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Alcoa目前正在研制一种高温下具有高弹性模量、抗磨蚀和腐蚀性能良好的新型材料。这些INNOMETAL铝基复合材料制件不仅具有较好的刚性和抗疲劳性,而且可以适应某些特殊的要求。 INNOMETALX2080合金的标准组分为Al-3.8%Cu-1.8%Mg—0.2%Zr,它为其在结构上的应用提供了强度和损伤容限性能间的平衡。由SiC颗粒作增强材料制出的X2080/SiC金属基复合材料(MMC)可使模量增加并提高其他性能。这种材料在不需要的金属间相减少至最少时,经处理可提高增强材料分布的均匀性。增强材料对密度影响很小,而且从单位模量(即弹性模量/材料比重)与SiC增强程度的曲线可以看出,INNOMETALX2080/SiC复合材料性能高于一般结构金属材料。 相似文献
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日本国际化学公司开发出两种脂环族聚酰胺类环氧树脂固化剂。该品可使树脂提高挠曲强度并具较高的热变形温度,适用于电子和航空工业。目前市场上的环氧树脂固化剂有五百多种,芳香族聚酰胺类固化剂(DDM)在提高固化树脂的机械、电性能方面远远优于其他固化剂,但DDM也存在着有毒和有色问题。另外,由于DDM是固体材料,在使用前必须液化。 相似文献
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塑料薄膜塑料薄膜的种类繁多,它们有不同的特性,可在各种场合应用。如用于变压器线圈电容器、层绝缘,Spool材料和控制杆、端部垫圈、线圈外套、相间绝缘、铅丝绝缘、衬垫和开关板保护器等。 相似文献
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自第二次世界大战以来,美国电子工业无论是生产能力,技术水平,还是市场优势在国际上都是名列前茅的。然而,由于近几年来各国之间激烈的竞争,已使它的霸主地位不断削弱。而日本在电子工业一些重要领域内已发展到足以与美国抗衡甚至超过美国的地步。 相似文献
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半导体工业在圆片生产的整个过程中,因清洗、蚀刻和图象显影,需要使用大量液态化学品,其中包括酸、碱、盐、过氧化物和有机溶剂(见表1)。半导体工业湿法工艺用化学品大多要求高纯度。美国半导体设备和材料协会(SE-MI)已为许多化学品和材料定了标准。清洗用化学品的化学杂质(钠、重金属等)低于0.1ppm。虽然这些化学品的纯度大大高于工业品,但半导体工厂自己还要进行大量的纯化、过滤和再包装以满足具体工艺的要求。美国的清洗用化学品常以一种溶液或两 相似文献
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溶剂大致可分为有机类、氯系和氟系溶剂等类。电子工业采用的溶剂有:1.有机类中,有以 MEK(甲乙酮)、MIBK(甲基异丁基甲酮)为代表的酮类溶剂,2.氯系中,有三氯乙烯、1,1,1-三氯乙烷、全氯乙烯、二氯甲烷四种;3.氟系中,有以氟里昂113为代表的溶剂。这些溶剂的用途如表1所述。此外还有少量的半导体芯片清洗用溶剂(表2)。 相似文献
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生产电子工业用高纯氮的制氮装置 ,其要点和难点是一氧化碳和氢的清除。采用一氧化碳转换炉和特殊的冷箱内流程组织 ,可以生产纯度为 99 9999%以上的高纯氮。对制取电子工业用高纯氮制氮装置与常规制氮装置加氮终端净化器两种流程进行了比较。 相似文献
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环氧树脂基碳纤维增强复合材料因其优异的力学、热学性能已广泛应用于航天航空等领域。环氧树脂由三维共价交联网络组成,难以被降解。工业中通常需高温(300~800℃)、高压(3~27 MPa)等严苛环境或有毒催化剂来破坏树脂基体,以回收复合材料废弃物中昂贵的碳纤维,这一过程往往会造成纤维性能的严重损失。本文利用环氧树脂与醇溶剂之间的动态键交换反应,将工业中常用的高性能环氧树脂降解为低聚物,降解条件温和(200℃、0 MPa),且无需额外催化剂。通过树脂降解,回收得到结构完整的碳纤维织物,其强度保持在94%以上,可继续用于制备复合材料。将低聚物作为反应物制备新的环氧树脂,称为再制造环氧树脂。当再制造环氧树脂中低聚物的含量为20wt%时,其强度与原环氧树脂相当,而断裂伸长率提高了20%。用再制造环氧树脂制备碳纤维复合材料,其强度与原环氧基复合材料相当,同时断裂伸长率提高了50%。本文实现了工业用环氧树脂及其复合材料从制造到回收到再制造过程,即闭环回收再制造。同时,本文新提出了一种绿色、简单、有效的环氧树脂增韧方法。 相似文献
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随着电子工业的迅速发展,特别是半导体电路向超高频、高可靠、高集成度等方面发展,要求在半导体器件、印刷线路版、集成电路等加工过程中,蚀刻出各种精细线条(4—5微米甚至2—3微米)。在这种微细加工的过程中需要使用多种高纯度的化工材料,其中除光刻胶外,还需各种高纯度化学试剂。五十年代初期,国外化学界为电子工业制备高纯度化学试剂已经投入了很大的力量。六十年代初期,随着半导体晶体管在电 相似文献
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美国的Hoechst Celanese Engineering Plas-tics Division为满足电子工业的需要,推出高性能液品聚合物Vectra E130。E130的热变形温度为270℃,可耐表面安装工艺的气相和红外再流焊;与其他商品化的液晶聚合物相比,尺寸更稳定,加工周期更短。 相似文献
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五、掺杂剂的应用将杂质注入基片以改变其电气特性,即所谓的掺杂。该过程形成了正或/和负区域。典型的掺杂剂是硼、砷、磷和锑的化合物,可以气态或液态形式使用。销售时有气、液、固三种形式。掺杂有两种方法:一是热扩散;二是离子注入。在热扩散方法中,掺杂剂与衬底接触并反应,形成硅/掺杂剂金属的配合物。然后,掺杂剂金属以固-固扩散形式更深地热扩散至硅衬底。扩散深度取决于时间、温度等工艺参数。掺杂剂的使用方法有以下三种:①蒸气 相似文献
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朱跃进 《材料科学与工程学报》1988,(4)
纤维增强复合材料吸引着材料研究者的注意力,研究工作深入,有关文献多而集中。实际上复合材料的范围是很广泛的。本文就金属-塑料复合材料作一简单介绍。 相似文献