飞利浦最新PMEG系列肖特基二极管

皇家飞利浦电子集团推出PMEG系列肖特基二极管。该PMEG系列内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器，在提高整体电效率的同时，使手机，数码相机等设备更加小型化。通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下，PMEG超低正向电压降肖特基整流器二极管系列能达到的功效水平仅为BAT54等业界标准型号的一半。     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

飞利浦推出最新PMEG系列实现肖特基二极管性能突破

皇家飞利浦电子集团最新推出肖特基二极管PMEG系列 ,实现肖特基二极管半导体技术新突破。该PMEG系列使功耗降低至二极管能装在不到现有器件一半大小的表面贴装封装中。其内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器等 ,在提高整体电效率的同时 ,使手机、数码相机等设备更加小型化。通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下 ,飞利浦的最新PMEG超低正向电压降VF肖特基整流器二极管系列能达到的功耗水平仅为BAT5 4等业界标准型号的一半。此外 ,该新型PMEG系列二极管的连续正向额…     

具有最小导通损耗的新型零流PWM开关单元

本文推荐了一种新型零流开关（ZCS）脉宽调制（PWM）开关单元，其主开关没有任何附加导通损耗，在这种开关单元内，主开关和辅助开关都在零流状态下开通和关断，且其二极管进行软换向，减少了反向恢复时间，软开关的谐振电流不经过主开关，所以主开关的导通损耗和电流的应力也减至最小，基于上述的ZCS PWM开关单元，我们设计出一种新型的DC-DCPWM变换器系列，这种新系列适合于使用绝缘栅双极型（IGBT）晶体管的高功率应用。在DC-DCPWM变换器系列中，我们对升压变换顺进行了实例分析。并根据这个实例说明了设计方案，该设计方案通过工作在40kHz频率下的2.5kw样板升压变换器的实验结果已得到证明。     

新品展台

JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信     

中等电压MOSFET器件

飞兆半导体公司扩展PowerTrench MOSFET系列,这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款,     

电源

意法半导体推出新系列家电AC开关产品；美国国家半导体推出4路输出电源管理单元；1.2MHz,25V双通道降压型DC/DC转换器；IR推出20V微电子功率IC光电继电器；安森美微型封装ESD保护二极管和肖特基二极管；AnalogicTech推出电池充电器，降压型转换器和线性稳压器三合一方案。     

电源

Fairchild推出新型IntelliMAX系列负载开关，安森美PWM控制器实现低待机能耗，Linear新型DC/DC控制器效率高达96％，IR推出联合封装二极管的增强型高频IGBT，HOL TEK推出新版超低功耗LDO-HT1015-1，maxim推出NiMH电池充电器。     

关于如何正确测量二极管反向恢复时间的探讨

1 引言二极管的反向恢复时间(t_(rr))是反映二极管开关速度的一个重要参数。目前,电视机和电话机等许多领域都广泛使用了开关二极管和快恢复整流二极管,我国公玻壳封装开关二极管年需求量就达三亿支以上,为了提高整机质量,国家对二极管的开关速度     

国际整流器公司创新肖特基二极管

国际整流器公司(简称IR)近日推出业内最低V_F值20V肖特基二极管(Schottky Diodes)系列和低成本45V MBR系列肖特基二极管。 创新的20V 87CNQ020及47CTQ020器件具备业内最低的正向电压降,可帮助电源设计人员突破3.3V开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS)输出整流程序的效率限制,大大改善系     

扩展超高速二极管系列

国际整流器公司(简称IR)推出崭新MUR快恢二极管系列,其反向恢复时间仅为二十五毫微秒(ns),额定击穿电压高达200V。 这些超高速恢复二极管设有单独及中央抽取式两种配置,适用于24V/48V开关式供电应用系统的输出阶段。     

ST新系列场效应整流二极管完美解决VF与IR的矛盾

正意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的能效标准。EnergyStar6.0标准用于测试传统肖特基二极管在充电器和笔记本电脑适配器内达到的性能极限。同步整流二极管虽然性能优异,但是成本却比传统肖特基二极管高出很多。由于符合离线开关式电源节能标准的能效要求,同时成本比同步整流管低大约30%,意法半导体的FERD系列整流二极管引起了市场关注。     

APT公司的快恢复二极管介绍

1 DQ系列快恢复二极管 这类快恢复二极管可提供的电压为300V、400V、600V、1 000V和1 200V,根据电压范围可分成二组: (1)极低的Qrr-反向恢复电荷很少,超快恢复:适合于高开关频率应用,同时有助于降低PFC电路的损耗.     

怎样选择彩电开关电源及扫描电路中的二极管

<正> 彩色电视机的开关电源、行场扫描电路中所用的二极管要求较高,如有损坏,决不能随便代换,否则就有可能导致新器件再次损坏,甚至造成故障的进一步扩大。本文介绍这部分电路中所用二极管的选择代换方法,供初学者参考。 1.串联及开关型稳压电源中整流二极管的选择 串联型稳压电源不存在开关干扰问题,故它所用的整流二极管就是普通整流二极管。但是,开关型稳压电源如果使用普通整流二极管,则会因普通整流二极管反向恢复时间太长,而造成开关干扰。因此,开关型稳压电源中的整流管,要选用快恢复型整流二极管。不过,从电网直接整流的二极管也可用普通整流二极管。而负载端(即开关电源输出端)的整流二极管,则必须要用快恢复整流二极管。 整流二极管的选择代换,一般只要考虑最高反向工作电压(峰值)Vmax和额定正向整流电流(平均值)I_D这两个     

复合管是二极管的发展方向

本文介绍了几种新型复合二极管,包括变容二极管、开关二极管、二极管阵列、阻尼二极管、调制二极管和肖特基二极管等。     

功率最大的二极管激光器

英国光谱二极管实验室推出了几种二极管激光器产品，使现有高功率二极管激光器系列得到补充。     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350v器件，再次扩充逆导（RC）软开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品组合。新的2tIARC—H5是对英飞凌性能领先的RC—H系列的扩展．重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求．     

关于缩短大电流开关二极管反向恢复时间的研究

通过长期的工作实践，阐述了适当条件下的金扩散对缩短反向恢复时间，提高二极管2CK28开关速度，满足了反向恢复时间，改善了二极管的反向特性。     

LD 泵浦高光束质量被动Q 开关激光技术研究

研究了二极管端面泵浦及Cr^4 ：YAG晶体作为被动Q开关对激光模式的影响，讨论了二极管端面泵浦的被动Q开关激光器产生单纵模激光振荡的原因、机理和条件。在实验中，获得了单脉冲能量30μJ，脉宽6ns，重复频率2kHz的单纵模激光输出。     

晶体二极管开关转换过程分析

晶体二极管结构决定了其开关特性,在脉冲信号作用下晶体二极管由导通到截止和由截止到导通的转换过程会产生时间上的延迟,为了清楚观察输出信号开关随输入信号开关时间上的延迟,在开关电路中需要输入一定幅值、周期的脉冲信号。通过实验可以清楚直观地观察到二极管开关转换过程时间的延迟,进一步加深对晶体二极管开关特性的理解和认识。