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报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。 相似文献
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报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。 相似文献
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报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质红红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。 相似文献
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报道了影响用于红外控制技术和红外遥控技术的光源——GaAs 红外发光二极管性能参数的二个重要因素:(1)液相外延生长;(2)欧姆接触。此外,还报道了该器件的主要电光参数,给出了 P-I、V-I 特性曲线以及发射光谱曲线。 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2002,39(4):36-37
1引 言激光二极管线阵是固体激光器抽运系统的一种基本元件。研制和生产二极管线阵的复杂性在于,它是含有50~100个单条或多条激光结构的集成单块器件,它的总宽度约为10mm。仅在所有条状激光器输出特性高度均匀时才能得到功率大于100W的激光线阵,不然的话,由于异质结构参数的局部不均匀性、腔镜或组装缺陷,以及电流抽运达100A时,一 相似文献
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报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／ＡｌｑＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电极中注入，产在ＰＢＤ及ＰＶＫ中传输注入到Ａｌｑ３发光层中。器件在正向偏压为４Ｖ时有绿色光输出；在正向偏压为１０Ｖ，最大亮度可达３０００ｃｄ／ｍ＾２以上。经光谱测试，电致发光峰值波长为５２３ｎｍ。 相似文献
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陈福荫 《固体电子学研究与进展》1991,11(2):137-142
本文应用普适参数紧束缚方法计算了GaAs/Si异质中界面组成、键能、自然键长、力常数以及键的弛豫等性质.由键能和力常数推断As和Ga原子均能在界面处与Si原子成键,但Si-As键更强一些,考虑到Si和Ga原子在界面的互扩散作用,提出了界面层的可能生长机理.作者认为界面层应由SiAs和GaSi组成的膺合金Ga_xA(?)_(1-x)Si构成,根据价带极大值随组分x的变化,指出x的范围处在0.1～0.6之间.由键的弛豫效应预示x的最佳范围在0.1～0.3之间.由此设想,通过控制组分,有可能使由晶格畸变产生的界面应力减至比较小,从而为消除因晶格畸变产生的应力缺陷给出了理论依据. 相似文献
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根据任务的要求,研制了掺 Zn 自扩散 GaAs-GaAlAs 单异质结发光二极管,其典型值:功率 P≤1mw(DC 100mA),峰值波长λ_p=8900～9100,谱线半宽△λ≤350,截止频率 f_c≥15MH_2(DC100mA,20mA,M20%)(详见本刊79年第,2期),用透镜封装之后其发散角小于2度,35℃下加速老化试验,可获得4万小时的寿命。性能指标满足了任务的要求,提供了一定数量的样管,也用于测距和光通信。 相似文献
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描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。 相似文献
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首次报导了一种改进结构的Ｐ＾＋Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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<正>利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”态随机地进入有源区,因而存在“死区”,使短毫米波器件中有源区的利用率明显降低,造成效率下降;而且这种随机分布的“冷”电子转变为“热”的畴电子过程中带来的噪声 相似文献
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由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得高质量的外延层及用这种材料生产优质的光电子器件,为了减少缺陷,研究缺陷的性质及其成因是很有意义的。已有很多人对GaAs/Si的微孪晶进行了研究,如吴小京等做出了微孪晶的结构模型,谢强华等观察到微孪晶的不对称分布,而对微孪晶的的形成机理还未见报 相似文献
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