低功耗小功型率MOSFET为便携式设备服务

瑞萨电子近日宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管产品,理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有低功耗（低导通电阻）,新器件包括20V（VDSS）／μPA2600和30V／μPA2601,配置了超紧凑型2mm×2mm封装,从而具有提升的功率效率并实现了小型移动器件封装尺寸的小型化。     

意法半导体最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效

意法半导体最新推出的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC—DCconverters）转换解决方案。     

意法半导体推出业界首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET

横跨多重电子应用领域的半导体供应商意法半导体推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高压脉冲环境中,650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻[RDS(ON)]极低,分别为0.032和0.049,结合紧凑的TO-247封装,可提高系统能效和功率密度。新产品的市场领先的性能归功于     

恩智浦展示首款功能性CortexTM-MO硅芯片

意法半导体推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管。导通电阻仅为2mΩ（最大值）,新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。     

便携式设备超紧凑型电源管理解决方案

恩智浦推出采用DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装，     

智能功率场效应管MLD1N06CL的特性和应用

MOSFET的开关性能优于双极型晶体管,因此在功率电子开关的应用场合几乎都由功率MOSFET来担任。例如,开关电源、逆变器、变频器、负载开关、直流固态继电器中的开关器件几乎都采用了功率MOSFET。近年来,随着科学技术及半导体工艺技术的发展,功率MOSFET也不断地改进,提高了性能。其主要表现在两个方面:一方面是其导通电阻R_(DS(on))不断地下降,由过去的几百mΩ下降到几十mΩ,目前已可做出导通电阻仅mΩ的新产品来,使功率MOSFET的功率损耗不断地减小,提高了效率,并简化了散热装     

罗姆全球首次实现SiC—SBD-bSiC—MOSFET的一体化封装

日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Siliconcarbide：碳化硅）MOSFET”SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。     

恩智浦推出超紧凑型电源管理解决方案

8月15日,恩智浦半导体宣布推出采用DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)无铅塑料封装占位面积仅有2×2     

探讨采用绿色和非绿色模塑料封装的功率MOSFET器件之性能

绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能。本文中通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料（EMC）封装的功率晶体管的性能进行了评测。实验表明,绿色器件的电气和物理性能都优于非绿色器件。     

大功率MOSFET管在调频电视全固态发射机中的应用

调频电视发射机的高频功率放大器。以前多采用电子管作为高频功放的电子器件，大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应）管只是近几年才被用于高频功率放大器。近年来，由于全固态调频发射机已成为目前市场的主导机型。MOSFET管已成为全固态调频发射机高频功率放大器的关键器件．因此，详细了解掌握MOSFET管的特性，对于全固态调频发射机的使用和维护保养．     

ST在小封装内集成智能车身电子控制元件

正意法半导体进一步扩大汽车级微控制器产品阵容,新推出两款极具价格竞争力、封装尺寸精巧的微控制器。20MIPS的处理性能和专门为车身控制模块和驾乘舒适性优化的外设接口是新产品的主要特色。基于意法半导体的高能效24MHz STM8A8位处理器内核,新产品STM8AF6223和STM8AF6226集成通信     

功率MOS管在半导体致冷技术中的应用

针对半导体致冷技术中可控硅电流换向器存在的问题，提出了利用新型现代电子器件功率场效应晶体管（MOSFET）实现H型功率开关电流换向器的方案，并给出了具体的电路图。     

ST推出最新冷却旁路二极管

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）推出用于太阳能模块的新一代高能效的冷却旁路开关（CoolBypass Switch）系列。新产品可进一步提高太阳能发电效率并降低再生能源发电的每瓦成本。业内最小的尺寸使其可直接集成到太阳能模块内,从而降低太阳能发电系统的复杂性和安装成本。意法半导体的冷却旁路二极管在一个封装内集成高效的功率开关和智能控制电路,可补偿太阳能光电板上热斑（hotspots）和阴影变化对太阳能面板的不良影响。当采用普通旁路二极管时,太阳能发电系统通常会出现电能损耗,而意法半导体的新旁通开关可使能耗降低1％。意法半导体的新一代的冷却旁路二极管采用新的开关技术和控制方法,可最大限度降低开关在各种工作模式下的能耗,集成的功率开关在关断时泄漏电流极小,开启时电压降极低。此外,电能损耗降低导致典型工作温度降低,从而提高了太阳能面板的可靠性和使用寿命,采用这种旁路开关的太阳能发电设备的使用寿命可长达25年。     

飞兆半导体推出锂离子电池组保护设计解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计，具有N沟道共漏极MOSFET特性，能够实现电流的双向流动。     

功率MOSFET的基本知识

自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅10mΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如 Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。     

ST量产采用塑料封装的MEMS麦克风

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）已量产采用塑料封装的MEMS麦克风。从手机和平板电脑到噪声计和消噪耳机,在消费电子和专业级语音输入应用中,意法半导体首创专利技术可节省MEMS麦克风的占板空间并延长其使用寿命耐用性。     

Vishay Siliconix推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN通道功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190VN通道功率MOSFET——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0．75mm的超薄厚度。SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED（OLED）背光。     

意法半导体采用塑料封装的MEMS麦克风

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球第一大消费电子和便携设备MEMS供应商意法半导体（STMicroelectronics,简称ST,纽约证券交易所代码：STM）是全球第一家量产采用塑料封装的MEMS麦克风的半导体公司。从手机和平板电脑到噪声计（noise-levelmeter）和消噪耳机（noise—cancelling headphone）,在消费电子和专业级语音输入应用中,意法半导体首创专利技术可节省MEMS麦克风的占板空间并延长其使用寿命耐用性。     

ST推出小工作电流的节能型电压比较器

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）推出一款用途广泛的电压比较器。在-40-＋125℃的工作温度范围内,新款比较器的响应时间特性十分稳定,并提供出色的ESD（静电放电）防护功能。新款比较器集成1个开放式输出（open-drainoutput）和1．6-5V的轨对轨输入（rail-to-railinput）,有助于实现更高的设计灵活性,开发人员可把意法半导体的比较器设计到1．8V、3V和5V系统内。     

恩智浦提供齐全的汽车认证双通道Power-S08MoSFET

恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V．）发布LF-PAK56D产品组合——多款双通道Power-S08MOS-FET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有一流的性能和可靠性。LFPAK56D在单一封装内集成了两个完全独立的MOSFET，旨在满足苛刻的汽车工业要求。该产品具有极宽的RDSon数值，横跨5个电压等级，具有极佳的性能、电流处理能力和可靠性。该全新的双通道Power-S08MOSFET系列产品为客户挑选最契合应用和模块需求的器件提供了完全的灵活性与最大限度的自由，同时还实现了更高的功率密度。在设计中采用LFPAK56D可简化PCB的装配和检测并缩小模块尺寸，以达到降低成本的目的。