SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用

本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的表面电荷及ＳｉＯ２中Ｎａ＋的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。     

ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光学强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着帝积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％，测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度，利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应，初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄     

优质Si3N4,SiO2双层介质膜的研究

报导了等离子体化学气相沉积法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果，提出了这种工艺在红外探测器制备工艺中应用的可能性。     

Si3N4钝化层质量分析研究

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.     

在SiO2中掺A1对Au／纳米（SiO2／Si／SiO2）／p—Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm,间隔为0.2nm。为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸A1作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）。在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同。但掺A1结构的发光强度普遍比不掺A1结构强。另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同,对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺A1的作用进行了分析和讨论。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

采用SiO_2／Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究

镓杂质均可在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ秒中扩散，但棵Ｓｉ扩镓易在硅表面产生富镓合金点、凹坑和＂白霜＂，导致器件低、软的击穿等，为了清除表面缺陷对器件性能的影响，采用ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩镓进行了研究．经过实验和长期应用，这是克服表面影响的行之有效的方法．本文对二种扩散方式所产生的不同结果，进行了分析和讨论．     

国产CF4＋O2混合气体在Si3N4腐蚀中的应用

一、引言Si3N4膜的腐蚀是一个比较老的课题，早在70年代的发光二极管器件制造中就开始了等高于腐蚀Si3N4的应用。目前，在大规模集成电路制造工艺中，Si3N4膜通常作为局部氧化（LOCOS）掩模材料，因此如何刻蚀好Si3N4就显得比较重要。随着器件尺寸的不断缩小，为了消除或最大限度地抑制鸟嘴对有源区的侵入，要求Si3N4层下面的SiO2厚度越来越薄，以确保有源区面积，同时为防止刻蚀中等离子辐射对衬底Si的损伤，影响器件的电特性及成品率，要求在等离子刻蚀中Si3N4膜对SiO2有高的选择性、均匀性，以及解决颗粒沾污问题。刻蚀Si3N4的…     

与Si集成的溶胶—凝胶法制备的TiO2—SiO2复合薄膜的应力分析

采用激光束反射偏转法测量了用溶胶－凝胶法在Ｓｉ（１１）基片上制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力，应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系，其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力；当热处理温度较低时，随膜厚的增加，其应力增大，而最终导致膜的开裂，薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和ＴｉＯ２含量的增加而增加。     

聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响

通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。     

激光合成非晶态Si3N4粉末

本文描述了大功率CO2激光辐照SiH4+NH3的快速流动气体合成Si3H4超细粉末的实验,揭示了激光谱线变化对合成反应的影响。讨论了粉末红外吸收光谱的畸变现象等。     

SiO2和Si3N4/SiO2薄膜表面驻极态的改善

描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力，对Si基Si3N4和Si3N4/SiO2薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺（HMDS）和二氯二甲基硅烷（DCDMS）两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究。结果指出：从抗湿能力考虑，经DCDMS修正的氮、氧化硅驻极体的电荷稳定性优于HMDS处理的样品，是由于这类修正形成了更完善的表面单分子疏水层；但如果从驻极体的储电热稳定性方面考虑，以HMDS处理的样品优于DCDMS样品，是由于被HMDS修正的表面层内形成了较高浓度的深能级陷阱。     

应用透表法透过Si3N4＋SiO2钝化层内窥透视成品IC的研究

本文介绍了一种新的能透过成品集成电路表面Si3N4＋SiO2钝化层无损显微内窥透视检测其下集成电路的微结构和缺陷的方法。     

SiO2钝化膜对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用。SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击宽电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般SiO2厚度要小于0．5μm。     

碳氟等离子体中CF2对SiO2，Si3N4和Si刻蚀的作用

The CF2 density and etch rate of SiO2, Si3N4 and Si are investigated as a function of gas pressure and O2 flow rate in fluorocarbon plasma. As the pressure increases, the self-bias voltage decreases whereas the SiO2 etch rate increases. Previous study has shown that SiO2 etch rate is proportional to the self-bias voltage. This result indicates that other etching parameters contribute to the SiO2 etching. Generally, the CF2 radical is considered as a precursor for fluorocarbon layer formation. At a given power, defluorination of fluorocarbon under high-energy ion bombardment is a main source of fluorine for SiO2 etching. When more CF2 radical in plasma, SiO2 etch rate is increased because more fluorine can be provided. In this case, CF2 is considered as a reactant for SiO2 etching. The etch rate of Si3N4 and Si is mainly determined by the polymer thickness formed on its surface which is dominated by the CF2 density in plasma. Etching results obtained by varying O2 flow rate also support the proposition.     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。