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新型长波长InP基谐振腔增强型光探测器 总被引:3,自引:1,他引:3
介绍了一种新型长波长InP基谐振腔增强型(RCE)光探测器。通过V(FeCl3):V(H2O)溶液对InGaAs牺牲层的选择性湿法腐蚀,制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。所制备出的谐振腔增强型光探测器,其台面面积为50μm×50μm,底部反射镜为1.5对的InP/空气隙分布布拉格反射镜,顶部反射镜靠InGaAsP与空气的界面反射来实现。测试结果表明,该谐振腔增强型光探测器在波长1.510μm处获得了约59%的峰值量子效率,在3V反偏压下暗电流为2nA,3dB响应带宽达到8GHz。 相似文献
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长波长、高灵敏度的InP/InGaAs谐振腔光电探测器 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道了一种能够实现高速、高灵敏度的InP基谐振腔增强型(RCE)光电探测器。它采用衬底入光方式,解决了在InP衬底上外延生长的InP/InGaAs介质膜分布布拉格反射镜(DBR)反射率低的问题,该探测器的吸收层厚度为0.2μm,在波长1.583μm处获得了80%的峰值量子效率,同时为了降低探测器的固有电容,利用质子注入技术使得器件的部分电极绝缘,实验结果表明质子注入不影响RCE光电探测器的量子效率。 相似文献
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介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜(DBR).所制备的器件在1 549.4 nm处获得了67.3%的量子效率和17 nm的光谱响应线宽,在1 497.7 nm处获得了53.5%的量子效率和9.6 nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200 nm.采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升. 相似文献
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一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求.利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中.仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40 μm至1.62/μm范围内反射率高于99%.引入SWG后的RCE PD在1.55 μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB.有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题. 相似文献