电磁场中“热”细电子束的空间电荷理论

本文建立了具有非轴对称复合静电磁场结构的电子枪中具有横向热初速分布的三维曲线细电子束的空间电荷理论。作为本理论的应用,在无热初速零散的卡诺平面空间电荷流基础上,对卡诺长枪中一仅考虑横向麦氏初速分布的“热”细电子束的空间电荷密度作了数值计算。     

交叉场中曲线电子注的研究

对于交叉场系统,本文依形成电子注的综合法,导出了阴极处于任意状态下求空间电荷流和电极形状的普遍解,计算并分析了据此建立的磁控注入式电子枪和正交场电子枪的特性,讨论了阴极表面电场强度和电子初速对电子轨迹和电极形状的影响。     

布里渊流过渡区的设计与计算

本文提出圆柱形强流电子束的傍轴轨迹方程,可以用台劳展开求出它的近似解。这个方法应用于设计布里渊聚焦的过渡区;决定厚磁透镜的焦距;无场空间圆柱形电子束的空间电荷发散。在这些例子中得到的近似结果同实验结果比较指出是准确的,可以满足一般工程设计的要求。     

大功率毫米波环板行波管注波互作用线性理论研究

考虑了电子注的厚度和相对效应，采和场匹配和变分法中的特殊方法－－Ritz-Galerkin法，导出了考虑电子束空间电荷效应的环板行波管的热然散方程，并对该方程进行数值求解，得到了其小讯号增益，讨论了慢波系统几何尺寸和电子注参量对小信号增益的影响，为毫米波环板行波管的设计提供了理论依据。     

电子束横向空间及动量分布演化的统计动力学研究

利用统计动力学方法建立了描述旋转对称电子束的电子空间及动量分布演化的变态伏拉索夫方程，并在一阶旁轴近似下研究出一种半解析计算方法。用本方法计算了漂移空间电子束分布的演化和包络的扩张。计算实例表明，该半解析方法与全数值计算方法结合符合较好。     

磁聚焦电子束过渡区的计算

本文提出以磁埸聚焦的电子束为获得进入相互作用区时的最佳入射条件来计算过渡区的新方法;它可适用于电子枪区有磁埸渗入的一般情况。此方法假设过渡区电子束边缘轨跡的方程为: 其中C_n可以由电子轨跡和磁埸在过渡区起点和终点的条件定出;再以所得r=r(z)代入傍轴轨跡方程,便能求出对应的磁埸分布。此方法简单而精确,并于文末给出一计算的实例。最后在附录中提供一种积分傍轴轨跡方程的数值计算法,可求以任意给定的初始条件进入已知轴对称磁埸中的电子轨跡。     

关于电子束热速度效应数值计算的若干问题

本文讨论了用计算机数值计算电子束热速度效应的方法中的两个问题。 (1) 目前计算热速度效应的方法都只适用于纯静电场的情况,为了把这类计算推广到存在复合电磁场的情况,我们推导出存在磁场后的计算公式,同时还引入了一些近似条件。 (2) 二宫提出的考虑纵向热速度分布的计算方法中电流密度公式是粗糙的。因此我们从热速度线性旁轴理论出发,推导出考虑纵向热速度分布的相应的计算公式。     

用计算机设计电子光学系统的几个问题

引言静电聚焦象增强器中,光阴极和输出屏通常是决定静电场的电子光学系统部件。这些系统要利用电子束穿过透镜的边沿区域,因此计算不能完全依靠对于设计电子枪是适宜的傍轴成象条件。本文描述我们使用国立Elliott503型计算机和ALGOL程序设计语言,设计象增强器的电子光学系统之方法。     

非傍轴双曲余弦高斯光束质量因子的研究

运用非傍轴标量光束的光强二阶矩理论,计算了非傍轴双曲余弦高斯光束的束腰半径、远场发散角、质量因子,并与傍轴双曲余弦高斯光束的质量因子进行了比较研究。数值计算表明:当双曲余弦高斯光束束腰半径较大时,傍轴与非傍轴理论计算的光束质量因子变化规律完全相同;束腰半径较小时,傍轴理论的计算结果有较大误差。     

三维非对称静电系统边界元素法的数值分析及应用软件

在对旋转对称系统进行研究的基础上,本文进一步探讨边界元素法(BEM)运用于三维非对称静电电子光学系统的数值分析以及适于程序设计的计算方法,并且编制成功了可用于设计与分析各种非对称的静电聚焦、偏转、宽电子束成像以及多极场等电子光学系统的应用软件。用Fortran语言编制的静电系统三维BEM分析设计通用程序,不但能够精确计算出系统电极上块状边界元的表面电荷密度、空间电位及电场分布,还能追迹计算不同方位、不同初始条件的电子轨迹,并计算出系统的成像参量、轴上和轴外的各种像差(包括描述系统非对称性质的像差)。通用程序已经过反复的优化,能够应用于各种非对称实际系统精确的分析设计。     

直流交流辨

首先指出现行电路原理教材中对直流和交流存在不同的定义,然后用3个例子说明现行定义的不足.在讨论字面含义和工程定义的优劣之后,给出了适合在电路原理课程中讲授直流和交流概念的方法.     

变压器励磁电流空载电流和磁化电流辨析

阐述了变压器励磁电流、空载电流和磁化电流这三个密切相关的电流瓣物理意义,分析了它们之间的关系和概念上的区别。     

PLT铁电薄膜的漏电流与I—V特性的研究

室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱场下，电流随时间的变化可用幂指数的衰减来模拟，而且衰减系数随场强的增加有减小的趋势。在中强场时，电流随时间在水平方向上上下波动。在强场下，电流随时间在波动的同时不断增大。因此在对不同区间电流随时间变化Ｉ（ｔ）曲线分析的基础上，确定某一电场强度下的漏导电流，作出了Ｉ－Ｖ曲线。同时发现不同配方，在相同工艺条件下的样品，其弱、中、强场的数值区间是不一样的，因此作出的Ｉ－Ｖ曲线也有所区别。对非欧姆区的导电机理用空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）模型和晶界限制电流（ＧＢＬＣ）模型来解释，同时对样品正向与反向的导电机理进行了对比研究。而且对热释电电流测量中有指导意义的薄膜充电后缓慢的放电过程进行了观察和分析     

新型电流控制电流传输器

提出了一种新型电流控制电流传输器(CCCII)电路。该CCCII电路由跨导线性环电路和双极性Wilson电流镜构成。为实现该新型CCCII电路,还提出了双端输出的双极型Wilson电流镜。该CCCII电路具有输出阻抗高、电压及电流传输精度高、易于实现、便于集成等优点。文中分析了电路的工作原理,给出了实验结果,验证了电路的正确性。     

一种电流求和型CMOS基准电流源

基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0.35mm N阱CMOS工艺实现.通过Cadence Spectre工具仿真,结果表明,在-40～85℃的温度范围内,该电路输出电流的温度系数小于40×10-6/℃.在3.3V电源电压下功耗约为1mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源.     

一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

设计一种增强型的共源共栅电流镜。通过放大器的负反馈,这里设计的电流镜在不增大基本电流镜输入阻抗的基础上,具有比传统电流镜更高的输出阻抗和更高的电流匹配精度,同时该电流镜也有高于传统共源共栅电流镜的输出电压摆幅。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压,输入电流为10 mA时,该电流镜的输出阻抗达到200 MΩ以上,输出电压摆幅为0.2~5 V,电流匹配精度误差小于0.016%,电流一致性误差小于0.5%。     

浅谈电子电器标准中的泄漏电流与接触电流

介绍了泄漏电流与接触电流的概念与区别,通过对比IEC60065：2005（Ed7,1）、IEC60950-1：2005（Ed2.0）和IEC60335-1：2004（Ed4.1）中的接触电流测试,分析了不同标准接触电流测试的异同,指出IEC60335-1：2004（Ed4.1）第13章和第16章涉及的两种泄漏电流测试的差异。     

Nonlinear Average Current Control UsingPartial Current Measurement

This paper presents a nonlinear average current control method that regulates the true average of the inductor current by using the switch current as the feedback signal. The method is simple, requires no compensator design, and is very insensitive to switching noise. It combines the advantages of both peak current and linear average current control while overcoming their limitations. It can be used in both buck- and boost-derived topologies for a variety of applications requiring precise control of the input or output current, including battery charging using buck-derived topologies and power conditioning for solar and fuel cells using boost-derived topologies. Numerical simulation and experimental measurement results are presented along with theoretical development and analysis to demonstrate the operation principle and performance of the control method. Performance and general control characteristics of the method are also compared with existing linear average current control by using an averaged model. Switch current sensing methods for use with the control are also reviewed.      

电流传输和电流模放大技术在音频电路中的应用

比较分析了电流传输和电压传输的特点,阐述了电流传输和电流模放大技术的概念和原理,并给出了电流传输和电流模放大技术在音频电路中的应用实例。     

一种低失调高压大电流集成运算放大器

基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器。电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作为放大管,采用复合有源负载结构;输出级采用复合npn达林顿管阵列,与常规推挽输出结构相比,在输出相同电流的情况下,节省了大量芯片面积。基于Cadence Spectre软件对该运算放大器电路进行了仿真分析和优化设计,在±35 V电源供电下,最小负载电阻为6Ω时的电压增益为95 dB,输入失调电压为0.224 5 mV,输入偏置电流为31.34 pA,输入失调电流为3.3 pA,单位增益带宽为9.6 MHz,具有输出9 A峰值大电流能力。