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用溶液—凝胶法制备金属表面耐蚀性膜层 总被引:6,自引:2,他引:4
用溶液-凝胶法在不锈钢表面制备了4种成分的无机物薄膜,对制备条件进行了研究;用XRD,SEM对薄膜的结晶状态和形貌进行了观察;用电化学方法考察了这4种薄膜对提高基体材料抗蚀性产生的效果。实验结果表明,4种膜层对于提高极化电阻值均有明显作用,其中9SiO2-Al2O3膜层效果最好,这提示了其制备方法对提高金属的抗蚀性具有显示的效果,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
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医用NiTi合金表面溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金表面制备了TiO2-SiO2复合薄膜,在提高医用NiTi合金的抗腐蚀性方面,收到了显著的效果.运用电化学方法对不同组成的TiO2-SiO2薄膜在模拟体液中的腐蚀行为进行了研究,结果表明,随薄膜中 Ti/Si比的增加,TiO2-SiO2薄膜的抗腐蚀性增强.划痕试验表明 TiO2-SiO2(Ti/Si=4:1)膜与NiTi合金基体具有较高的界面结合强度.用原子力显微镜(AFM)对TiO2-SiO2薄膜的表面形貌及表面粗糙度进行观察和分析,解释并讨论了TiO2-SiO2薄膜的配方组成与其抗腐蚀性的关系,SiO2含量较少时,薄膜结构致密,膜层均匀平滑,且膜基结合力好,作为医用NiTi合金的表面保护层,可以使其耐腐蚀性有显著提高. 相似文献
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制备SnO2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响 总被引:6,自引:1,他引:5
用无水SnCl4和SnCl4.5H2O为原料,用热喷涂法制备SnO2薄膜,在基片温度为530℃时,对所制得SnO2薄膜进行了X-射线,SEM分析,并对其发电性质进行测定,总结出含H2O的SnCl4制得的SnO2薄膜生长速度快,电阻率低。 相似文献
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Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
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硅藻上一莫来石陶瓷负载SiO2膜的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
将液晶模板技术与溶胶-凝胶法相结合,制备了硅藻土-莫来石陶瓷(K-M)负载型SiO2膜。表征实验结果表明:SiO2膜层与TiO2过渡膜层间通过Si-O-Ti键的价联方式形成了紧密、稳定的伦合型复合膜;SiO2膜孔径集中在4~5nm,孔分布较为均匀;K-M负载SiO2膜管对气体具有较强的渗透能力,并有较好的气体分离作用根据实验结果探讨了模板剂的性质及用量对SiO2膜孔结构的决定性作用。 相似文献
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掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用常压化学气相淀积法(APCVD)制备了α-Fe2O3薄膜,对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和表面形貌(SEM)分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明,用APCVD工艺制备的α-Fe2O3薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性;本研究还对所制备的α-Fe2O3薄膜进行了有效的掺杂,对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Sn的掺入对α-Fe2O3薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用AP 相似文献
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本文用TEOS和硅溶胶作原料,用溶胶一凝胶法制备了无支撑体和有支撑体的SiO2膜.用TEOS制得的无支撑体SiO2膜,无1.7nm以上的微孔,由硅溶胶制得的无支撑体SiO2膜平均孔径为7.5nm,且孔径分布集中,这种差异主要来自于由不同原料制备的溶胶,其聚合物分子具有不同的形态和生长模式.用TEOS作原料,在无过渡层的α-Al2O3多孔支撑体上制得了无大孔缺陷、厚约15μm的SiO2膜,膜对BSA的百分截留率为75.8%.在有过渡层的α-Al2O3上制得的SiO2膜的纯N2渗透表现为Knudsen扩散特征.起超滤和扩散作用的是SiO2膜层内部的缺陷微孔. 相似文献
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利用sol-gel方法合成了ZrO2薄膜,并通过在ZrO2薄膜中复合CdS纳米粒子成功地制备了ZrO2:CdS薄膜.制得的ZrO2薄膜透明并具有较好的光透射性,而ZrO2的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素.分散在ZrO2:CdS薄膜中的CdS纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为4~6nm.实验结果表明:ZrO2颗粒的晶化会对薄膜的光学性能及表面形貌产生影响,但CdS的形成可以抑制薄膜表面ZrO2颗粒的晶化,从而得到较为平滑的薄膜. 相似文献
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ZrO2及ZrO2:CdS薄膜的制备和表征 总被引:1,自引:1,他引:0
利用sol-gel方法合成了ZrO2薄膜,并通过在ZrO2薄膜中复合CdS纳米粒子成功地制备了ZrO2:CdS制得的ZrO2薄膜透明并具有较好的光透射性,而ZrO2的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素,分散在ZrO2:CdS薄膜中的CdS纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为4~6nm。实验结果表明,ZrO2颗粒的晶化会对薄膜的光学豚表面形貌产生影响,但CdS的形成可以抑制薄膜表 相似文献
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用溶胶-凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示,在热处理温度为750 ̄900℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在SiO2薄层,其厚度大约为0.6nm,该薄层是在制膜过程中衬底Si通过PbTiO3薄膜扩散到表面与大气中的O2反应而形成的。在750℃热处理的薄膜,膜层中不含SiO2,但温度升高,膜层中存在SiO2成分 相似文献
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溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜的研究 总被引:14,自引:0,他引:14
硅溶胶制备SiO2薄膜时用正交试验法系统研究了各种因素对溶胶稳定性和SiO2薄膜成膜性的影响。研究表明:溶液浓度,加水量和催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,控制干燥化学添加剂在加入量超过一定比例后对抑制膜层开裂有明显作用。 相似文献
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用球-盘试验机研究了射频溅射MoS2,WS2固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性,并用XPS,SEM和EDX等方法进行了分析.结果指出,在锂基脂润滑下,表面溅射MOS2薄膜后摩擦系数降低,擦伤载荷成几倍或几十倍增长,尤其在高滑动速度下效果更加明显,可在一定载荷范围内代替2#主轴油进行润滑,摩擦中MOS2膜表层组织很容易剥落,摩擦中与基体结合较牢的主要是表面下的有效膜厚。因而在本试验条件下两种厚度MOS2膜的摩擦学性能基本无差别,溅射WS2膜中含氧量很高,且在整个膜层中均以WO3存在,因此减摩效果不理想。 相似文献
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本文利用磁控溅射工艺,研究了两种铁基和两种镍基不锈钢靶材的薄膜在0.1、0.5 和 1.0NH2SO4溶液中的磨蚀性,并与 2Cr13不锈钢和 45钢进行比较,结果表明: 磁控溅射薄膜在同浓度的硫酸中,其抗磨蚀性由好至差的顺序为: 2#、3#和 4#薄膜。 其中在1.0NH2SO4中,2Cr13的磨蚀量比 4#薄膜的高出 93倍之多,45钢的磨蚀量比 4#薄膜高出44倍之多。还对薄膜的磨蚀机理进行了初步的探讨。 相似文献
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新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。通过改变O2/Ar比,制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜。用Ce3d的XPS谱了Ce2+的浓度。XRD和AFM分析表明,薄膜经空气中高温退火后,形成了立方体CaF2型小晶粒,晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。 相似文献