Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合

采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合的性能。分别在１２４℃，１０００ｈ和３００℃，１０ｈ条件下进行热老练和温度循环等环境试验，然后测量焊点的键合强度。在室温和１２５℃高温条件下，观察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明：Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ厚膜导体适于粗Ａｌ丝超声键合，键合强度能满足要求。     

Pt—Pd—Ag厚膜导体的粗Al丝键合

本文采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法，对Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合性能予以评估，并分别在１２５℃，１０００小时，３００℃，１０小时热老练，温度循环等环境试验后，实际测量了焊占的键合强度。另外，在室温和１２５℃高温两种条件下，考察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。     

符合RoHS禁令的厚膜金导体浆料

出于对健康和环境的考虑,限制铅、镉和含有其它有毒物质在混合集成电路产品应用的需求越来越大。根据2006年7月1日生效的欧盟禁令(即RoHS)这些物质是禁用的,电路生产商急于找到可以替换现有含铅和镉的产品。镉氧化物在厚膜金浆料中可以起到很好的粘附作用。金厚膜浆料主要用于要求高机械强度的领域,比如医疗器械,军事应用和高频电路。现在的挑战是开发一新的和传统的含镉浆料具有相同性能的无镉导体金浆料。在过去的10年中,贺利氏超前地研发了无铅无镉厚膜产品。到目前,贺利氏已经开发并且打入一些环保型厚膜产品市场。讨论一种新开发的厚膜导体金浆料,给出了在96%氧化铝基板和绝缘体基板上分别焊接金线和铝线的线键合数据。数据显示无铅无镉金导体和RoHS规定的可锡焊导体之间的匹配性,结果表明它可以应用于混合金属电路。     

厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法－水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。     

厚膜导体材料实现高精度功率电阻研究

由于高精度功率电阻的特殊要求，使用厚膜电阻浆料进行设计和加工往往比较困难。文中介绍一种使用厚膜导体材料，通过栅形导带和阶段性调阻等手段，使电阻满足功率和精度的要求，从而实现高精度功率电阻的方法。     

干法刻蚀厚膜金导体细线技术研究

本文介绍了利用离子束刻蚀技术与厚膜技术相结合，进行干法刻蚀厚膜金导体细线工艺，使厚膜金导体细线条达到６２．５μｍ的高性能指标。讨论了该技术应用在厚膜多芯片组件中的优越性。     

厚膜片状电阻器及厚膜电阻浆料概述

本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品，包括性能及生产流程给出了一个简单介绍，着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。     

铜导体已成功地应用于厚膜电路

采用氧化钌电阻和铜导体之间插入银钯焊区的新工艺,获得了较好的阻值稳定性和导带附着力,使铜导体成功应用于厚膜电路。     

增加厚膜导体附着力

随着微电子，特别是航天电子设备及军事电子装备小型化的要求，以及汽车电子、程控交换机等小型化的要求，厚膜混合集成电路的作用日益重要，厚膜混合集成电路是制造高电压、大电流、大功率电路的最佳选择。因为厚膜电路基板采用Al2O3陶瓷、BeO陶     

用于燃油位置传感器的厚膜浆料

现今的燃油传感器要求在汽车汽油箱的苛刻的化学环境里有低的电子噪声,长的耐磨寿命和高的信号传递。虽然燃油传感器基板的设计师通过结构设计和选择触点、电刷的安装等能够较大的提高性能,但厚膜导体必须符合相关要求。导体浆料是贵重金属粉末混合物(例如Ag,Pd,Au,Pt和它们的合金、以及玻璃或氧化物粉末)悬浮于有机载体中而形成的。这些燃油传感器基板必须在包含水、酒精、有机酸、硫化合物、氟素的燃油中工作,要满足抗银离子迁移、抗化学腐蚀和耐磨性这些重要的特性。论述了一种应用于燃油传感器厚膜电路需求的导体浆料,以及工艺、机械和化学上的要求。并给出了详细的耐磨性、耐硫化及抗化学腐蚀的讨论,讨论了金属合金在导体中的作用,并用微结构分析和化学分析来评估材料。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用

系统论述了高温超导体厚膜的概念、制备方法,高温超导体厚膜的特性,介绍了高温超导体厚膜在微波无源器件上的若干应用。     

高分辨率的厚膜丝网印刷技术

厚膜丝网印刷是浆料润湿陶瓷基板的过程。陶瓷基板的表面张力和厚膜浆料对基板的润湿度会影响印刷线条的分辨率。文章着重研究基板的表面张力可以有效地改进丝网印刷分辨率。     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究

文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。     

Deposition of Bismuth Telluride Thick Film by Solidification under Centrifugal Pressure

Bismuth telluride alloys—Bi_0.5Sb_1.5Te₃ and Bi_1.8Sb_0.2Te_3.33Se_0.17—have been deposited on polycrystalline zirconia via solidification under centrifugal pressure. The crystal growth under centrifugal pressure was a process in which the starting powders charged in the groove patterns of the substrates were first melted and then solidified under centrifugal acceleration of 10⁴ m/s². This new process offers c-axis-oriented films with a thickness of more than 100 μm. A mirror-like surface is another characteristic feature of these films. Owing to their orientation, reasonable power factors such as 4.2 mW/m K² and 2.7 mW/m K² (in plane) were obtained for p- and n-type films, respectively.     

激光直写制备厚膜导体技术研究

采用激光微细熔覆直写布线的方法在陶瓷基板上制备高密度厚膜导体。导体具有光滑平整的表面、高分辨率(最小线宽30 靘)、高附着强度、良好的电气性能,优良的可焊性,且不需要掩模,因此相比传统丝网印刷工艺更灵活更经济。研究了预置涂层厚度、激光功率密度和激光扫描速度对导体线宽的影响,提出了最佳工艺参数范围:涂层厚度4~15 mm,激光功率密度1~4.8 W/mm2,扫描速度<35 mm/s。所得线宽为30~150 mm。并分析了陶瓷板上激光直写布线的机理。