微量杂质对锌凝固点影响的评估

介绍了当前微量杂质对固定点影响的多种评估方法,将这些方法应用到中国计量科学研究院最新研制的开口锌凝固点容器中, 并通过微量元素Sn的添加实验对这些方法给予比较与研究.     

金属杂质对锌凝固点容器融化温坪的影响

本文介绍了不同浓度杂质对锌凝固点容器融化温坪的影响,同时研究了在不同凝固速率下融化温坪的变化。研究表明,融化温坪的区别直接反映了杂质在融化过程中的分布,不同的凝固速率对锌凝固点容器融化温坪斜率影响较大。     

锌酸盐镀锌液中杂质元素的质谱分析

利用带八极杆碰撞／反应池（ORS）和屏蔽炬技术的电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）可同时直接测定锌酸盐镀锌液中Mg，V，Cr，Mn，Co，Ni，Cu，Cd，Sb，Pb杂质元素。通过向碰撞池中引入氢气和氦气消除多元素分子、离子的干扰，以50μg／Lsc，Ge，In，Tb为内标元素校正基体干扰和漂移，确定了仪器的最佳工作参数。结果表明：各元素在0～500．0μg／L内均有良好的线性关系，相关系数均在0．9995以上；10种杂质元素的检出限在0．001～0．034μg／L，回收率为95．2％～107．4％，相对标准偏差（R肋）小于2．90％。     

金属锌高温氧化制备四针状氧化锌晶须

通过研究金属锌高温氧化产物的形貌特征,进一步了解四针状氧化锌晶须的形成机理。以金属锌锭为原料,浇铸成重10~50g的小锌块,装入氧化铝坩埚中,在马弗炉内从室温加热至1000~1250℃,将金属锌蒸发氧化,获得氧化锌产物。实验分析了金属锌块用量、保温温度对氧化锌形貌的影响。X-射线衍射测定显示,产物为六方纤锌矿结构的氧化锌。用扫描电子显微镜(SEM)比较分析了不同实验条件下产物的形貌,当保温温度1200℃,金属锌用量分别为20g、30g时,产物为较均匀的四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)。分析结果表明,T-ZnOw的生长由晶核的形成和针状体晶须的长大两个阶段组成,调控锌蒸气的产生和氧化过程,可获得形貌为T-ZnOw的氧化锌产物。     

蒸气氧化法制备掺锑氧化锌纳米颗粒的研究

以不同摩尔比的Zn-Sb合金为原料,采用加热蒸发氧化-冷凝的方法在相同的试验条件下获得了纯的和Sb掺杂的ZnO纳米颗粒.纳米颗粒的形貌、结构和化学状态分别通过TEM、HRTEM、XRD和XPS进行了表征.通过TEM观察发现:随原料中Sb量的增加,颗粒形貌由纯ZnO的四针状纳米晶须逐渐变化为棒状、四方形和六方形的颗粒状.六方形纳米颗粒的HRTEM分析表明:颗粒是结晶完好的纤锌矿结构的单晶,(1100)晶面间距比文献报道的纯ZnO的数值大.XRD没有检测到Sb掺杂ZnO纳米颗粒除ZnO外的其它物相,但XPS分析确定了Sb元素存在于纳米颗粒中.讨论了四针状纳米ZnO的形成及Sb的存在对颗粒形态的影响.     

原材料杂质对镍锌软磁铁氧体绝缘电阻率的影响

软磁铁氧体材料广泛应用于民用和工业领域,随着近年来信息技术和新型绿色照明的发展,软磁铁氧体产品的结构将向数字化、平板化、集成化和节能型发展[1]。在品种繁多的软磁铁氧体材料中,镍锌铁氧体具有电阻率高、化学稳定性好和高频损耗小等优     

氯化钾蒸气对纯铬材高温氧化行为的影响

为研究微量KCl蒸气对纯Cr材高温氧化行为的影响,利用热重法对其在750～850 ℃含有微量KCl蒸气的氧气中的腐蚀行为进行了研究.结果显示,随着温度的提高和KCl蒸气浓度的增大,Cr的腐蚀明显加剧,并形成了疏松的、与基体结合差的氧化膜.此外,在850 ℃时,动力学曲线出现了减重现象.热力学分析表明,Cr的加速腐蚀是由挥发性铬的氯化物的生成及挥发造成的.     

基于Scheil方程的微量杂质对锌凝固点相变温度影响的评估方法

微量杂质是影响ITS-90国际温标定义固定点复现的最主要的不确定度来源。从凝固理论出发,建立基于Scheil方程的评估微量杂质对凝固点相变温度影响的数学模型,以国家温度基准中的锌凝固点为对象,利用最小二乘拟合法拟合实验数据评估了杂质对其相变温度的影响,并通过化学分析对该方法的有效性进行了验证,结果表明,全部杂质综合结果使相变温度增加0.56mK,化学分析结果中Ag及Cu在锌中存在一定量级证明该方法的有效性,该方法相对于SIE与OME方法具有较好的应用前景。     

杂质元素对熔敷金属低温韧性的影响

用人工神经网络建立了熔敷金属性能的预测模型。该模型的学习结果同试验值之间有很好的对应关系。用该模型研究了杂质元素S、P、O、N对熔敷金属低温韧性的影响规律。预测结果表明：随着O、N含量的增加,熔敷金属的低温韧性显著下降;S对低温韧性基本无影响;随着P含量的增加低温韧性有所增加。在不同的S、P含量水平下,低O低N时的熔敷金属具有很高的低温韧性,高N低O时的次之,高N高O时的低温韧性最差。     

杂质元素对钨产品结构及性能的影响

随着黑钨资源的枯竭,储量丰富、杂质含量高的白钨替代黑钨制备硬质合金成为未来的发展趋势,杂质元素对钨产品结构及性能的影响是急需解决的科学问题。综述了在硬质合金制备过程中杂质元素的种类及演变情况,着重介绍了杂质元素对不同阶段钨产物形貌、晶粒度、结构及性能的影响,以期为以白钨资源制备硬质合金的研发与生产提供理论基础。     

真空限氧法制备纳米氧化锌及其动力学

以热镀锌渣为原料、以空气为氧源,采用真空限氧法制备了纳米氧化锌.用热重法测定了不同系统压力条件下锌蒸气的氧化动力学曲线,用扫描电镜研究了氧化产物ZnO的形貌.结果表明:采用真空限氧法制备的纳米氧化锌晶体为六方纤锌矿结构,纯度≥99.98％;当氧化反应遵守抛物线规律时,纳米氧化锌的形貌主要为颗粒状、无定形、四针状或单针状;当氧化反应遵守直线规律时,产物主要为短小的四针状或单针状;在锌氧化反应前期和后期分别受收缩球状模型R3和三维扩散模型D4控制,表观活化能分别为101.3～ 122.1 kJ/mol和111.2～143.4 kJ/mol.     

盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响

用HC1蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理 ,并用UV Vis吸收谱、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射 (XRD)进行了分析。吸收谱结果表明HC1与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰 ,峰值位于 82 0nm附近。此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带 (Q带 )加宽进入红外波段。光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化 ,其中Cl和O的含量随HC1蒸气处理时间的增加而增加 ,而N和Ti的含量随HC1蒸气处理时间的增加而减小 ,说明HC1蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明 ,经HC1蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰 ,表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化     

微波法制备纳米氧化锌及其光催化性能研究

以硫酸锌和尿素为原料,采用微波加热法制备纳米氧化锌,比较了不同工艺条件下制备的纳米氧化锌的性能,结果表明,不同反应时间制备的纳米氧化锌均为六方晶系的纤锌矿结构,颗粒大小平均为52．14nm,反应时间、反应物浓度及焙烧温度对纳米氧化锌的光催化性能均有一定的影响。反应时间1．5h、硫酸锌的浓度0．25mol／L、焙烧温度450℃时,纳米氧化锌的光催化效果较好。     

阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的形貌

采用阳极氧化法,以NH4F-乙二醇-水溶液为电解质,在钛片上制备了TiO2纳米管阵列,并研究了电解电压和电极距离对TiO2多孔薄膜形貌的影响。结果表明,通过优化电解电压,可以调控二氧化钛纳米管阵列的内径在20～145nm之间;通过调节两电极间的间距,在金属钛片上制备了完整的二氧化钛纳米孔阵列。并采用有限元模拟二氧化钛层中的电流密度分布,探讨了二氧化钛纳米管阵列和纳米孔阵列的形成。     

以尿素为沉淀剂制备纳米氧化锌粉体

本文以尿素,硝酸锌为原料,采用均匀沉淀法制备了纳米级ＺｎＯ．以ＴＧ－ＤＴＡ热分析,红外光谱及ＸＲＤ,ＴＥＭ,激光衍射粒度分析仪等测试手段,对纳米级ＺｎＯ的粉体结构和形貌进行了研究。结果表明,在４５０℃下热处理得到的纳米ＺｎＯ粉体结晶性能良好,改变反应条件,制备了平均粒径在１５－８０ｎｍ,粒度分布窄,分散性好的纳米ＺｎＯ粉体。     

反应沉积法制备c轴取向ZnO薄膜及表征

以二水合醋酸Zn为原料 ,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜。研究了不同衬底温度和Zn源温度对ZnO薄膜性质的影响 ,探讨了不同衬底温度和Zn源温度下生长ZnO薄膜的最佳参数。本文还讨论了该方法制备ZnO薄膜的沉积机制及优化条件下样品的透光特性。     

Chemical Binding of Carbon Dioxide on Zinc Oxide Powders Prepared by Mechanical Milling

Inorganic Materials - Based on X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction data for zinc oxide powders prepared via mechanical milling in an attritor, we have identified inherent...     

溶胶-凝胶法与磁控溅射法制备ZnO薄膜性能对比研究

分别采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法和射频(RF)反应磁控溅射法在普通玻璃片上制备出ZnO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、分光光度计、台阶仪等检测手段分别对其进行了分析比较.结果表明:相同基底和退火温度下,RF磁控溅射法制备的ZnO薄膜具有更优异的晶化质量;在波长390～850nm范围内的透射率都在80%以上,薄膜的吸收长波限值分别约为375nm和390nm,计算出其禁带宽度分别为3.31eV和3.18eV.