制备工艺对掺铕的钨酸钙薄膜发光性能的影响

采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜的红光(615 nm)发光强度的影响。荧光分析表明,溅射法沉积的Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜需在700⁸00℃热处理后才能强烈地表现出Eu3+离子的特征发光行为;正交试验说明,溅射气压、时间和功率对薄膜的发光强度都有重要影响,溅射气压的影响尤为重要。研究还表明,为提高发光强度,溅射气压宜控制在1.0 Pa左右,溅射时间在160 min。     

磁控溅射法制备WO3薄膜高温组织及色变性能分析北大核心

采用高温退火处理无机全固态薄膜与WO3膜层,分析其在高温条件下电致变色性能的改变机制。结果表明:温度升高至250℃时,薄膜反射率变化量未发生显著改变,温度进一步升高,薄膜反射率的变化量快速降低。低于250℃时WO3以非晶态结构存在;温度升高到250℃后,WO3由非晶态结构逐渐转变为晶体结构。当基底温度升高后,WO3发生电致变色过程所需的响应时间加长。随加热温度的上升,WO3薄膜循环伏安曲线面积并未发生明显改变,温度超过250℃后,反应所需的电荷量显著降低,电致变色性能显著减小。     

半导体表面化学沉积制备WO_3-TiO_2薄膜的组织及电化学性能

采用化学沉积制备方法,添加不同的封端剂(十二烷基苯磺酸钠SDBS或聚乙二醇PEG)制备得到半导体用纳米WO_3-TiO_2薄膜,并表征该材料的电致变色性能。研究结果表明:加入SDBS的WO_3-TiO_2薄膜相邻片之间有较大间隙,形成了众多裂纹并发生了颗粒团聚现象。所有WO_3-TiO_2薄膜试样在着色态条件下透射光谱曲线发生了短波偏移。添加PEG的WO_3-TiO_2薄膜的着色态与褪色态并没有出现透过率显著改变的情况,综合选择SDBS作为薄膜封端剂时可以获得更优的变色效果。在相同时间中以SDBS作为封端剂来制得的WO_3-TiO_2薄膜形成了比利用PEG作为封端剂制得的WO_3-TiO_2薄膜更大的电流密度,且可以获得更多离子注入,及薄膜着色与褪色电流的稳定性更优。     

射频磁控溅射WO_3薄膜电致变色性能研究

采用射频磁控溅射技术在透明导电氧化铟锡(ITO)玻璃上沉积了不同工作压强和不同氧分压(氧氩比)条件下的WO_3薄膜并研究了其电致变色特性。采用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了所制备薄膜的成分结构和表面形貌,采用电化学测试工作站和紫外可见双束分光光度计对薄膜的电致变色循环伏安特性和光调制性能进行了研究。结果表明,射频磁控溅射制备的WO_3薄膜的成分结构和电致变色循环伏安特性之间存在着一定的影响关系;相对于氧分压,薄膜沉积过程中的工作压强对WO_3薄膜的成分结构和电致变色性能的影响更加明显,随着工作压强的增大,薄膜由晶态逐渐转变为非晶态,薄膜表面微观结构更加粗糙,进而具有更优的循环伏安特性和更宽的光调整范围。     

非晶态三氧化钼薄膜超低温制备及其电致变色特性研究

在基片温度173K的条件下，采用直流反应磁控溅射法制备MoO3薄膜。运用XRD、SEM、可见分光光度计、伏安特征曲线、拉曼光谱研究分别对薄膜的晶体结构、微观表面形貌、透射光谱特性、电致变色性能及成分进行分析，探讨了MoO3薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系。结果表明，超低温有利于MoO3薄膜非晶化，薄膜表面有较多的孔隙，有利于Li^＋的抽取，进而显示出很好的变色性能，在550nm处着色系数达到了41．6cm^2／c，可见光400-800nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达60％以上。Raman光谱分析发现，在拉曼位移831cm^-1、952cm^-1。处有强的吸收峰，其中831cm^-1处对应于O-Mo^6＋-O的伸缩振动模式，952cm^-1对应于M0^6＋=O的弯曲振动模式。     

反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层

用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在（1 102）蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈（111）取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的（111）取向减弱,（002）取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈（111）取向和（002）取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下（衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1）制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。     

工艺参数对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜沉积速率的影响

采用磁控溅射在聚酰亚胺薄膜以及黄铜等基片上成功制备出Sm-Fe超磁致伸缩功能薄膜,并且较深入地研究了溅射功率、工作气压、靶基距以及沉积不同阶段等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。结果表明:随溅射功率的减小和靶基距的增大,会不同程度地引起沉积速率的下降;随着工作气压的增大,最初沉积速率不断增大,当溅射气压增大到一定程度(1.5Pa)时,沉积速率达到最大值,之后随溅射气压的增大,又不断减小;对于黄铜和聚酰亚胺基片,溅射初始阶段的沉积速率低于后面阶段的沉积速率。     

旋涂-热解法制备WO_3薄膜

采用旋涂-热解工艺,以双亲嵌段共聚物F127为软模板剂,合成出WO3薄膜。通过TG-DSC、XRD、SEM等对其热处理温度、晶相组成和显微形貌进行了测试,结果表明所制备的WO3薄膜材料在350℃时主要为非晶WO3,同时含有少量六方晶相,而在500℃时则主要为尺寸在微米极的单斜晶相;电化学循环伏安和光谱测试分析表明该350℃时制备的薄膜具有更好的电致变色性能,对可见光具有较好的调制功能,其最大透过率调制幅度可达55.4%。     

WO_3基的掺杂改性研究现状

在简要介绍了WO3基材料的研究意义基础上,综述了WO3基掺杂的改性研究现状,主要在电致变色性能、气致变色性能及光催化性三方面展开叙述,并对其发展趋势进行了简要分析。     

磁控溅射法制备WO_3薄膜高温组织及色变性能分析

采用高温退火处理无机全固态薄膜与WO_3膜层,分析其在高温条件下电致变色性能的改变机制。结果表明:温度升高至250℃时,薄膜反射率变化量未发生显著改变,温度进一步升高,薄膜反射率的变化量快速降低。低于250℃时WO_3以非晶态结构存在;温度升高到250℃后,WO_3由非晶态结构逐渐转变为晶体结构。当基底温度升高后,WO_3发生电致变色过程所需的响应时间加长。随加热温度的上升,WO_3薄膜循环伏安曲线面积并未发生明显改变,温度超过250℃后,反应所需的电荷量显著降低,电致变色性能显著减小。     

射频磁控溅射制备Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的表面结构调控

研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺。介电性能测量表明,400℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04。     

工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响

研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm.min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4Ω.cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数。     

纳米锐钛矿型TiO2薄膜的制备及分析

采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响。对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能。X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5 Pa时的XRD图衍射峰更为明显。用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱,由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移。根据XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm,表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变。     

磁控溅射工艺参数对TiAlN薄膜结构和性能影响规律研究

采用XRD、SEM、纳米压痕仪、纳米划痕仪等分析了磁控溅射工艺参数对TiAlN薄膜物相、微观组织、力学性能及结合力的影响规律。结果表明，所有样品生成相均为面心立方的TiAlN,且在(111)晶面择优生长，薄膜表面形成三棱锥状密排晶粒。选定硬度与结合力两个指标对TiAlN薄膜进行评价，通过正交实验发现，硬度与结合力的最优工艺参数均为基底偏压-100 V,工作气压0.3 Pa,溅射电流8 A,氮流量40 sccm。     

Ag/BiOCl复合纳米薄膜的合成及光催化性能研究

研究了贵金属Ag修饰对新型半导体BiOCl薄膜材料光催化性能的影响.采用溶胶-凝胶浸渍提拉法先在ITO玻璃上制备了BiOCl薄膜.以其为基底用磁控溅射方法沉积少量的Ag制备Ag/BiOCl复合纳米薄膜.分别研究了不同沉积时间和溅射气压,以及后处理温度下获得的Ag/BiOCl薄膜对罗丹明B(Rh B)染料在紫外光下的光催化降解活性.结果发现适量的Ag修饰能够提高BiOCl薄膜的光催化活性.通过实验探索,当制备金属Ag的优化参数为溅射压强1 Pa,溅射时间1 s,后处理温度200℃,时间1h时获得的Ag/BiOCl复合纳米薄膜具有最好的光催化性能.用XRD,SEM,UV-Vis光谱等测试方法对其结构、形貌、光谱吸收性等进行了测量分析.进一步探讨了适量贵金属沉积对BiOCl薄膜光催化活性提高的可能原因,杂质能级形成的肖特基势垒对电子有捕获陷阱作用从而增加电子-空穴对的分离,同时利于光生载流子的重新分布.     

中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺

利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度。改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响。采用三维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分。研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-1;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显著变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近。     

掺杂Eu3+离子的钨酸锂的固相合成及其发光特性

采用固相反应法合成了掺杂Eu3 的Li2WO4材料,并通过X射线粉末衍射对其结构进行了表征,掺杂Eu3 的Li2WO4的晶体结构属四方晶系,晶胞参数a=14.2780 ,c=9.5863 ,属R3(No.148)空间群,测定了其激发光谱和发射光谱,探讨了掺杂Eu3 的Li2WO4的发光特性。     

制备MoO2粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法

本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2粉末。将通过压制／烧结、热压和／或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板，该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其他物理方式将该MoO2圆盘、厚块或板形式溅射在基底上，从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言，该薄膜具有与氧化铟锡（ITO）和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO2和含该MoO2的薄膜用在有机发光二极管（OLED）、液晶显示器（LCD）、等离子体显示板（PDP）、场致发射显示器（FED）、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其他电子和半导体器件中。     

不锈钢着色新工艺

过去的彩色不锈钢是在不锈钢表面形成一层透明的氧化膜,并通过这种透明表面氧化膜/金属界面对光线的干涉现象显示出各种色彩,但这种彩色不锈钢表面氧化膜存在耐磨性差、易划伤、弄污或褪色、变色的缺点。为了消除这些缺点,日本精工电子工业公司新近开发成功一种不锈钢着色新工艺。该工艺要点为,首先将不锈钢制品加以金属镀覆,随后热处理,使其表面金属镀层扩散渗入不锈钢表层一定深度,     

不锈钢表面溅射沉积氮化钛薄膜的结构与性能分析

采用直流反应磁控溅射法,通过改变溅射时间在不锈钢表面溅射氮化钛薄膜。采用分析天平、SEM、XRD和显微硬度计等对薄膜的质量增加率、微观结构、外观形貌和显微硬度进行研究。结果发现随着溅射时间增加,薄膜的质量增大,厚度逐渐增加。XRD分析表明,TiN薄膜晶体结构为面心立方结构。溅射沉积氮化钛膜具有择优取向性:随溅射时间增加,由混合晶面生长向(111)择优取向变化;随着溅射时间增加,显微硬度总体呈上升的趋势。