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1.
本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献
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介绍了光化学汽相淀积法的原理以及PVD-1000设备淀积薄膜的规律,特点等,并且给出了所淀积的SiO2膜,Si3N4膜和ZnS膜的基本特性。 相似文献
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基于神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺的模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
由于IC制造过程的高度复杂非线性,利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果,现描述一种新的途径--神经网络反向传播算法,并介绍了神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺中的应用。通过建立PECVD淀积工艺的神经网络模型,对PECVD Si3N4钝化工艺进行了计算机模拟,讨论了相关工艺条件对Si3N4介质膜特性的影响,所编写的神经网络应用程序已用C语言在计算机上得到了实现。 相似文献
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本文基于对Si3N4、SiO2、α-Si薄膜本身结构及其层间结构的分析,在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践,在Si3N4-α-Si-SiO2结构中解决了由SiO2/Si界面的表面电荷及SiO2中Na+的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。 相似文献
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ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用ECR-PECVD技术在不同沉积温度下制备了Si3N4薄膜,利用Si3N4薄膜的透射光学强度曲线计算了Si3N4薄膜的折射率和膜厚,计算结果与实测值符合较好。结果表明,随着帝积温度的提高,Si3N4薄膜的折射率增大,致密性提高,Si3N4薄膜厚度在60mm直径范围内不均匀度小于5%,测定了Si3N4薄膜的显微硬度,利用荧光分光光度计测定了Si3N4薄膜的光致发光效应,初步进行了Si3N4薄 相似文献
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采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对XC激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度△Not、慢界面态密度△N的影响比反应室总气压PC和SiH4/O分压比显著。△Not和△Nst在110℃附近有极小值。约为10^10cm^-12量级。Ts〉120℃,△Not呈正电荷性,Ts〈110℃,△Not呈负电荷性,Si-O- 相似文献
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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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报导了等离子体化学气相沉积法在锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜的实验技术。并用理化分析对膜层的物理化学性质进行了分析,给出了实验研究结果,提出了这种工艺在红外探测器制备工艺中应用的可能性。 相似文献
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nc—Si:H/c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 总被引:3,自引:2,他引:1
采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了ns-Si:H/c-Si量子点二极管。在10 ̄100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出,当反身偏压为-7 ̄-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒长大小不一的Si微晶粒子,由于微晶粒子中能级的量 相似文献
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用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本文是利用催化剂,使SiH和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si膜膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10^6,电子自旋密度约2.5×10^6cm^-3。 相似文献
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采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVD SiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH2/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,大小为10^10cm^-2量级。Ts〉120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts〈110℃,ΔNot呈负 相似文献
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田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
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本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特性,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验。 相似文献
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为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100A/cm^2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的 a-Si_3N_4纳米粒子,对不同浓度的 a-Si_3N_4纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在3.0~4.1 eV范围发现6个荧光峰.根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了a-Si_3N_4纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Si~O在a-Si_3N_4纳米粒子光谱性质中的主导作用. 相似文献
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本文利用C-V测试的方法,研究了MOS工艺中等离子过程对不同栅材料的Si-SiO2结构的影响,探讨了等离子损伤的形成机理,并就不同的退火条件进行评估。 相似文献