串行E^2PROM 24CXX及IC卡中的应用

文章介绍串行ＣＭＯＳ Ｅ＾ＰＲＯＭ ２４ＣＸＸ在ＩＣ卡中的应用，并以２４Ｃ０１为例对它们的读写操作和通信协议进行了重点阐述。     

E~2PROM擦/写特性的PCM研究

使用薄隧道氧化层浮栅器件逐渐成为在电可擦除稳定的存储器中一个标准[1]，根据E~2PROM工艺特点，本文着重分析了E／W后学元开启电压和E／W时间。E／W电压、隧道扎面积的关系。给出了开发和研究E~2ROM器件模型的工艺评价用PCM及常规用PCM的测试结果，为E~2PROM的工艺开发和实现提供有力的帮助。根据浮栅E~2PROM的物理模型[2]，建立了存储单元的阈值电压模型，利用该模型研究了存储单元E／W后同值电压与物理尺寸、E／W电压、E／W时间的关系。通过对这一关系更深入的认识，一方面在单元设计上有利于了解不同类型的E~2PROM，为减小器件尺寸以及今后开发业微米的设计规则作准备；另一方面，在工艺上建立一个准确的单元添件参数模型，得到各层次各关键工序的工艺评价参数，为制造高性能高可靠性的存储单元打下坚实基础。     

多功能的E^2PROM及其应用

Ｘ２５０４３／４５是一种电源监控，看门狗功能和高速，三线，非易失性存贮器组合在一块芯片上的多功能器件。本文主要介绍该芯片的特点，工作原理和典型应用。     

一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元

为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对器件的分析及仿真,验证了该结构在模拟电路应用中的有效性.     

击穿电荷（QBD：监测E^2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ＾２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ〉５Ｃ／ｃｍ＾２时可获得高质量的Ｅ＾２ＰＲＯＭ电路，擦／写次数可超过１００万次。     

模拟IC自动测试系统的直流参数测试单元

模拟IC自动测试系统主要针对模拟IC的直流参数和交流参数进行测试,其中直流参数的测试是整个测试过程的重要部分。直流参数测试单元可以为芯片提供稳定的、精确的电压或电流,主要实现两种功能：一种是对待测芯片施加电压从而测量电流值,简称FVMI（加电压测电流）功能;另一种是对待测芯片施加电流从而测量电压值,简称FIMV（加电流测电压）功能。     

非接触IC卡芯片的低成本测试

随着RFID技术和规范的不断成熟．我国的第二代身份证卡上开始使用基于RFID技术的非接触IC卡芯片．对于设计验证和大规模量产时面临的测试问题，本文介绍了一种非接触IC卡芯片低成本测试的解决方案。与普通的测试方法要求IC测试仪（ATE）有比较昂贵的混合信号测试部件来发送／识别RF信号相比．该解决方案只需要ATE有一般的数字电路的测试功能．结合RF应用模块，就可以在保证测试精度和稳定性的前提下实现时芯片要求的所有测试。其最大的优点是大大降低ATE本身的硬件成本．测试时间很短，并且有很好的灵活性。     

带有柔性LCD的IC卡系统设计

由智能卡芯片、MCU、EEPROM、按钮和柔性LCD构成新型接触式IC卡系统,能够脱离读卡机显示IC卡上的存储信息,克服了以往IC卡的局限,为IC卡提供了全新的应用领域,前景广阔。     

非接触式IC卡硬件驱动层的功能测试方法

非接触式IC卡的应用日趋广泛,对嵌入式软件功能测试方法有效性与实用性提出了新的挑战。论文探讨了非接触式IC卡硬件驱动层的功能测试方法,包括在FPGA平台上进行在线测试以及样卡的回归测试方法。该文以嵌入式软件测试方法理论为基础,确定在进行硬件驱动层测试时可使用的功能测试方法,并依此设计测试用例;然后,确定样卡的回归测试方法;最后,根据测试环境以及实际项目情况,选择一种合适的测试架构。本文所提供的功能测试方法,可以有效地被利用在非接触式IC卡硬件驱动层的功能测试中。     

FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

本文首先从理论上分析FLOTOX EEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOX EEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象.对于低的擦写电压,擦除阈值减少,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷;对于高的擦写电压,擦除阈值增加,产生了正陷阱俘获电荷.这一结果与SiO₂中电荷的俘获——解俘获动态模型相吻合.     

I~2C串行通信E~2PROM在电视产品中的设计应用

E2PROM保存大量的工作数据,是彩电系统的核心器件.分析E2PROM AT24CXX数据丢失以及物理损坏原因,提出E2PROM在彩电产品设计与应用中的软、硬件的改善方法,进而保证产品的可靠性.     

非接触式IC卡读写模块PicoRead RF的设计与研究

PicoRead RF芯片为法国Inside Contactless公司推出的一款非接触读写芯片。由于其性能稳定、支持协议多和价格优势,常用于设计非接触读卡设备。文中主要介绍了PicoRead RF芯片的特点和工作原理及其在软硬件上的设计和实现过程,为使用者提供了一定的依据。     

基于非接触IC卡电池托盘的电池综合特性自动测试分选系统

在锂离子电池的生产过程中,需要对锂离子电池的电压、放电容量、内阻、电压自放电率等电池特性参数范围进行测量和分选,以作为对锂离子电池进行品质分选的依据。常规的锂离子电池测试设备只可以测量和分选电池容量;常规的内阻测试仪只可以测量和分选电池内阻;常规的自放电率检测仪[1]只可以测量和分选电池电压、自放电率。如果需要测量电池的全部特性参数,就必需在多种设备上轮流测量,费时费力,效率极低。研究了一种新型的电池综合特性管理系统,电池电压、容量、内阻、自放电率等综合特性参数的测试都在同一个系统上同时完成。测试完成后,通过系统的电池分选仪进行快速、准确的分选。     

Mifare 1非接触式IC卡读写核心模块MCM200及其编程方法

介绍了Philips公司的Mifare1非接触IC卡读写器芯片MCM200的主要特性、引脚功能、内部的特殊功能寄存器和基本指令集。重点介绍了Mifare1非接触IC卡和MCM200数据通信的一些重要模块的编程思路和编程方法 ,给出了两个编程实例。     

Mechanism of oxide thickness and temperature dependent current conduction in n+-polySi/SiO2/p-Si structures — a new analysis

The conduction mechanism of gate leakage current through thermally grown silicon dioxide (SiO₂) films on (100) p-type silicon has been investigated in detail under negative bias on the degenerately doped n-type polysilicon (n⁺-polySi) gate. The analysis utilizes the measured gate current density J_G at high oxide fields E_ox in 5.4 to 12 nm thick SiO₂ films between 25 and 300℃. The leakage current measured up to 300℃ was due to Fowler–Nordheim (FN) tunneling of electrons from the accumulated n⁺-polySi gate in conjunction with Poole Frenkel (PF) emission of trapped-electrons from the electron traps located at energy levels ranging from 0.6 to 1.12 eV (depending on the oxide thickness) below the SiO₂ conduction band (CB). It was observed that PF emission current I_PF dominates FN electron tunneling current I_FN at oxide electric fields E_ox between 6 and 10 MV/cm and throughout the temperature range studied here. Understanding of the mechanism of leakage current conduction through SiO₂ films plays a crucial role in simulation of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) of metaloxide–semiconductor (MOS) devices and to precisely predict the normal operating field or applied gate voltage for lifetime projection of the MOS integrated circuits.     

二维图像转三维图像的立体成像系统的测试标准

本文具体介绍了一种将视频二维图像转换为兰维图像的立体成像系统的测试标准.     

手机用TFT-LCD驱动芯片接口电路的研究与设计

接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工作原理和动作时序,同时介绍了接口模式之间的转换。在此基础上提出了一种接口电路的设计方案,并且在0.18μm工艺下实现了该电路。仿真结果表明,此电路完全实现了芯片规格中要求的接口功能,可以完成18/16/9/8-bit并行接口、串行接口以及18/16/6-bit外部高速接口的可选择使用。DC综合结果显示,接口电路的面积约为4600多门,可以工作的频率达到12.5MHz。     

基于神经网络客观测量MRTD方法的探讨

从分析测试热像仪性能参数MRTD 的主观方法入手,提出了一种基于神经网络用面阵CCD测量MRTD的客观方法.介绍了客观测量系统的理论框架、设计方案和测试过程,并对其技术难点进行了讨论.