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利用自行设计的宽量程高低温复合灯照试验箱,首次检测分析了用高温固相法自制的及市售优质SrAl2O4:Eu:Dy荧光粉体的低温余辉特性。研究结果表明,以SrAl2O4:Eu:Dy为代表的铝酸盐基长余辉发光材料存在223K左右的低温荧光“猝灭”现象,不同来源的同类材料“猝灭”阈值温度有所差异;SrAl2O4:Eu:Dy低温余辉特性的一般规律为随温度降低,余辉亮度衰减加快,但衰减曲线仍同室温下一样由快衰减陡降区和慢衰减平台区两部分构成,273K时平台余辉亮度只有室温下的约1/2,而253K时仅余1/3左右。理论分析认为造成余辉性能低温变差的原因在于,热扰动源减弱使得捕获于陷阱中的受激电子被热激释放出来的几率降低,从而导致辐射退激发电子数的减少,余辉亮度降低。 相似文献
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采用水热-均匀沉淀法,以尿素为沉淀剂,在聚四氟乙烯低温反应釜中160℃水热,在较低的煅烧温度下制备了亚微米级长余辉发光材料Sr0.97Al2O4∶Eu0.01,Dy0.02。XRD结果表明,在1000℃煅烧4h能得到单相的SrAl2O4∶Eu,Dy,SEM测试显示SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+发光材料为球状形貌,粒径大小约为200~500nm,激发和发射光谱结果表明,随着煅烧温度升高,SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+的发光强度也随之增强,其激发光谱峰值位于360nm,发射光谱峰值位于513nm,SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+在1100℃煅烧后的余辉衰减时间比1000℃煅烧后显著提高,其热释光谱峰值在80~90℃。 相似文献
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本文介绍了一种用于测量长余辉荧光材料荧光亮度的装置,对于长余辉荧光材料的余辉亮度的测量方法进行了研究,并分析了测量中的不确定度因素。 相似文献
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刘金元 《现代测量与实验室管理》2006,14(3):19-20,30
本文介绍了一种用于测量长余辉荧光材料荧光亮度的装置,对于长余辉荧光材料的余辉亮度的测量方法进行了研究,并分析了测量中的不确定度因素. 相似文献
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燃烧法合成长余辉发光材料SrAl2O4:Eu2+,Dy3+ 总被引:6,自引:0,他引:6
以尿素和硝酸盐溶液为反应介质,在600℃下用燃烧法一次合成出了Eu2+,Dy3+掺杂的铝酸锶(SrAl2O4)磷光体。用SEM、XRD研究了产物的形态、粒度和物相组成,用荧光分光光度计测定了产物的发光性能。结果表明,合成产物的晶体结构属于单斜晶系结构,在520nm处有很强的发射峰,它的激发光谱是激发峰峰值290nm的宽带激发。产物的形貌呈疏松多孔状,晶粒形状为针状,长度有200nm左右,直径在80nm以下。文中还探讨了该材料发光性能的影响因素。 相似文献
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SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光粉体的长余辉特性研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300t450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能级,其深度分别为0.38和1.34eV. 相似文献
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首次研究了Ho3+掺杂对SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+发光性能的影响。采用燃烧合成方法,在600℃条件下,合成Ho3+掺杂的SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+新型长余辉光致发光材料。X射线衍射分析结果表明,合成的样品为单相SrAl2O4单斜晶系磷石英结构。光致发光光谱测量显示,合成样品的发射光谱是连续宽带谱,峰值位于510nm左右,激发光谱是单峰且峰值位于356nm的连续宽带谱。利用单光子计数系统测量了材料的余辉衰减曲线,结果显示Ho3+的适量掺杂可以明显提高铝酸锶的初始发光亮度。当Ho3+的掺入摩尔比例为0.005时,初始亮度是不掺杂Ho3+时的两倍多。对初始亮度增强的机理做了初步的探讨。 相似文献
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燃烧-发泡法制备不球磨SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉粉体材料 总被引:2,自引:0,他引:2
向体系内添加分散剂、燃烧剂、发泡剂和矿化剂,于低温下进行燃烧-发泡反应,一步制备了不球磨的SrAl2O4Eu2+,Dy3+长余辉粉体材料.XRD分析表明,相纯度较高,晶粒尺寸为约35.2nm.FS结果显示,产品有371.8nm、398.6nm、410.0nm和420.4nm 4个主要激发峰,发射峰位于517.2nm,余辉时间达数小时.该方法具有反应时间短,合成温度低,产物发光亮度好,不用球磨就能得到粉体的优点. 相似文献
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通过高温烧结和电子束还原法制备了SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光材料,并利用球磨获得了SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光粉。通过把发光粉与环氧树脂混合制备了含有SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光粉的夜光胶,利用丝网印刷涂敷技术及热处理在石英玻璃上涂敷了厚度为1000 nm量级的SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光膜。通过小球下落冲击法和一套自制的基于一个雪崩二极管和皮安表的测试装置研究了这种长余辉发光膜的力致发光特性。研究发现,电子束还原法制备的SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光膜具有很好的力致发光特性,具有高达1.25的信背比和很高的信噪比。力致发光强度与小球下落前的初始高度即冲击发生前小球的动能成指数关系,光谱特性及衰减特性与长余辉发光相似。上述结果表明,力致发光是小球冲击能传递给电子并引起电子进入陷阱能级然后释放引起的。 相似文献
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纳米Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的长余辉发光行为 总被引:20,自引:0,他引:20
使用溶胶-凝胶技术合成纳米尺度的Sr2MgSi2O7:Eu^2 ,Dy^3 长余辉发光材料,比较了该方法与固相法获得的长余辉粉体的光致发光行为和长余辉性能.溶胶.凝胶获得的纯相Sr2MgSi2O7:Eu^2 ,Dy^3 长余辉粉体是由纳米尺度的微晶形成的团聚颗粒,具有光致发光行为和长余辉发光特性.其发射峰位于465nm.而固相合成的粉体具有两个发射峰,分别位于404nm和459nm.产生这些差别的原因在于Eu^2 抖在基质品格中的不同配位情况.固相合成的粉体的余辉发光性能高于溶胶-凝胶粉体,其原因在于高温固相合成在基质内部产生了更高浓度的电子陷阱. 相似文献
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长余辉蓄光陶瓷SrAl2O4:Eu,Dy的性能及发光机理 总被引:20,自引:0,他引:20
制备了SrAl2O4:Eu,Dy材料。并测得其激光发谱,发射光谱和衰减曲线,首次报道了Dy的含量与荧光亮度和持续时间的关系,并对SrAl2O4:Eu,Dy系统的发光机理进行了解释。 相似文献