首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
翘曲变形与开裂是激光沉积制造大型整体结构的瓶颈,限制了该技术的发展。为解决这一难题,笔者基于表面形貌监测系统提出了一种翘曲变形原位检测及开裂预测新算法。通过坐标系校准、滤波降噪、曲面重构等实现了原位检测与数据预处理,采用旋转切片和平行切片两种方案求取切片与重构表面的交线,计算交线的翘曲角与翘曲角变化量,根据翘曲阈值与开裂阈值判定翘曲变形并预测开裂。设定的阈值与制件尺寸呈反比关系,与翘曲度呈正比关系。实验结果表明:翘曲样件X向的最大翘曲角为3.98°,且该方向所有交线的翘曲角均超出了翘曲阈值(3.27°),判定发生翘曲变形;薄壁件开裂影响区内翘曲角的最大值在第46~51层呈连续正增长趋势,翘曲角变化量为1.58°,且80%的交线的翘曲角变化量超出了开裂阈值(1.53°),判定即将发生开裂,继续沉积至第55层时出现开裂。通过实验证实了所提算法检测翘曲与预测开裂的有效性,对激光沉积制造技术的发展具有重要意义。  相似文献   

2.
本文就冷加工中最常出现的零件的变形与开裂问题进行了初步的分析并总结其相应的防止措施。着重点放在钢材、镁、铝等常用金属及其合金上。文章主要分为三个部分。第一部分为打弯件中常见变形、开裂情况分析及其防止措施。第二部分为引伸件中常见废品的各类及其防止方法。第三部分是从热处理、零件结构、设计、工艺等方面综合考虑冷加工方面减小变形,防止开裂的措施。  相似文献   

3.
避免低温PTCR元件焊接开裂无锡绘图仪器厂刘庆功低温半导瓷(Ba-sOTIO。热敏元件常常产生焊接开裂问题。这种焊接开裂是产品生产中的关键问题。低温(B。一S。)TIO。半导瓷PTCR元件的性能与其晶格结构、组成、制造工艺、测试方法密切相关。采用普通...  相似文献   

4.
张继周 《电子世界》2013,(20):182-182
开采沉陷破坏矿区环境,造成地表建筑物(如房屋、铁路、桥梁、高速公路等)的损坏,使岩层和地表产生连续的移动、变形和非连续的破坏(开裂、冒落等),通过对“三下一上”采煤特点分析,提出开采沉陷的预防保护措施放法。  相似文献   

5.
冷加工中变形、开裂情况分析及其防止措施(续一)南京720厂孙颖慧(210037)2引伸件中常见废品的种类及其防止方法2.1废品情况分析及其防止措施1.制件侧壁的皱纹如图13、图14所示。(1)引伸时压边圈压得太松,必须加大压边力。图示皱纹属于失稳皱纹...  相似文献   

6.
介绍了早期的印制电路板(PCB)工艺技术,主要阐述了PCB和覆铜板(CCL)工艺路线,其中包括正镀法、反镀法,以及不同种类印制板的生产流程、性能检测和产品相关要求。  相似文献   

7.
用于校正波前误差的61单元分立式压电变形反射镜是61单元自适应光学系统(AO)的关键器件之一。由于系统对单元数(61单元)和变形量(±3μm)的要求超过以往曾研制的变形镜,对研制工作带来许多困难。我们从理论分析到工艺研究采取措施,使研制的变形镜成功用于AO系统实验。  相似文献   

8.
<正> 变形、烧粘、缺口等是引起薄型电子陶瓷制品报废的常见现象。我厂自1980年大量生产压电蜂呜器以来,出现了一种新的废品形式:弧形开裂。这种情况更容易引起大批产品报废,工艺上又较难控制。 弧形开裂具有非常规则的特征:它只发  相似文献   

9.
挖掘机作为大型工程机械的一种,其在基建工程中起着举足轻重的作用。而挖掘机动臂在焊接时由于热变形及焊接缺陷等原因,容易造成动臂的整体变形和开裂,这对挖掘机的质量是致命性的。为了避免这些问题的出现,合理的焊接工艺、优良的加工设备、正确的焊接方法显得尤为重要。随着新技术的不断涌现,越来越多的焊接技术可以应用到其中,从而降低焊接过程中变形和开裂的发生,节约企业成本支出,实现企业的利益最大化。  相似文献   

10.
随着电子技术的发展,电路功率显著上升,散热成为电路设计的一个关键问题。用LTCC技术制作的三维(3D)微流道冷却器可以吸收芯片上的热量,通过液体循环将热量传给外界。本文重点研究了内嵌三维微流道LTCC多层基板成型中的关键工艺:热压、烧结。利用热压牺牲层技术防止微流道在热压过程中塌陷、变形,同时优化烧结曲线,避免多层基板开裂、分层。利用优化的热压、烧结工艺参数,可制备出完好的3D微流道LTCC多层基板,便于后续的散热试验以及优化改进设计。  相似文献   

11.
塑封集成电路离层对可靠性的影响及解决方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
塑封集成电路因其是非气密性封装,封装材料热膨胀系数的不同以及被粘接材料表面能低,是造成塑封电路离层或开裂的内部原因。通过选择特殊的封装材料(特别是框架材料)和工艺可以解决离层或开裂问题,大大提高塑封集成电路的稳定性和可靠性。水汽是造成塑封集成电路离层或开裂的外部原因,可以通过驱除和防潮措施来解决。要提升塑封集成电路可靠性,必须从技术和工艺上解决塑封电路离层或开裂问题。我们在这方面做了有益的尝试,取得了良好的效果,为拓展塑封集成电路的应用领域创造了条件。  相似文献   

12.
CBGA、CCGA器件植球/柱工艺板级可靠性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
陶瓷球栅阵列(CBGA)和陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装由于其高密度、高可靠性和优良的电热性能,被广泛应用于武器装备和航空航天等电子产品。而CBGA/CCGA焊点由于其材料和结构特性,在温度循环等可靠性试验中焊点容易发生开裂,导致器件失效。本文以CBGA256和CCGA256封装产品为例,通过陶瓷基板与PCB板的菊花链设计来验证CBGA/CCGA焊点的可靠性,并对焊点的失效行为进行分析。结果表明,CCGA焊点可靠性要高于CBGA焊点,焊点主要发生蠕变变形,边角处焊点在温度循环过程中应力最大,容易最先开裂。  相似文献   

13.
本文通过分析95%氧化铝陶瓷产品烧成过程中物理化学变化以及在高温下致密化过程,拟订适合大型产品烧成的工艺参数,并通过试验验证,以实现控制大型产品开裂变形等缺陷.  相似文献   

14.
金星C37─401型彩电开关电源故障检修于增安故障现象无光栅、无声音。分析与检修造成故障的原因可能是开关电源(见附图)本身或是行扫描电路故障所致。打开机壳,冷机时外观检查所怀疑的元器件的表面有无变色、变形、开裂、线路相碰和不正常的异味。经过检查发现电...  相似文献   

15.
采用新开发出的一种多层片式陶瓷电容器(MLCC)生坯研磨工艺,对现有MLCC加工流程再造,解决现有烧成后芯片研磨工艺对芯片造成内部损伤,导致MLCC芯片内部分层,保护层开裂及芯片棱角崩瓷等影响产品质量的问题,同时对MLCC的加工过程进行简化,缩短加工周期。  相似文献   

16.
对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化(TTV)值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。  相似文献   

17.
随着摩尔定律逐步达到极限,大量行业巨头暂停了7 nm以下工艺的研发,转而将目光投向先进封装领域。其中再布线先行(RDL-first)工艺作为先进封装技术的重要组成部分,因其具备高良率、高密度布线的优势吸引了大量研究者的目光。总结了RDL-first工艺的技术路线及优势,详细介绍其工艺进展,模拟其在程序中的应用,并对RDL-first工艺的发展方向进行展望,为RDL-first技术的进一步优化提供参考。  相似文献   

18.
《电讯技术》2008,48(8)
电子束焊接工艺在毫米波天馈系统上的应用(张光元) 本文论述了毫米波器件中的转接波导、波导馈源采用电子束焊接进行焊接的工艺研究。采用电子束焊接工艺避免了空气炉中钎焊的氯化物钎剂腐蚀、氩弧焊焊接变形大,焊接难度高的问题。论述了在焊接试验过程中遇到的问题及其解决方法。  相似文献   

19.
键合工艺技术是半导体封装环节中的重要技术方法,而键合系统相关的失效也直接影响着电子元器件的互连可靠性。虽然同为键合区域的失效,但失效机理却千差万别。针对性地讨论了Au-Al、 Cu-Al和Al-Al这3个键合系统中常见的基于材料特性和工艺过程的失效模式。结合相关实际案例,采用扫描电子显微镜(SEM)、 X射线能谱分析仪(EDX)、离子研磨(CP)等物理和化学分析手段,研究并分析了键合工艺开裂、双金属间键合退化、接触腐蚀和功率器件的键合丝退化等模式的失效机理,得到各种失效模式对应的失效原因为键合工艺参数不适配、金属间化合物(IMC)过度生长、原电池效应和金属层疲劳剪切力与形变等。通过列举的检测方法能准确识别器件的失效模式,并对症提出相应的改善策略,为提高键合系统的可靠性提供指导。同时,可以通过功率循环试验观测和识别功率器件的键合退化。  相似文献   

20.
录像机焊点开裂故障分析与检修刘修文,赵章佑(湖南攸县电视台412300)录像机的故障现象有各种各样,产生故障的原因也是错综复杂的。然而,因焊点开裂引起的故障,往往被一些维修人员所忽视。本文将简要介绍焊点开裂的特征、原因、易发部位,并介绍几个维修实例。...  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号