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相似文献
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1.
阐述我国氧化铍陶瓷材料及制品的生产及标准现状,从氧化铍陶瓷生产全过程的控制入手,分析国内外氧化铍陶瓷相关标准的现况,并着重对氧化铍陶瓷材料性能检测的标准样件展开了深入讨论。在此基础上,采用与陶瓷制品形状尺寸相近的陶瓷制品,进行部分相关试验验证。研究同时指出了我国氧化铍陶瓷材料及制品标准化工作存在的问题,提出了部分标准的修订草案,并为今后我国氧化铍陶瓷材料及制品标准化提出了建议。  相似文献   

2.
高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善.  相似文献   

3.
本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.  相似文献   

4.
高纯纳米氧化铍陶瓷粉体的研制   总被引:6,自引:0,他引:6  
以工业级BeO微粉为出发原料, 经一系列连续除杂、提纯、沉淀等液相化学过程和中温煅烧, 制备了纯度达99.8% , 平均粒径为20 nm 的高纯纳米BeO球形粒子粉体。利用高均匀掺杂技术, 在高纯纳米BeO粉体中掺入少量锑和铝的有机化合物,经适当温度预烧制成氧化铍陶瓷微粉。用该微粉经常规陶瓷工艺制得的BeO陶瓷材料, 其主要性能较国内现有的BeO陶瓷材料有显著的提高, 同时提高了BeO原料的利用率并减少了环境污染。  相似文献   

5.
6.
采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接.  相似文献   

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8.
氧化铍恣导热系数是表征热电制冷红外探测器半导体制冷器部件冷板和散热板导热能力的关键参数。本文论述了氧化瓷导热系数的测量原理和方法,推导了计算公式,分析了影响测量的关键因素并提出了相应措施,对样品制作和装配工艺提出了要求。最后,给出了样品实例测并得出结论。  相似文献   

9.
10.
三相相序缺相检测电路TC783A的性能与应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
三相相序及缺相检测电路的集成化,使电路的设计和使用更加方便。本介绍了783A电路的结构、电路参数及应用。  相似文献   

11.
BeO瓷的金属化和封接   总被引:4,自引:1,他引:3  
综述了氧化铍瓷的金属化及其封接技术,指出氧化铍瓷和Al2O3瓷在金属化工艺上的差异,论文最后汇集了国内外常用烧结金属粉末法15种配方和工艺参数,以资同行专家参考.  相似文献   

12.
压电陶瓷的新应用及新工艺   总被引:9,自引:4,他引:5  
压电器件及其应用的发展,取决于压电材料种类的更新和性能的提高。随着新工艺和新材料的出现,压电器件的应用也日新月异。文章介绍了压电材料近来的一些新应用及新工艺。  相似文献   

13.
压电陶瓷在引燃引爆方面的应用   总被引:3,自引:1,他引:2  
介绍了引燃引爆用压电陶瓷的研究和应用,总结了提高材料性能和改善老化的一些有效措施。  相似文献   

14.
本文简要叙述了晶体的各向异性特性;主要对压电陶瓷的各向异性及其在多方面的应用作了研究探讨;最后,指出了类似的几种电子陶瓷材料的各向异性的一些重要用途.  相似文献   

15.
PZST反铁电陶瓷的介电常数在居里温度以上服从居里-外斯定律,居里常量为10^5K以上。随着Ti含量的增加,峰值介电常数增大,随着偏置电场的增加,峰值电常数增大,居里温度降低。  相似文献   

16.
PMSZT压电陶瓷的镍掺杂改性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李阳  孙清池  陆翠敏 《压电与声光》2007,29(6):680-682,685
探讨了Ni2O3掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现,合成温度900℃时可以得到钙钛矿结构。随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动,且居里温度增加。掺杂w(Ni2O3)=0.05%时,rε、d33、kp和Qm达到最佳值:rε=1 780、tanδ=0.003 5、d33=375 pC/N、kp=0.665、Qm=2 580。谐振频率变化率随温度变化由正到负。体系适于大功率陶瓷材料的应用。  相似文献   

17.
张欣  许毓春 《压电与声光》1996,18(3):201-203
介绍了ZnO陶瓷的负阻特性,主要研究了MnO2掺杂和Ni2O3掺杂对ZnO陶瓷负阻特性的影响。  相似文献   

18.
无铅压电陶瓷的器件应用分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
随着社会可持续发展战略的实施和人们环保意识的加强,无铅压电陶瓷及其器件应用已成为当前铁电压电材料及其应用研究的热点之一。该文通过对近期铋层状结构和Bi1/2Na1/2TiO3基无铅压电陶瓷,以及研发的无铅压电陶瓷的相关压电参数的分析,对照传统PZT基压电陶瓷的器件应用,分析了无铅压电陶瓷相关性能参数对器件应用的影响。  相似文献   

19.
(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能   总被引:17,自引:2,他引:15  
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。  相似文献   

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