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阐述我国氧化铍陶瓷材料及制品的生产及标准现状,从氧化铍陶瓷生产全过程的控制入手,分析国内外氧化铍陶瓷相关标准的现况,并着重对氧化铍陶瓷材料性能检测的标准样件展开了深入讨论。在此基础上,采用与陶瓷制品形状尺寸相近的陶瓷制品,进行部分相关试验验证。研究同时指出了我国氧化铍陶瓷材料及制品标准化工作存在的问题,提出了部分标准的修订草案,并为今后我国氧化铍陶瓷材料及制品标准化提出了建议。 相似文献
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高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究 总被引:1,自引:1,他引:0
氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善. 相似文献
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高纯纳米氧化铍陶瓷粉体的研制 总被引:6,自引:0,他引:6
以工业级BeO微粉为出发原料, 经一系列连续除杂、提纯、沉淀等液相化学过程和中温煅烧, 制备了纯度达99.8% , 平均粒径为20 nm 的高纯纳米BeO球形粒子粉体。利用高均匀掺杂技术, 在高纯纳米BeO粉体中掺入少量锑和铝的有机化合物,经适当温度预烧制成氧化铍陶瓷微粉。用该微粉经常规陶瓷工艺制得的BeO陶瓷材料, 其主要性能较国内现有的BeO陶瓷材料有显著的提高, 同时提高了BeO原料的利用率并减少了环境污染。 相似文献
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采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接. 相似文献
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氧化铍恣导热系数是表征热电制冷红外探测器半导体制冷器部件冷板和散热板导热能力的关键参数。本文论述了氧化瓷导热系数的测量原理和方法,推导了计算公式,分析了影响测量的关键因素并提出了相应措施,对样品制作和装配工艺提出了要求。最后,给出了样品实例测并得出结论。 相似文献
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BeO瓷的金属化和封接 总被引:4,自引:1,他引:3
综述了氧化铍瓷的金属化及其封接技术,指出氧化铍瓷和Al2O3瓷在金属化工艺上的差异,论文最后汇集了国内外常用烧结金属粉末法15种配方和工艺参数,以资同行专家参考. 相似文献
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压电陶瓷的新应用及新工艺 总被引:9,自引:4,他引:5
压电器件及其应用的发展,取决于压电材料种类的更新和性能的提高。随着新工艺和新材料的出现,压电器件的应用也日新月异。文章介绍了压电材料近来的一些新应用及新工艺。 相似文献
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本文简要叙述了晶体的各向异性特性;主要对压电陶瓷的各向异性及其在多方面的应用作了研究探讨;最后,指出了类似的几种电子陶瓷材料的各向异性的一些重要用途. 相似文献
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PMSZT压电陶瓷的镍掺杂改性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了Ni2O3掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现,合成温度900℃时可以得到钙钛矿结构。随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动,且居里温度增加。掺杂w(Ni2O3)=0.05%时,rε、d33、kp和Qm达到最佳值:rε=1 780、tanδ=0.003 5、d33=375 pC/N、kp=0.665、Qm=2 580。谐振频率变化率随温度变化由正到负。体系适于大功率陶瓷材料的应用。 相似文献
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(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能 总被引:17,自引:2,他引:15
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。 相似文献