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本文对采用板上芯片技术(COB)组装的某电子产品因时间延长而出现的 产品质量问题进行了分析。采用故障树的方法,全面找出了可能引起此类问题的工艺原 因和物料原因。通过工艺跟踪和质量检验,确定了引起这类问题的主要原因是由键合焊 前的清洗工艺不当所致。实践证明,改进清洗工艺后,产品的质量大大提高。 相似文献
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选取0.2032 mm (8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合压力0.12 N、烧球电流3200 mA、烧球时间350μs和尾丝长度20μm。在影响键合质量的各因素中,键合功率和键合压力对键合质量的影响显著,过大的键合功率会引起键合区被破坏,键合强度降低,过小的键合功率因能量不足会引起欠键合,键合强度降低。过大的键合压力会引起键合球变形而导致键合强度降低,过小的键合压力因欠键合而导致键合强度降低。 相似文献
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通过对金丝引线键合工艺失效模式的研究,分析影响金丝引线键合失效的各种因素,并提出相应的解决措施.为金丝引线键合的实际操作和理论学习提供技术指导,从而更好的降低键合器件的失效率、提高键合产品的成品率和键合效率. 相似文献
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PIN二极管在封装、试验过程中分别出现大量的失效,分析发现,这种PIN二极管考虑到频率和寄生电容的要求,采用一种"凸台"式结构,即结区和阳极在一个突出的凸台上,凸台直径仅有28μm。这种凸台边缘只要受到一个较小的机械应力的作用,就会造成凸台崩损、结被破坏,导致结漏电或在小电压下击穿。因此凸台对键合时产生的机械应力很敏感,普通的芯片键合技术也会对凸台造成机械损伤,严重影响器件良品率和长期可靠性。通过对劈刀的改进和重新选择键合丝以及精心调试的键合参数,有效防止了键合对二极管造成的损伤,提高了二极管的成品率和可靠性。 相似文献
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<正> 1 引言 20世纪90年代以来,移动电话、个人数字助手(PDA)、数码相机等消费类电子产品的体积越来越小,工作速度越来越快,智能化程度越来越高。这些日新月异的变化为电子封装与组装技术带来了许多挑战和机遇。材料、设备性能与工艺控制能力的改进使越来越多的EMS公司可以跳过标准的表面安装技术(SMT)直接进入先进的组装技术领域,包 相似文献
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高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战.常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进.介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势.并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因.最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围. 相似文献
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针对COB形式的SiP模块,应用有限元分析方法模拟了该模块在湿热环境下的湿气扩散和湿应力分布,以及回流焊过程中的热应力分布,并通过吸湿实验和回流焊实验分析了该模块失效模式.结果表明,在湿热环境下,粘接材料夹在芯片和焊盘中间不易吸湿,造成粘接材料的相对湿度比塑封材料的相对湿度低得多.塑封材料相对湿度较高,产生较大的湿膨胀,使湿应力主要分布在塑封材料与芯片相接触的界面上.由于材料参数失配,回流焊过程产生的热应力主要分布在粘接材料和铜焊盘的界面,以及塑封料和铜焊盘的界面,在经过吸湿和回流焊实验后观察到界面分层沿着这些界面扩展. 相似文献
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COB封装对LED光学性能影响的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
针对LED高光效、低功耗的要求,文章在分析LED光学性能的基础上,采用了COB(ChipOn Board)即板上芯片封装技术。研究了不同封装工艺和材料,分析比较其对LED光通量、光效和色温的影响。研究首先介绍COB封装的结构、优点及其实用性,然后分析影响LED光学性能的因素,最后进行测试。在实验过程中,发现COB封装结构除了具有保护芯片的功能外,还可以提高出光效率,并实现特定的光学分布。实验结果表明:文章提出的封装工艺对于提高光通量和光效、调节色温有良好的效果。 相似文献
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印制电路组件的清洗工艺 总被引:7,自引:6,他引:1
焊接是电子设备的生产中重要的步骤,焊接后必须进行清洗才能保证电子设备的可靠性、电气指标和工作寿命。鉴于军工产品必须要清洗,所以清洗工艺对于军工产品尤为重要。介绍了清洗的重要性,讨论了印制电路组件污染物的种类、来源分析及相关清洗工艺,并简单介绍了清洗后洁净度的相关检测标准。同时结合自身工作对印制板电路组件焊接后的清洗问题进行了分析,并提出了可靠的解决方案和新的思路。 相似文献
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COB封装的LED器件应用日趋广泛,但是其寿命评价方法仍限于做3000h或6000h的光通维持率试验,试验本身耗时较长,因此本文基于半导体器件的指数衰减规律和LED光通量的慢退化特性提出一种加速试验方法,对器件进行高温加速寿命试验,并对试验结果进行计算,得到了器件在加速试验温度下的L70寿命,然后利用相应水平的激活能,得到了在较低结温下的L70寿命。 相似文献
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基于OLED的应用对AM-LCD和AM-OLED的驱动原理进行了深入的阐述,并结合理论进行TFT-LCD芯片的改进设计,将其应用到AM-OLED的驱动电路当中.对基于现有TFT-LCD驱动芯片在OLED驱动电路中的改进应用具有一定的参考价值. 相似文献