天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如SMA或SMB这样较大尺寸的封装。新型SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与后者1:1替换,从而在为工程师提供最佳功率性能的同时还节省了PCB空间。     

新品发布

集成电路Integrated Circuits小尺寸WLCSP封装MachXO2 PLD MachXO2 PLD系列推出2.5mm×2.5mm 25球型晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)产品,与前代产品相比,增加了3倍的逻辑密度,提高了10倍小尺寸CS封装hO2     

爱特梅尔推出全球最小的快闪微控制器封装产品

爱特梅尔公司（Atmel）宣布．全球最小的快闪AVR微控制器封装产品开始投入生产。爱特梅尔的ATtiny4、ATtiny5、ATtiny9和ATtiny10AVFI微控制器（MCU）采用超小型8一padUDFN封装．大小仅为2mm×2mm×0．6mm．重量不到8mg．其尺寸只有目前市面上最小封装的55％。     

基于一体化封装的小型化设计与实现

以一个幅度调制器模块的小型化需求为例,基于一体化封装技术,设计构造出一种小型化封装结构,并详细介绍了该结构的外形特点与材料特性。利用这种封装结构对原模块电路进行小型化设计,外形尺寸可由91 mm×28 mm×8.5 mm减小为20 mm×15 mm×7.6 mm,平面布版面积缩小约88%。利用多芯片组装(MCM)和表面组装(SMT)工艺,组装实现了小型化电路,实测其电参数指标与原电路基本一致,成功达到了小型化目的。     

无引脚DFN封装的中功率晶体管

这款BC69PA中功率晶体管是业内首款采用2mm×2mm3管脚无引脚DFN封装的产品，采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。     

FBP平面凸点式封装

1、产品及其简介平面凸点式封装(FBP)体积小,功能优,目前最小的封装尺寸已可以做到0.8mm*0.6mm*0.4mm,独特的凸点镀金式引脚使表面安装技术(SMT)焊接更为方便可靠。FBP封装可以适应共晶、导电胶、软焊料等不     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

一种改进型的管状光纤光栅温度补偿封装实验

本文提出一种改进型的管状小型化光纤光栅温度补偿封装技术,这种方法是基于双金属结构来实现无源温度补偿功能。与其他双金属结构相比,其优势在于可以实现封装结构的管状小型化,尺寸可小于Φ5mm×50mm(D×L)。在0℃-75℃范围内,该封装结构的光栅温度系数小于1pm/℃,完全达到实用化指标性能。     

晶圆级芯片规模封装——微型表面贴装元器件

概述了美国国家半导体的晶圆级芯片规模封装技术——也就是微型表面贴装元器件(Mi-croSMD)。采用8I/O数、凸点节距为0.5mm封装论证此新型封装技术,该技术满足于低管脚数模拟和无线元器件。较高管脚数(多达48)产品扩展在各种范围的限定条件之内。论述了封装结构、工艺流程及封装可靠性,并阐述了板级组装工艺过程和互连可靠性。     

倒装陶瓷球栅阵列电子封装的热模型研究

针对倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)封装,采用有限元数值方法,建立三维有限元的详细热模型.在5W热负荷下,分析裸芯式、平板式和盖板式三种形式,不同芯片尺寸(5mm×5 mm、15 mm×15 mm和20 mm×20 mm)以及不同润滑剂材料对系统热阻...     

凌力尔特公司推出新款微型模块稳压器LTM8027

凌力尔特公司推出4A系统级封装DCIDC微型模块稳压器LTM8027．焊盘网格阵列LGA封装尺寸为15mm×15mm×4．32mm．封装中包括了电感器,电源开关、开关稳压器等元件。     

德州仪器推出业界最小型16位ADC

日前,德州仪器(TI)宣布推出采用2.0mm×1.5mm×0.4mmQFN封装的16位模数转换器(ADC)系列,体积比同类竞争产品小70%。ADS1115系列除了可以显著节省系统空间外,还可提供可扩展集成产品选项来降低组件数量并简化系统设计。该产品系列支持电池监控、便携式仪表、工业过程控制、智能发送器、医疗仪表以及其它工业与消费类系统。     

ZXMS6004FF：自保护式MOSFET

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs

国际整流器公司(简称IR)扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm×2mm和PQFN 3.3mm×3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFETMOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反     

系统级封装(SiP)组装技术与锡膏特性

由于物联网"智慧"设备的快速发展,业界对能够在更小的封装内实现更多功能的系统级封装(SiP)器件的需求高涨[1],这种需求将微型化趋势推向了更高的层次:使用更小的元件和更高的密度来进行组装.无源元件尺寸已从01005(0.4 mm×0.2 mm)缩小到008004(0.25 mm×0.125 mm),细间距锡膏印刷对S...     

晶圆级树脂基低成本W波段封装天线微系统

面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4×4磁电偶极子阵列天线和16通道幅相多功能射频芯片。通过Ansys HFSS全波仿真,系统波束扫描范围在E面≥±30°,H面≥±40°,在7.1 mm×8.3 mm×1.2 mm封装尺寸内实现了封装天线等效全向辐射功率≥39.1 dBm。该封装天线微系统具备规模扩展能力,可广泛应用于探测、通信以及安检等领域。     

NEC将从高通和爱立信采购3G芯片

Ramtron International公司宣布推出采用双扁平无铅(DFN)塑料封装的铁电随机存取内存(FRAM)产品。该公司现有的FRAM产品均采用薄形封装和小尺寸印刷电路板(PCB)，型号分别为FM24CL16、FM25CL64和FM25L256。其中，FM24CL16的封装尺寸为3．0×6．4mm的封装，而FM25CL64和FM25L256则采用4．0×4．5mm封装。     

BISS-4晶体管

NXP推出新第四代低VCEsat（BISS）晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20V-60V,采用小型SMD封装SOT23（2．9mm×1．3mm×1mm）和SOT457（2．9mm×1．5mm×1mm）。