用叉指换能器制作高频声体波换能器的理论研究

从理论上介绍一种利用叉指换能器制作高频声体波换能器的方法，具有结构和工艺简单，声波模式纯度较高，换能损耗较小和容易消除各种反射波影响的特点。     

压电晶体—液体界面上IDT对入射声体波的接收

压电晶体－液体－压电晶体分层结构可用于液体声传感器的研制,两个叉指换能器分别位于两个相向的压电晶体－液体界面上,一个ＩＤＴ向液体中激励声体波,另一个ＩＤＴ接收液体中的声体波。文章通过采用恰当的压电晶体液体界面上的边界条件,研究了ＩＤＴ对声体波的接收,给出了ＩＤＴ的输出电功率与声体波入射角。     

ZnO—SiO2—Si层状结构中叉指换能器的声体波激励研究

当叉指换能器在基片上激励声表面波模式时，同时伴随有声体波的激励。文章根据已有的叉指换能器声体波激励理论，对层状结构ＺｎＯ－ＳｉＯ２－Ｓｉ中叉指换能器的声体波激励进行了研究，通过计算表面有效介电常数εｅｆ（ｓ）的虚部，得到了声体波的激励强度与层状结构参数之间的定量关系。文中所采用的分析方法，适用于其他层状结构中叉指换能器的声体波激励研究     

IDT在压电晶体—液体界面上的声体波激励

压电晶体－液体界面上的叉指换能器（ＩＤＴ）可向液固介质内激励声体波,这一效应可用于液体声传感器的研制。文章通过引入压电晶体－液体界面的界面有效介电常数,研究了ＩＤＴ的声体波激励强弱与晶体取向之间的关系,给出了最强声体波激励时的晶体取向;同时,还分析了ＩＤＴ仅向液体内激励声体波的情形。     

声表面波器件体波效应抑制理论研究

针对声表面波器件中体波效应的影响,介绍了叉指换能器激发声体波的机理。根据声体波在基片上的不同传播方式,提出了不同的抑制方法。对在基片表面传播的声体波,利用声体波与声表面波有不同的能量传播角改变接收叉指换能器的位置来抑制体波效应。对在基片体内传播的声体波,则根据其传播和反射原理确定接收叉指换能器的位置来抑制。结果对声表面波器件的设计和工作性能提高具有指导意义。     

压电晶体-液体界面上IDT对入射声体波的接收

压电晶体－液体－压电晶体分层结构可用于液体声传感器的研制,两个叉指换能器（ＩＤＴ）分别位于两个相向的压电晶体－液体界面上,一个ＩＤＴ向液体中激励声体波,另一个ＩＤＴ接收液体中的声体波。文章通过采用恰当的压电晶体－液体界面上的边界条件,研究了ＩＤＴ对声体波的接收,给出了ＩＤＴ的输出电功率与声体波入射角、晶体取向之间的关系曲线;此外,还探讨了负载对ＩＤＴ电输出的影响。文章所得结果,为研制液体声传感器奠定了理论基础。     

一种采用IDT技术的新型微量液体密度传感器

新型微量液体密度传感器采用压电基片-液体层-压电基片结构。两个叉指换能器(IDT)分别位于压电基片-液体层-压电基片的两个液固界面上,压电基片保持平行且两个IDT处于相对的位置。一定条件之下第一个IDT在射频脉冲的激励下可只向液体层中辐射出高频超声脉冲,该超声脉冲在液体层中来回反射。液体层中来回反射的超声脉冲每次入射到起接收作用的第二个IDT上均有一个电脉冲信号输出。液体层密度值可用超声脉冲在液体层内来回传播一次的声时变化予以表征。通过测量第二个IDT输出的前两个电脉冲信号之间的时间间隔变化,即可得到相应的液体密度值。实验结果表明,采用压电基片-液体层-压电基片结构的微量液体密度传感器的敏感程度至少可达10-5g.cm-3/ns量级。     

叉指换能在基片内激励声体波的角谱研究

叉指换能在一定频率的电信号激励下，除沿基片表面激励声表面波外，还将向基片内部激励声体波。文章对叉指换能器在不同切型基片内激励声体波的角谱（能量分布）进行了研究，所得结果在研制声学传感器、声表面波器件时具有重要意义。     

声表面波器件叉指换能器的制作技术

声表面波器件的制造关键在于如何制作叉指换能器，特别对于GHz频率以上的器件,亚微米线宽如何控制是声表器件能否制作成功的关键。本文提供了其制作工艺流程及要点。     

IDT在YZ—LiNbO3基片上的体声波激励研究

具有广泛应用前景的声板波液体密度传感器采用了叉指换能器（ＩＤＴ）在基片上的体声波（ＢＡＷ）激励效应．文章针对常见的ＹＺ－ＬｉＮｂＯ３基片，研究ＩＤＴ激励ＢＡＷ的响应与激励频率之间的关系。压电基片表面的ＩＤＴ激励的ＢＡＷ在基片内来回反射，选择恰当的ＩＤＴ激励频率，可得到极大的ＢＡＷ响应。实验结果和理论分析表明，ＢＡＷ的极大响应与发射接收ＩＤＴ的间距、基片厚度和激励频率有确定关系。     

高次谐波声体波谐振器

简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。     

声表面波叉指换能器的一种新设计方案

采用时域上对脉冲响应直接奇偶分解与校正函数相结合的方法设计叉指换能器.并利用几何刻图数据计算理论频响.理论和实验证明,该方法对频响能进行精细调整.所计算的频响比用常规方法计算的精度高,与实验值吻合更好.可用于各种带宽的滤波器设计.     

声表面波延迟线

声表面波延迟线是在雷达和通信系统中应用非常广泛的器件.文中结合实用声表面波延迟线器件的设计实例,介绍了折叠式固定延迟线结构原理和设计计算,克服了传统延迟线受基片材料长度和器件尺寸的限制,满足了雷达、通信等电子设备中对电信号的长延迟需求;同时还讨论了为满足超高频的应用需求和增加相对带宽,所采用的谐波和倒相换能器的设计方法.     

体声波谐振式日盲紫外光传感器研究北大核心

提出了一种并联体声波谐振器(BAWR)与Ga_(2)O_(3)基MSM紫外传感器的新型高灵敏度传感器结构,即体声波谐振式日盲紫外光传感器(BAWR-UV Sensor)。设计并制备了MSM Ga_(2)O_(3)紫外传感器和BAWR传感器,将实测的光、暗S参数在仿真软件中封装为S1P数据模型代替MSM等效电路,用MBVD模型代替BAWR等效电路,通过并联两种结构建立了BAWR-UV仿真模型;采用ADS软件仿真了BAWR核心参数对BAWR-UV传感器灵敏度的影响,研究了提高灵敏度的设计方案。仿真结果表明,在0.5~4.5 GHz频率范围内,BAWR-UV的并联Q值越大,阻抗灵敏度越高,同时阻抗灵敏度随频率降低而增大,在并联谐振频率f_(p)=0.533 GHz时获得最佳阻抗灵敏度为100 kΩ/(μW/mm^(2));频率灵敏度随频率的升高而增大,在f_(p)=4.5 GHz时获得最佳频率灵敏度为1.4 MHz/(μW/mm^(2))。最后,开展了高灵敏度日盲紫外传感器的探索。     

新型高压脉冲体声波延迟线的设计

该文通过对换能器和延迟介质的优化设计,实现了一种新型高压脉冲体声波延迟线的研制。相比传统的声波延迟线,设计的延迟线具有高脉冲耐压性能,耐压高达2 kV;同时,其延迟线插损小,输出功率较大（瞬态可达2 W）,可充当新型无源功率MOS管驱动器,无需额外能量供给。试验表明设计的延迟线在大电流放电干扰情况下具有高延迟稳定性。