大功率无衬底N－GaAlAs／P－GaAs：Si单异质结红外发光二极管

报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。     

两次MOVPE生长的大功率InGaAs－GaAs－InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器

本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和９５ｍＷ的高功率输出。这是首次以两次ＭＯＶＰＥ方法生长制作的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ掩埋异质结激光器。     

GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相一次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器，经腔面多功能摹一器件已稳定工作４５００多小时。     

多片LPE生长AlxGa1—xAs／GaAs单晶薄膜

介绍了一种新的“分离三室水平推挤式多片外延舟”，可在国产水平外延炉中实现多片单晶薄膜外延。同时，研究了适合于多片外延的各种工艺条件。用于研制的ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ｎ＾＋－ＧａＡｓ太阳通电池，ＡＭ０．２５℃，１２０ｍＷ．ｃｍ＾－２的转换室１９．８％。     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器分析与实验

本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分析的基础上，研制了非对称大光腔（Ａ－ＬＯＣ）ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器，其未涂覆输出光功率达８５ｍＷ以上，这一结果与理论计算基本符合。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

GaAs6位数—模转换器技术研究

介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ,采用全耗尽型ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ制作,平面凹槽工艺,最小线宽１μｍ,输入与ＥＣＬ电平兼容,输出能驱动５０Ω负载,最大静态功耗９００ｍＷ。     

卫星用AlGaAs／GaAs太阳能电池

介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电转换这１８．２5.     

1—MeV电子辐照对AlxGa1—xAs／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异抽面太阳电池经１－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析，讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法。     

微波器件及IC用SI—GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出了今后的方向。     

GaAlAs／GaAs量子阱LD泵浦Nd：YAG激光器

利用分子束外延技术生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ折射率渐变分别限制单量阱材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行端面泵浦实验，在工作电流为３．３Ａ时，ＬＤ输出功率为２．７Ｗ，得到Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的输出功率达７００ｍＷ，光－光转换效率达２０％。     

GaAs／AlxGa1—xAs和AlxGa1—xAs／AlAs超晶格的喇曼散射对比研究

报道不同层厚的ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ及ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在非共振条件下,观察到ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＧａＡｓＬＯ限制模和限制在ＡｌＡｓ层中的ＡｌＡｓＬＯ限制模,还观察到ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＡｌＡｓＬＯ限制模和限制在ＧａＡｓ层中的ＧａＡｓＬＯ限制模．在近共振条件下,还观察到了ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中ＡｌＡｓ的界面模．根据线性链模型,把测量的ＬＯ限制模的频率按照ｑ＝ｍｎ＋１２πα０展开,给出了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶的类ＡｌＡｓ支和类ＧａＡｓ支光学声子色散曲线．     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

AlxGa1—xAsl和GaAs材料的物理参数模型

本文较系统和全面地总结了ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。     

分子束外延GaAs／AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究

采用分子束外延技术生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱得多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。     

泵浦掺铒光纤放大器的大功率单元赝配InGaAs／GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

已研制出９８０ｎｍ脊波导赝配ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该镜面镀膜激光器的最高输出功率为２４０ｍＷ／面。器件由分子束外延（ＭＢＥ）生长的渐变折射率分别限制异质结量子阱结构材料制成。激光器以基模工作，与１．５５μｍ单模光纤的耦合效率为２２％。在镜面无镀膜激光器输出功率为３０ｍＷ／面下进行的寿命试验表明，它比ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器有更高的可靠性，但在泵浦掺铒光纤放大器所要求功率下长时间可靠工作需要镜面保护镀膜。     

GaAs／GaxAl1—xAs异质结的调制反射光谱研究

用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大，并计算出表面费密以级与导带底的距离ｆ＝０．２７（０．０３）ｅＶ，通过对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ调制光谱分析，发现表面复盖层对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ层的调制光谱线形有调节作用，不同厚度的     

通过温度控制LEC—GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。     

完全MBE生产长的内含吸收型光栅GaAlAs／GaAs多量子阱增益耦合型...

我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器，激光器在室温下的激射波长为８６０ｎｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ。器件在至少０－８０℃的范围内始终保持单纵模激射，作为初步结果，条宽为５－６μｍ的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ。