磷锗锌晶体生长与缺陷结构

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。     

KTNNP晶体生长研究

本文采用高温溶液降温法生长出了掺Nb5+和Nd3+不同浓度的KTP(简称KTNNP)晶体,研究了晶体的生长习性与掺质种类的关系.测定了晶体的晶胞参数,并与KTP晶体作了对比,以掺质后结构的变化探讨了KTNNP晶体生长习性的成因.确定了掺质在生长体系中的分配系数,发现掺铌1%时使Nd3+的分配系数增大12.6倍,并提出了进一步提高晶体中Nd3+含量的设想.     

空间微重力晶体生长研究

空间晶体生长是一个有前景的前沿学样，这一研究主要包括：在微重力条件下晶体生长的基本理论、方法和过程。本文是一篇空间晶体生长的综述，包括５个部分：（１）微重力环境；（２）微重力晶体生长研究背景；（３）晶体生长的空间实验；（４）空间晶体生长的地基实验研究和理论模拟；（５）我国微重力晶体生长发展前景。     

晶体生长与品质鉴定

本文列举了晶体生长中常见的不完整性,如开裂、包裹物、生长分层、色心、晶体整体上的不均匀性、组分过冷等。讨论了这些缺陷的起因和克服办法,以及生长与品质鉴定工作之间的关系,着重讨论了组分过冷现象的实例。强调指出,为克服这些缺陷,晶体生长与品质鉴定工作必须密切结合起来才能卓有成效。     

晶体生长的新方法

<正> 美国全国标准与技术研究所(NIST)研究出一种新的晶体生长方法——渗透脱水。利用这种方法可以生长出无机物和有机物包括蛋白质的单晶。当两种水溶性盐溶液被一只允许水通过的半透膜分离时,渗透脱水作用就发生。渗透压差使水从含蛋白质的稀溶     

硫酸锶晶体生长动力学研究

为了从控制晶体生长角度，说明制备纳米硫酸锶沉淀体系中存在的EDTA对产品粒径的影响作用，根据过程机理，用恒组成法研究硫酸锶晶体生长动力学。根据叠加模型和弱化模型，建立体系中有EDTA存在时，硫酸锶沉淀过程的晶体生长动力学模型。结果表明，硫酸锶沉淀过程中晶体生长属于表面反应控制机理。EDTA存在能降低晶体生长速率，有利于减小粉体粒径。     

流化床中硝酸钙晶体生长的实验研究

流态化结晶分离硝酸钙是改进硝酸磷肥工艺的关键技术。实验获得了流化床循环流动条件下的Ca(NO3)2-H2O二元体系溶液在6.5～24.5℃的第1过饱和曲线,其对应的拟介稳相区过饱和度Δw(Ca(NO3)2)=4.2%～4.5%。该条件下四水硝酸钙晶体在流化床中均匀生长,平均线性生长速率可达u=0.06mm/min。     

TBAB水合物晶体生长过程的实验研究

通过对常压下9%(w) TBAB溶液降温生成水合物晶体的过程进行观察,以过冷度作为生长驱动力,研究了TBAB水合物晶体的生长特性. TBAB水合物刚形成时,晶体呈高透光度及规则柱体外形,随晶体继续生长逐渐变得不规则,透光度下降. 当恒温浴的过冷度分别为6.0, 8.1和9.6 K时,水合物晶体长度/宽度方向生长时间依次为183 min/140 min, 85 min/65 min, 70 min/37 min,同时反应前的等待时间即生成时间分别为83, 53和55 min. 生长时间和生成时间随过冷度增加逐渐降低,幅度逐渐减小,表明过冷度增加能有效减少水合反应时间,促进水合物的快速生成. 过冷度增加会增加TBAB水合物晶体成核数量,因此晶体与溶液的总体接触面积增加,有利于水合物的快速形成.     

TSB溶液的回流热处理与晶体生长

首先对反式二苯乙烯(TSB)的环己酮溶液进行回流热处理,考察不同回流加热时间对TSB溶液饱和点的影响,以高效液相色谱(HPLC)及气质联用技术(GC-MS)检测与分析回流加热过程中溶液的成分,随后采用降温法在该溶液中进行晶体生长,并观测了所生长TSB晶体的完整性。结果表明:环己酮是适合生长TSB晶体的溶剂,对溶液进行适当的回流热处理虽然会产生少量杂质,但在一定程度上能够加快溶剂合反应平衡并提高溶液稳定性,同时,晶体的完整性和闪烁性能也有所改善。     

纳米氧化锌晶体生长宏观动力学研究

采用均匀沉淀法制备了纳米氧化锌晶体,考察了影响纳米氧化锌晶粒大小的因素及晶粒生长特性,利用晶体生长动力学理论得到纳米氧化锌晶体生长动力学方程,激活能E=27.87 kJ/mol,指前因子A=6.31×106 nm6·h-1,并对氧化锌晶粒生长机制进行了初步探讨.     

铸石熔体中晶体生长几何学研究

前言有关熔体中多晶体生长的研究,国内外侧重于两个方面开展工作。一是晶核形成和晶体生长的热力学研究;另一方面则是晶核形成及晶体生长的几何过程及其所成就之形态与生长环境间的关系的研究,即晶体生长的几何学研究。本文涉及有关的近代晶核形成理论等,着重对铸石熔体中两种结晶中心(磁铁矿和铬铁矿)和主晶相(辉石)的晶体生长几何学问题进行探讨。     

仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究

研究了掺入NH4Cl下仲钨酸铵（APT）的晶形变化，探讨了生长机理与晶体生长速率（LN）的关系在计算LN值时采用了将最终产品位度组成与生长质量速率结合的方法．结果表明：NH3·H2O－H2O系APT按二维核或位错机理生长，晶体表面光滑，层状结构明显，部分小晶体具有螺卷状结构．NH4Cl-NH3·H2O－H2O系APT生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制．大颗粒晶体表面粗糙多孔，晶面界限不明，呈现生长丘形态．均相成核期内晶核长大到一定尺寸时开始生成大小不一的由复合贯穿和复合接触孪晶构成的连生体．NH4Cl掺入促进连生体形成．表面粗糙及连生体多的APT松装比重下降、流动性差．     

大截面溴化钾晶体生长工艺研究

对溴化钾原料进行纯化、成型与热处理,制备出?200 mm×20 mm的多晶料。采用电阻加热Czochralski法,在合理的温场下生长出了?140 mm×100 mm的溴化钾单晶。为了有效解决了放肩过程中晶体表面裂纹等问题,采用了一控(水温)、双变(拉速、转速)微提拉放肩新工艺生长晶体。X射线衍射分析表明,生长的晶体为立方晶系的KBr,空间群Fm3m,晶格常数为a=0.6599 nm。分析了晶体中相互作用力及能量关系,认为溴化钾晶体质点间的相互作用不仅存在离子键的相互作用,同时还存在三体力及Van der Waals力的作用。根据半经验公式计算出熔融状态下的溴化钾的配位数为4。另外,晶体的透光性能测试表明,厚度5 mm的样品的透射率为90%。     

KDP/DKDP晶体生长研究近况

本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况.为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体,在传统溶液降温法的基础之上,研究者发明了循环流动法,连续过滤法,SR生长方法,蠕动泵加入法,光育法等一些列的新的生长方法.与此同时,籽晶形态的改进在一定程度上也实现了高效生长高质量晶体的目的.在KDP和DKDP晶体生长稳定性的影响因素研究方面,如原料的纯度,生长温度的控制,籽晶的质量和引入方式,溶液的水动力条件,溶液的氘化程度以及溶液的过饱和度等则为进一步实现生长大尺寸高质量的晶体奠定了科学的基础.另外,利用添加剂、掺质和后处理等手段进一步提高了晶体的质量.     

白宝石弓形片晶体生长研究

;对于采用电阻加热导模法生长白宝石弓形片来说,模具顶端的温度场对晶体外形控制起着关键作用.实验发现模具顶端附近径向温度梯度1.6℃/mm、轴向温度梯度3.3℃/mm时,晶体生长较易获得理想的晶体外形.对于晶体生长过程中产生的气泡,实验设计了合适的模具、找到了适宜的工艺参数,有效地解决了这个问题.小角晶界的产生,可通过选用高质量的籽晶、采用缩径放肩工艺、调整模具顶端的形状来消除.通过这些问题的解决,实验生长出外形(2.6×30×240)mm和晶体内部质量符合手表镜面要求的白宝石弓形片.     

NaBi(WO4)2晶体生长与开裂研究

钨酸铋钠[分子：NaBi(WO4)2简称NBW]是一种性能优良的闪烁晶体,本工作采用提法生长出直径为45mm,高为35mm的大尺寸NBW晶体,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸,温度梯度,提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系,实验研究发现,晶体开裂与生长速度过快,转速过大,晶体冷却速率过快所造成的热应力有关,并给出了制备无开裂优质NBW晶体的最佳生长工艺参数。     

晶体生长理论的发展趋势与界面相模型

简要介绍了前人提出的晶体生长理论的要点及其优点与不足之处;在此基础之上提出了晶体生长理论的发展趋势及晶体生长所面临的基本科学总则王码电脑公司软件中心;通过分析研究,作者认为晶体生长过程中,介于晶体相与环境相之间的界面相起着重要的作用;重点论述了界面相中的界面层、吸附层和过渡层与晶体生长的关系。并进一步提出了晶体生长的界面相模型。