范围内的光谱响应标准，NPL此标准的传递不确定度为0．1％。用装有半球形反射腔的热释电探测器建立了1～20μm范围内的光谱响应标准，此标准的不确定度小于1．6％。     

实用三碱阴极量子产额的数值计算

利用实用三碱阴极量子产额解析式,通过选择合适参数,首次计算多碱阴极的积分量子产额、平均量子产额和峰值量子产额。1930～1993年期间,在1～4.5eV范围内,LEP阴极积分量子产额最大为0.37;S_(20)阴极平均量子产额和峰值量子产额分别为0.33和0.20。     

温压炸药自由场爆炸空气冲击波的数值模拟研究

基于二次反应理论,采用AUTODYN程序对温压炸药(RDX/AWAL/粘合剂=20/43/25/12)自由场爆炸空气冲击波进行了数值模拟研究.得出结论:在比例距离1～8m/kg1/3内,铝粉后燃反应对超压峰值的贡献约为24％～31％,对正超压区冲量的贡献约为31％～39％,对正超压区持续时间的贡献约为12％ ～95％,...     

硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN多量子阱IED外延片。为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配，引入了AIN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层，在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN多量子阱LED外延材料。在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3．7～4．1V之间，电致发光波长在465～480nm之间，87％的LED管芯的反向漏电流不大于0．1μA，输出光强为18～30mcd。     

用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构,在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大。     

NPL改进的光谱响应标准（400nm—20μm）（上）

英国国家物理实验室已建立了两套光谱响应标准。用高量子效率的硅光电二极管建立４００－９２０ｎｍ范围内的光谱响应标准，ＮＰＬ此标准的传递不确定度为０．１％。用装有半球形反射腔的热释电探测器建立了１－２０μｍ范围内的光谱响应经标准的不确定度小于１．６％。     

腔面镀膜分布反馈量子级联激光器

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果.与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%.通过对比镀膜和未镀膜器件的闻值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1.     

量子点/环氧树脂复合材料的制备及性能

通过自组装技术将十二胺包覆到CdSe量子点表面实现量子点的氨基改性,并以三乙烯四胺为固化剂制备得到CdSe量子点/环氧树脂复合材料,研究了量子点表面氨基改性对复合材料性能的影响。通过高分辨透射电镜表征量子点的分散情况及粒径大小,X射线能谱表征量子点改性前后元素的变化,动态光散射表征量子点团簇在环氧基体中的粒度分布,紫外-可见光谱表征复合材料的透明性,荧光光谱表征复合材料的荧光性能,冲击试验表征量子点改性前后对复合材料的增韧作用。结果表明,氨基改性量子点/环氧树脂复合材料的透明度为原始量子点/环氧树脂复合材料的2倍,荧光强度为原始量子点/环氧树脂复合材料的4倍。当量子点含量为0.5%时,氨基改性量子点/环氧树脂复合材料的冲击强度达7.28 k J/m~2。     

CuInS2/ZnS核壳结构量子点的水相制备与性能研究

因不含Cd、Pb、Te等有毒元素, 且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能, 铜铟硫(CuInS₂)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料, 广泛应用于分析检测和生物成像等领域。本研究采用一种低毒低温的方法快速合成CuInS₂量子点及其ZnS核壳结构量子点, 不仅利用ZnS带隙较宽且表面缺陷少的特点, 弥补了CuInS₂量子点的劣势, 提高了CuInS₂量子点的发光性能; 同时由于低毒性ZnS壳层的包覆, 进一步降低生物毒性。当Cu∶In摩尔比为1∶1时, CuInS₂量子点于530 nm处出现明显的发射峰, 且随着In含量的增加, 发光峰逐渐红移。包覆ZnS壳层后, CuInS₂量子点的发光强度明显增大, 且谱峰明显红移。当Cu∶Zn比为1∶1, 回流时间为45 min时, 合成的CuInS₂/ZnS量子点发光性能最优。该合成方法节省能源、生产效率高、绿色环保, 具有较大的应用前景。     

高磁饱和高导磁率的新型软磁合金1J50Cd

1J50Cd软磁合金主要用作各种类型变压器的铁心。其化学成份为:C≤0.03％,Si≤0.3％,Mn≤0.6％,P和S≤0.02％,Ni50～60％,Mu0～2％,余量为铁。规格为原0.05～0.35mm,宽4～300mm 合金的性能:0.1mm原的1J50Cd合金的静态磁性:μ_(0.002)≥18000高/奥,μ_(0.01)≥30000～40000高/奥,μ_(max)≥150000～