瑞萨电子公司开发出配有内置式微型隔离器的IGBT驱动器智能器件

瑞萨电子株式会社13前宣布开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件,适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。R2A25110KSP中融人了瑞萨电子公司最新开发的微型隔离器隔离专项技术。这些技术可为汽车应用系统建立更可靠、更紧凑的系统。     

R2A45801／45701：无线充电方案

瑞萨电子株式会社推出了近场通信（NFC）无线充电系统，可摆脱充电电源线，提高系统效率。瑞萨提供构建此系统所需的重要元件：NFC微控制器（MCU）RF20、电源发射控制ICR2A45801和电源接收控制lCR2A45701。瑞萨也提供配套无线充电系统的外围分立器件（例如功率半导体器件）。     

瑞萨电子推出七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET产品

瑞萨电子公司宣布推出七款采用HSON封装之功率MOSFET,适用于汽车电子控制单元,例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。     

瑞萨电子新型智慧型功率装置锁定汽车应用

瑞萨电子发表包括皿PD166023等十四款新型智慧型功率装置,专为汽车应用所设计,可用于驱动外部灯光如头灯与雾灯,以及座椅加热器与马达。IPD为整合于单一封装或单一晶片的功率IC装置,功率半导体开关（功率金属氧化物半导体场效应晶体管及控制电路可作为微控制器的介面,并提供保护功能与自我诊断。瑞萨已多年大量生产适用于汽车车身应用的IPD,此新款IPD产品为延伸现有的产品系列,并提高性能等级以因应强大的市场需求。     

瑞萨电子高效能绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新品

瑞萨电子发表2款具备高效能之绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括600V50A的RJH60D5B与600V37A的RJH60D7B。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置,适用于例如电焊机、变频器、太阳能发电机的功率调节器（功率转换器）等处理高电压及大电流之设备。新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础,权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗,且提高短路耐受能力。新款IGBT的主要功能：降低饱和电压,D5B/D7B为1.6V,降低12%,以提供更优异的电源效率。     

R2A20055NS：充电控制IC

瑞萨电子株式会社推出一款充电控制集成电路（IC）R2A20055NS,使用于便携式设备的单节锂离子电池实现了微型化和安全充电控制。     

瑞萨电子拓展海外市场,中国是关键——瑞萨电子全球总裁赤尾泰、大中国区总经理兼CEO郑力专访

随着NEC电子与瑞萨科技合并,新成立的瑞萨电子一跃成为全球第三大的半导体公司及全球最大的微控制器(MCU)供应商,其市场份额高达30%。整合后的瑞萨电子正逐步优化其产品线,着重关注MCU、模拟及功率器件与系统LSI三大技术领域。中国目前正加快转变发展方式,节能环保、新一代信息技术、新能源等战略性产业,目前占GDP比重不足2%,但到2015年将迅速升     

IR推出两款汽车电子用55V HEXFET功率MOSFET

IR公司推出两款获Q101证书的55 V汽车电子HEXFET功率MOSFET——IRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P。这两种器件可分别提供160A和120A的连续电流，以用于大占空比电流汽车电子，如电功率控制（EPS）、14 V综合起动器交流发电机（ISA）系统和先进的交流发电机有源整流系统。     

瑞萨电子推出配备嵌入式旋变解码器的全新V850E2P微控制器系列

有效降低HEV/EV电机的总系统成本,同时借助双核锁步实现更高的安全标准瑞萨电子汽车微控制器V850E2/PJ4-E全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称"瑞萨电子")宣布开发出了一款全新32位微控制器     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。     

瑞萨评测EV和HEV用功率半导体芯片键合材料的烧结银浆

正瑞萨电子在"2012最尖端封装技术研讨会"的"EV和HEV时代功率电子最新技术动向"分会(6月14日举行)上,谈到了该公司的产品并以封装为中心,就车载半导体封装作了阐述。该研讨会由日本电子封装学会主办,在东京有明国际会展中心与JPCAShow2012(2012年6月13日～15日)一同举行。演讲者是瑞萨的平松真一(生产本部封装及测试技术统括部通用封装设计部主管工程师),演讲题目为"功率电子用半导体封装的动向"。据平松真一介     

“瑞萨论坛2006”力推MCU

由瑞萨科技(Renesas)主办的“瑞萨论坛2006”日前在京正式举行。在此次论坛上,瑞萨着重介绍了瑞萨MCU的技术、产品最新发展状况及其最新应用,并展示了瑞萨MCU在汽车电子和数码AV等领域的最新应用方案。     

瑞萨推出面向大功率产品、具有连续导通模式交错功能的功率因数校正控制IC

瑞萨科技公司近日推出R2A20114系列功率因数校正控制IC（PFC控制IC）,它利用连续导通模式交错功能来为计算机服务器和空调等大功率产品实现小型、高效、低噪声电源装置设计。2009年4月瑞萨将在日本发售R2A20114和R2A20104的样品。     

40nm工艺闪存：闪存

瑞萨电子株式会社推出适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS（金属氮氧硅）技术方面，拥有丰富的经验且广受好评。     

N0413N／N0601N：功率MOSFET

瑞萨电子公司推出开发面向消费类产品（如无线电动工具和电动自行车）中电机驱动的100A大电流功率MOSFET。新款功率MOSFET提供了较宽的电压范围，其中3款新产品（包括NO413N）具有40V的电压容差，而另外3款新产品（包括NO601N）具有60V的电压容差。器件功率损耗水平低低，能延长电池寿命。     

瑞萨力推中国汽车电子发展

近几年,汽车电子制造业在中国迈入快速成长期。目前,中国的汽车生产数量在逐年递增,而汽车也从最基本的单纯驾驶功能逐渐向ETC、引擎控制、安全气囊、汽车导航等高功能化方向发展。当前的汽车中搭载了超过30￣100个MCU,中国的汽车电子半导体市场正在逐渐扩大。近期,在上海举办的“第二届中国国际汽车电子产品与技术展览会(AES)”上,瑞萨科技展示了其在汽车电子领域的产品及技术研发现状和未来的事业规划。目前,瑞萨科技MCU全球占有率第一,基于此,其在全球汽车电子领域获得了7%的市场份额,在日本国内的占有率则为23%。瑞萨内置闪存的MC…     

厂商动态

NS推出适用于视频系统／广播设备的3Gbps串行／解串器;赛灵思SPARTAN-3A I／O全线产品实现量产；瑞萨在AES展示汽车电子新技术；Altera成立成都代表处；TI达芬奇技术助ISS加速开发视频检测解决方案；ROHM推出“ExceLED”系列产品；     

绝缘栅双极型晶体管的研究进展

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。     

瑞萨力推“好用的MCU”产品理念

瑞萨科技日前在北京、上海、深圳举办了《瑞萨论坛2005》巡回研讨会。在此次研讨会上，瑞萨通过展览、演示等多种形式，为现场来宾全面介绍了其MCU的广泛用途。同时介绍了瑞萨MCU在汽车电子领域的发展动向、先进技术。     

变革——为中国客户提供更好的服务

作为移动电话、汽车、消费电子等领域的半导体系统解决方案供应商和MCU供应商,瑞萨科技（以下简称瑞萨）自2003年成立以来,一直将中国作为最重要的市场之一。在2009年,“变革”是瑞萨的主旋律。