Gd2O2S:Tb闪烁陶瓷的制备与结构:水浴合成中H2SO4/Gd2O3摩尔比的影响(英文)

Gd₂O₂S:Tb闪烁陶瓷以其明亮的绿色发光、高能量转换效率和高中子俘获截面而广泛应用于中子成像和工业无损检测等领域,但Gd₂O₂S:Tb陶瓷中存在的Gd₂O₃第二相影响其闪烁性能。本工作以H₂SO₄和Gd₂O₃为原料,采用水浴法合成Gd₂O₂S:Tb前驱体,研究了H₂SO₄与Gd₂O₃的摩尔比(n)对前驱体和Gd₂O₂S:Tb粉体性能的影响。前驱体的化学组成随n增大而变化：2Gd₂O₃·Gd₂(SO₄)₃·x H₂O(n<2.00)、Gd₂     

铈掺杂黄色荧光粉（LuGd）2CaMg2Si3O12的发光性能研究

在还原气氛下采用高温固相法合成了钇铝石榴石结构的荧光粉Lu2CaMg2Si3O12∶R(Ce3+,Gd3+),其中Gd3+的浓度变化为1~5 mol%。利用X射线衍射仪对其物相进行分析,结果显示:Ce3+的掺入使晶相结构不稳定,出现了少量杂相,而掺入少量Gd3+时,晶相结构不再变化。利用荧光光谱仪对其光学性能进行研究,结果发现随着Ce的浓度增大,发光强度先增大后减小且同时伴随着少许的发光红移,在2 mol%出现浓度淬灭;Gd的掺入对红移的贡献比较明显,最大波长从561 nm(1%Gd)→568 nm(5%Gd),同时也发现发光强度有明显的下降。这种荧光粉的激发波长在465 nm左右,与蓝光LED芯片的发射中心相吻合,而且发射峰明显比YAG要长,所以这种荧光粉能很好的补充YAG的显色性。     

稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷的研究进展

稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷是20世纪80年代以后发展的硫氧化物闪烁体.高密度和高热中子吸收截面的Gd2O2S基质具有高的X射线和热中子阻止能力,稀土离子(Pr3+、Tb3+等)的掺杂使其表现出快衰减或高光产额等特性,在闪烁领域的应用中占据着重要地位.硫氧化合物的组分控制一直是其合成过程中需要解决的关键问题,Gd2...     

Ce~(3+),Eu~(3+)共掺Lu_3Al_5O_(12)多晶的发光特性及能量传递研究

利用高温固相反应制备了Ce3+、Eu3+共掺杂的(Ce0.01EuxLu0.99-x)3Al5O12(x=0.02%、0.5%、1%、2%)多晶粉末,并对其结构和光谱学特性,特别是Ce3+向Eu3+的能量传递问题进行了研究。X射线衍射结果显示,所制备样品具有单一的石榴石结构。利用X射线激发发射谱和光致激发发射谱研究了Eu3+掺入浓度对发光中心Ce3+和Eu3+离子发光特性的影响以及Ce3+向Eu3+的能量传递。样品的热释光谱进一步证明Ce3+向Eu3+的能量传递及其与Eu3+浓度之间的变化关系。     

(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体的合成及光致发光研究

以Gd2O3、Pr6O11和H2SO4为原料,通过H2还原法合成不同浓度Pr3 离子掺杂的(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体.利用DTA-TG-DTG、FT-IR 、XRD、SEM、光致发光(PL)光谱等测试手段对合惩的粉体进行了表征.研究表明,将Gd2O3和Pr6O11与稀H2SO4在100℃加热搅拌,制备出2Gd2O3·(Gd1-x,Prx)2(SO4)3·12H2O前躯体.前驱体在750℃煅烧2h可获得(Gd1-x,Prx)2O2SO4粉体,该粉体在H2气氛下750℃还原1h可以转化为具有疏松和多孔蜂窝状结构的单相(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体.(Gd1-x,Prx)2O2S粉体在307nm的紫外光激发下呈现绿光发射,主发射峰位于511nm,归属于Pr3 离子的3P0-3H4跃迁.发光强度随Pr3 离子浓度的变化而变化,当Pr3 离子的摩尔分数为1.000%时,粉体具有最高的发光强度.     

喷雾热解法制备PDP用(Y,Gd)BO3:Eu球形荧光粉

为了得到无团聚的球形荧光粉颗粒以提高其物理和光学性能,以尿素为前驱体溶液中的添加剂,合成了等离子显示用(Y,Gd)BO3:Eu红色荧光粉.在喷雾热解过程中,通过前驱体溶液的性质来控制颗粒形貌,改善荧光粉的光学性能.获得的结果表明,前驱体溶液中加入尿素成分,能够影响颗粒形成过程、改善颗粒表面状态,从而可以促使最终产物具有良好的形貌和优异的发光强度.     

微波在纳米稀土发光材料制备中的应用

采用微波合成系统制备了(Y,Gd)BO3:Eu3 红色纳米荧光粉,该粉体与常规的溶胶-凝胶法制备的同体系粉体相比较,具有颗粒细小、分散均匀、发光效率高等优点.此外,该制备方法简单,合成简便,易于操作,制备的荧光粉产品纯度高、产量大.     

溶胶-凝胶法合成Y_3Al_5O_(12):Ce~(3 ),Tb~(3 )稀土荧光粉的研究

采用溶胶－凝胶法在低温下合成了 Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：０．０８Ｃｅ３＋; ０．１２Ｔｂ３＋稀土荧光粉．通过 Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析及激发、发射光谱测试结果表明：合成的粉末为ＹＡＧ晶体结构,粉体 的最大激发峰为２７３ｎｍ,最大发射峰为５４５ｎｍ,色坐标为：ｘ＝０．３３１;ｙ＝０．５５８,在２７３ｎｍ的紫 外光激发下发出明亮的绿光．     

红色蓄光材料Y2O2S:Eu3+的硫熔法制备及其发光性能

用硫熔法制备了系列红色蓄光材料Y2O2S ：Eux^3＋（0．01≤x≤0．10）的多晶粉末样品并系统研究了其发光特性。XRD结果表明,晶胞参数c随着Eu^3＋含量的逐渐增大而增大,而晶胞参数α没有明显的线性变化关系,这与Y2O2S ：Eu^3＋的晶体结构有关。Y2O2S ：Eux^3＋（0．01≤x≤0．10）的激发光谱相似,在626nm发射光监控下最大激发波长约在330nm附近。在330nm激发下,随着Eu^3＋含量逐渐增大,发射光谱最强发射峰位置从540nm右移至626nm,观察到红色特征发射峰626nm的强度逐渐增大,在Eu^3＋含量为0．09时,其强度达到最大。在最佳合成条件及最佳Eu^3＋含量下,正在进行掺杂Mg^2＋和Ti^4＋及其发光特性的研究。     

热等静压烧结制备细晶粒Ce,Y:SrHfO3闪烁陶瓷

Ce:SrHfO₃陶瓷因具有高密度和高有效原子序数, 对高能射线具有很强的阻止能力。同时, Ce:SrHfO₃陶瓷还具有快衰减和高能量分辨率等优异的闪烁性能, 引起了研究人员的广泛关注。由于传统的烧结方法难以实现非立方结构Ce:SrHfO₃陶瓷的透明化, 本研究采用真空长时烧结和短时真空预烧结合热等静压烧结(Hot Isostatic Pressing, HIP)方法制备Ce,Y:SrHfO₃陶瓷。以金属氧化物和碳酸盐为原料, 1200 ℃下煅烧8 h可以获得平均粒径为152 nm的纯相Ce,Y:SrHfO₃粉体。1800 ℃真空烧结20 h获得平均晶粒尺寸为28.6 μm的不透明的Ce,Y:SrHfO₃陶瓷, 而两步烧结法可以制备光学透过率良好的Ce,Y:SrHfO₃陶瓷。本研究详细分析了陶瓷致密化过程中微结构的演变, 探究了预烧结温度对Ce,Y:SrHfO₃陶瓷密度、显微结构和光学透过率的影响。真空预烧(1500 ℃×2 h)结合HIP后处理(1800 ℃×3 h, 200 MPa Ar)所获得的Ce,Y:SrHfO₃陶瓷在800 nm处的最高直线透过率为21.6%, 平均晶粒尺寸仅为3.4 μm。在X射线激发下, Ce,Y:SrHfO₃陶瓷在400 nm处产生Ce³⁺ 5d-4f发射峰, 其XEL积分强度比商用锗酸铋(BGO)晶体高3.3倍, Ce,Y:SrHfO₃陶瓷在1 μs门宽下的光产额约为3700 ph/MeV。良好的光学和闪烁性能可以拓宽Ce,Y:SrHfO₃陶瓷在闪烁探测领域的应用。     

复合沉淀法制备(Y,Gd)2O3:Eu纳米粉体及其发光性能

报道了一种采用氨水和碳酸氢铵的混合溶液作为复合沉淀剂来制备(Y，Gd)203：Eu发光粉体的新工艺，采用热分析(TG-DTA)、红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对粉体制备过程中的物理化学变化进行了研究．通过X射线激发的发射光谱研究了Eu掺杂浓度和煅烧温度对(Y，Gd)2O3：Eu粉体发光性能的影响．结果表明采用复合沉淀法制备工艺，经过850℃烧2h，可以得到晶粒尺寸为50nm左右，且基本无团聚的(Y，Gd)2O3：Eu粉体，比表面积为23m^2／g，其X射线激发的发光强度较草酸盐沉淀法所得到的相同组分的粉体大大增强．     

CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2-P_2O_5-F系微晶玻璃初晶相Ca_5(PO_4)_3F析晶过程的研究

本文应用透射电镜:选区电子衍射和微区成份分析并结合扫描电镜形貌观察,深入研究了 CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2-P_2O_5-F 系可切削生物微晶玻璃初晶相 Ca_5(PO_4)_3F 的析晶机理。研究表明,玻璃首先发生二液分离,形成了能够析出初晶相 Ca_5(PO_4)_3F 晶体的富 P~(5+)、Ca~(2+)、Mg~(2+)、Ti~(4+)的液滴相。在进一步的热处理中,液滴相发生整体核化,并逐步形成由大量细小晶粒镶嵌生长构成的球形 Ca_5(PO_4)_3F 聚集体。随着热处理温度的提高,这些球形 Ca_5(PO_4)_3F 聚集体逐渐转变为广泛分布于微晶玻璃另一主晶相氟金云母中的六方短柱状 Ca_5(PO_4)_3F 微小晶体。     

Bi_2O_3-SiO_2系统的相关系和析晶行为的研究进展

本文介绍了Bi2O3－SiO2系统的研究进展．首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi4Si3O12和Bi2SiO5的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Bi2SiO5将成为一种有前途的新功能晶体．     

The relationship between photoluminescence quenching concentrations and excitation wavelengths in (Gd,Y)BO3:Tb

The quenching concentrations of ⁵D₄-⁷F₆ emission of Tb³⁺ in (Gd,Y)BO₃:Tb under 130-290 nm excitation were systematically investigated. The results revealed that its quenching concentrations of luminescence excited at particular wavelengths are dependent on corresponding excitation bands. Resulting in a calculation of coupling interaction, it was found that the quenching concentrations at excitation regions due to electrostatic interaction are often small while those corresponding to exchange interaction are usually larger (> 10%). Moreover, the quenching concentrations are also influenced significantly by luminescence sensitization of Gd³⁺ and Y³⁺ ions. Based on these results, a possible photoluminescence quenching mechanism was proposed.     

Progress in solvent-free dry-film technology for batteries and supercapacitors

Solvent-free dry-film technology has attracted wide attention due to its ability to avoid pollution/waste caused by poisonous organic solvents, as well as its advantage for energy density enhancement, electrochemical performance improvement and electrode–electrolyte interface compatibility. However, a summary of the research advancements and technology development in this field is still missing. To fill this gap, a complete overview of the technical advantages, development process, principal mechanisms and application fields of solvent-free dry film technology is presented here. Firstly, the history of solvent-free dry-film technology is introduced, followed by detailed discussions on different types of dry-film making methods. Moreover, powder spray and binder fibrillation are emphasized as key methods due to their low-cost mass-production capability, with an elaboration on the associated preparation process including principle, procedure, and parameters. Both patents from the industry and research papers from the academy of the aforementioned two methods are analyzed/summarized for complete information, whose technical advantages are found to be suitable for all solid-state batteries (ASSBs). Based on the insights obtained above, perspectives are given for promoting future development of solvent-free dry-film technology.