BeO陶瓷基片表面平整化改性工艺研究

采用在BeO陶瓷基片表面被覆玻璃釉的方法实现基片表面的平整化改性,并利用台阶测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段研究不同烧结制度对被釉基片表面粗糙度的影响。实验结果表明,相较于抛光处理的BeO陶瓷基片的轮廓平均偏差和算数均方根偏差值分别为62.8nm和141.9nm,被釉平整化改性的BeO陶瓷基片的参数值可分别降至18.2nm和24.9nm,可实现高效率、低成本的BeO陶瓷基片平整化改性。     

工艺条件对高纯氧化铍陶瓷金属化性能的影响

以W为原料,MnO、Al2O3和SiO2为活化剂,采用烧结金属粉末法,于1450～1500℃的还原性气氛(氨分解气)中烧结,在99BeO(纯度大于99%的BeO)陶瓷基板表面形成了W金属层,研究了活化剂含量、金属化膜厚度以及99BeO陶瓷晶粒大小对其金属化性能的影响。结果表明:当添加的活化剂质量分数为20%,金属化膜厚度约为35μm,BeO陶瓷晶粒大小约为39μm时,99BeO陶瓷金属化层的抗拉强度达到最大值65MPa。     

氧化铍瓷输出窗针封技术

为解决BeO瓷输出窗小孔针封问题,在金属化配方、粉末粒度、膏剂粘度等方面进行工艺实验,效果良好.     

铜铍冷阴极的微观结构分析

本文系采用透射电镜观察、电子衍射、X射线衍射和电子探针等分析方法,对Cu-Be和Cu-Be-Y二种冷阴极的微观结构进行了综合分析。结果表明:二种冷阴极的表面均为粒状的BeO薄膜,它是冷阴极的二次发射体,此薄膜一旦被轰掉,阴极寿命即终止;BeO薄膜中有少量铜的氧化物,它的存在对二次发射不利;Cu-Be冷阴极表面BeO的粒子粗大、疏松,而Cu-Be-Y冷阴极表面BeO的粒子则细小、致密,这是造成这二种冷阴极在发射性能和寿命上有明显差异的主要原因之一。此外,还发现:在二种冷阴极表面BeO薄膜的下面均有含Be为12％的Cu-Be合金,即金属化合物γ相。     

一种新的小型化BeO电路技术

<正> 现代化的微波电路技术正朝着高密度集成和小尺寸方面发展。因此在低成本高可靠方面就更加突出、更加复杂。目前实现低成本,高可靠的主要目标正向单片微波集成电路(MMIC)和小型化方面努力。单片集成电路的优点是便于批量生产、小尺寸和轻重量,而且还具有分别焊接有源器件的混合电路的灵活性,最近我们已研制成功了一种新型 BeO 混合技术——小型化 BeO 电路(MBC)。小型化电路元件的制造和组装工艺具有很高的生产重复性,而且从 UHF 到 K 波段的频率范围均能实现低成本生产。虽然 MBC 技术比厚膜电路技术要复杂些,但它有很高集成度和较少的附加结构。最近我们用该技术研制成功了 Ku 波段发射-接收雷达微型机。     

高性能95BeO陶瓷材料的研究

利用95BeO粉体为原料,添加适当的Mg-Al-Si氧化物助烧剂,利用改进后的电子陶瓷工艺在空气中适当的温度进行烧结出了结构均匀、致密,性能满足目前GB/T5593国标的99BeO陶瓷材料.     

稀土掺杂对99氧化铍陶瓷性能的影响

对99BeO分别掺入16种稀土氧化物,系统地研究不同稀土氧化物掺杂对99BeO陶瓷热导率和密度的影响,研究发现：掺入0．1％和0．5％的Tb4O7能够提升BeO陶瓷的热导率,分别达到288w／（m·K）和295W／（m·K）。掺入CeO2,Nd2O3能够提升99BeO陶瓷的密度,在1630℃时烧结时达到2．939和2．927g／cm^3。     

BeO等离子体管

美帝相干辐射公司已制成各种形状的BeO管,使用于离子激光器中。此种导热性能良好的化合物已在激光领域的其他部分开始使用。在安装注入式激光器的列阵,特别是在低温应用中,BeO已成为一种普通的基底材料,在CO2激光器中也有应用。     

99%氧化铍陶瓷钨—氧化钇金属化机理初探

99％BeO陶瓷在金属化和封接之后,Y元素明显地向BeO瓷中扩散。用90％W-10％Y_2O_3的膏在1740℃下烧结后,Y元素向BeO瓷中的扩散深度达335μm;同时金属化膏中的W元素也向BeO瓷中扩散,但作用极微。陶瓷中的氧化铝(Al_2O_3)和氧化镁(MgO)与扩散来的Y_2O_3等形成液相向W的烧结间隙中渗透。 以W为主体的金属化膏烧结而得的烧结体中有大量的间隙存在,当它们形成毛细管后为生成的液相的渗透提供了场所,从而实现了金属化层与陶瓷间的牢固结合。当Y元素的扩散过分时,在BeO瓷基体中会形成较多的片状组织,而割裂了BeO陶瓷基体,使得陶瓷本身的强度下降。因此从工艺上应设法防止Y元素的过分扩散。     

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。