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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降. 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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用Raman光谱分析MBE生长GexSi1-x膜的组分及应变 总被引:1,自引:0,他引:1
对MBE生长的GexSi1-x合金膜用Raman光谱分析了其中的组分和应力,发现较厚的GeSi膜应变较小,说明随着膜厚的增加,合金膜内原子排列发生了弛豫。20nm厚的Ge0.4Si0.6样品经过RHT处理(1000℃、10s),应变减小为原始膜的1/4~1/5。说明退火后膜几乎被完全弛豫,同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后20nm样品制作了GeSi/Si异质结内光发射红外探测器件。在77K下测量,退火前样品的异质结反向电阻达500kΩ以上,而退火后样品只有1kΩ左右,根本无法在77K下工作。我们提出的方法可以同时确定膜的Ge组分及膜内应力,方法是非破坏性的。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16,x=0.14)超晶格结构,用X射线衍身 喇曼散射对其结构,应变分布以及光散射性能进行了研究,江超晶格的总厚度大于最度是格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数,此时在(100)平面,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压变应。从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe Zn1-xMnxSe垒 相似文献
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本文对30kev Si^+和分子离子SiF^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研究对比。注入Si^2+样品的Si原子纵向分布与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光900℃10″RTA,电激活率可达60%,电化学C-V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAs有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用 相似文献
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不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及其完整性,结果表明:在350-550℃的低温生长条件下,可生长出较高质量的超晶棺材料,并且在350℃时质量最好.在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错,并与生长温度有关.周期厚度有4%以内的波动,层与层之间有轻微的混元,观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象,并进行了讨论. 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献