碱性蚀刻的过程控制

碱性蚀刻的目的是去除印制板导体层表面的金属保护层。但蚀刻的影响因素很多,如果控制不当,会造成严重的侧蚀。针对碱性蚀刻的问题,讨论了一些关键的处理参数和控制,如pH值、铜和氯化物的含量、温度、护侧(Banking)试剂、氧气的供给、传输速度和溶液的补充等。     

碱性蚀刻工艺及其对策

概述氨碱性蚀刻工艺的各种影响因素和维护条件     

碱性氯化铜蚀刻机同类产品技术参数分析

<正> 前言 随着印制电路板(简称 PCB)技术的不断发展,与 之相应的各种生产设备、测 试仪器也有了不同程度地更 新。通过引进、消化、吸收、创新,我国印制板专用设备国产化取得了很大进展。如蚀刻工艺所用的关键设备——腐蚀机,无论从产品外观、主要性能、自动化程度、材料耐蚀性,都比十几年前更为成熟。特别是碱性氯化铜蚀刻机,出现不少值得称道的产品。本文就国内外同类产品的技术参数,进行分析考察。     

酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液比较

本文针对酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液的组成本性计算方面作一简单的对比,为业界同仁提供一 个参考方向,对新手或行外人士以启迪,有事半功倍之受用。     

在PCB生产中碱性蚀刻机理及其故障分析

印制线路板的蚀刻是制造印制线路板最关键的工序之一,把其反应机理搞清楚,则在其它生产中常见的故障将迎 刃而解。本文着重对印制板碱性蚀刻液从其反应机理及反应速率方面进行剖析,以解决生产中常出现的问题。     

碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究

采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中（Cu2＋）、（Cl-）、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律.结果表明：在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度〉Cu2＋浓度〉pH值〉Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为（Cu2＋）=100g/L,（Cl-）=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76mm/min.     

碱性蚀刻废液再生方法评述

碱性蚀刻废液是一种铜含量高、废液浓度高的工业废水,将其再生具有较高的经济价值和环境效益。文章综述了碱性蚀刻废液的污染危害,全面介绍了碱性蚀刻废液的再生方法,指出了碱性蚀刻液再生的发展方向。     

碱性蚀刻线产能倍增方法的研究和实施

随着人工、物料等各方面成本的不断攀升,如何降低印制电路板的制造成本升级成为各工厂的头等大事。本文以碱性蚀刻线的产能提升为例,从原料、设备、参数、流程等方面的优化出发,寻求提高产量,降低人工、水、电、房租等固定成本分摊的方法,经过实施优化措施,使得碱性蚀刻线的产能提升一倍左右,综合运作成本大幅下降。     

碱性蚀刻技术

化学基本原理 碱性蚀刻的基本机理就是碱性氯化铜化学反应（见图1）是二价铜离子氧化金属铜生成亚铜离子。这种平衡同样在酸性氯化铜中的二价铜氧化浸蚀铜金属。所以，在碱性环境条件下，发生亚铜离子和二价铜离子的氨的络合物。更进一步利用通入空气使酸性氯化铜蚀刻液中亚铜离子氧化成二价铜离子。如下反应：     

酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液比较

本针对酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液的组成，本性，计算方面作一简单的对比，为业界同仁提供一个参考方向，对新手或行外人士以启迪，有事半功倍之受用。     

低压铝箔腐蚀的碱洗工艺

对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。     

多晶硅清洗设备研究

介绍了多晶硅清洗设备,即：硅块、硅棒／硅芯清洗设备。并对其结构设计进行阐述。对设备关键部件-工艺槽、机械臂的设计进行了详细的说明。该设备满足了大规模生产的需要,能够保证产品的品质及生产效率。     

微小等离子体发生器刻蚀机理的研究

采用二维流体模型对扫描刻蚀加工中的微小等离子体发生器的刻蚀机理进行了数值仿真研究.该微小等离子体发生器为微空心阴极放电器件,当工作气体为SF6,工作气压在5 kPa～9 kPa时,空心阴极处微孔半径为0.25 tzm时,空心阴极外部区域的F原子的有效弥散长度在0.5 μm～1.8μm之间变化,且浓度在3×lO11 cm-3～1.7×1012cm-3之间,基本满足扫描刻蚀加工的需求.     

二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.     

大尺寸玻璃刻蚀设备控制系统设计

对薄膜光伏行业中应用于玻璃制绒工序的大尺寸玻璃刻蚀设备控制系统的硬件组成及软件编程的设计进行了阐述。设计时中以PLC（可编程逻辑控制器）为核心控制器,进行电气硬件系统的搭构及选型,并且在此基础上根据工艺流程进行软件编写。最终采用此控制系统的设备实现了玻璃传输,刻蚀,清洗及干燥等功能。经过设备在生产线上的实际应用,控制系统运行正常,且满足客户使用要求。     

Al-Si合金RIE参数选择

采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标.试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素.通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺.     

半导体激光诱导液相腐蚀精度的提高方法

从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。     

碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下,当刻蚀区域的图形面积过小,刻蚀剂不易进入刻蚀区域,生成物也不易快速转移出去,使刻蚀速率变慢,这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大,刻蚀剂很快被消耗,也会使刻蚀速率变慢,这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀,比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。     

Etching of mesa structures in HgCdTe

Mesa structures were etched in HgCdTe using different Br₂/HBr/Ethylene glycol (EG) formulations. Etch rate and degree of anisotropy (A) were studied in detail for all of the combinations. Addition of EG to the conventional etchant gave A>0.5, with controllable etch rates. Optimum etchant composition was determined to be 2% Br₂ in a 3:1 mixture of EG:HBr. This composition resulted in a good anisotropy factor of ∼0.6 and a reasonably optimum etch rate of ∼2.5 μm/min, with rms surface roughness of ∼2 nm. Kinetics of the etching reaction have also been studied for the optimum etchant concentration and an etching mechanism has been proposed.