IGBT和VDMOS解析模型和模拟

采用解析分析的方法，开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件，它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模拟结果和实验结果。     

36V／400W卤钨灯电子变压器

３６Ｖ／４００Ｗ卤钨灯电子变压器毛兴武（临沂市电子总会山东省临沂市２７６００４）邵汝雄编译（先进照明集团湖北省武汉市４３００５０）１引言本文介绍一种采用西门子公司生产的ＴＤＡ４９１８开关型电源（ＳＭＰＳ）ＩＣ和绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）ＢＵＰ３０４...     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

微机控制模拟正弦PWM变频调速的研究

介绍了微机控制的六相ＶＦＶＡ正弦波发生器和模拟正弦ＰＷＭ控制的方法。文中讨论了功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ控制的ＰＷＭ变频调速。     

30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

系统介绍３０ｋＶＡ逆变电源中ＩＧＢＴ的驱动与保护技术。提出ＩＧＢＴ对驱动电路的要求,介绍三菱的ＩＧＢＴ驱动电路Ｍ５７９６２Ｌ和逆变电源中ＩＧＢＴ的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。     

零电压开关IGBT的可靠性研究

以全桥ＺＶＳ－ＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性，开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。     

零电压开关下 IGBT 的可靠性研究

以全桥ＺＶＳＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性、开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。     

配电系统自动化及其发展（五）──配电图资系统AM／FM／GIS

配电系统自动化及其发展（五）──配电图资系统ＡＭ／ＦＭ／ＧＩＳ刘广一，王明俊，于尔铿电力部电力科学研究院，１０００８５北京清河ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＡＵＴＯＭＡＴＩＯＮＡＮＤＩＴＳＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ（Ｖ）──ＡＵＴＯＭＡＴＥＤＭＡＰＰＩＮＧ／Ｆ...     

IGBT特性的测量方法

ＩＧＢＴ特性的测量方法张秀澹ＴｈｅＴｅｓｔＭｅｔｈｏｄｓｏｆＩＧＢＴ￥／／本文根据国际电工委员会（ＩＥＣ）的最新标准资料，扼要介绍了ＩＧＢＴ①栅极一发射极门槛电压；②栅极一发射极漏电流；③关断耗因功率、关断耗散能量②开通时间、开通延迟时间、上升时间，...     

一种简单实用的电动自行车控制系统

对无刷直流电动机采用定子反电动势检测,使电动自行车控制系统设计简单,成本低,转换效率较高,其驱动方式采用轮毂式直接驱动,驱动电机采用外转子永磁无刷直流电机,控制系统采用模拟器件和逻辑器件产生６路驱动波形,功率转换采用ＭＯＳＦＥＴ管,转速采用反电势检测。     

可保护IGBT或MOSFET的CWK驱动器

可保护ＩＧＢＴ或ＭＯＳＦＥＴ的ＣＷＫ驱动器重庆世金科技公司陈为匡ＡＣＷＫＤｒｉｖｅｆｏｒＩＧＢＴｏｒＭＯＳＦＥＴｗｉｔｈＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎ￥／／１前言目前国内外已出现多种具有保护功能的智能驱动器，而这些智能驱动器的保护功能还不十分完...     

电机控制集成电路的选用第五讲直流电机PWM控制芯片UC3637的选用

１　概　述ＵＣ３６３７是直流电动机脉宽调制（ＰＷＭ）控制器。该集成电路适用于开环或带测速发电机反馈的闭环直流电动机的速度控制,内部产生一个模拟误差电压信号,输出两路ＰＷＭ脉冲信号,这两路信号与误差电压信号的幅值成正比,且与极性相关,可构成双向的调速系统。该控制器还可以用于其它电动机的ＰＷＭ控制,例如无刷直流电动机ＰＷＭ速度控制、位置控制和步进电动机电流细分控制。２　特　点（１）单电源或双电源工作。（２）双路ＰＷＭ信号输出。（３）有限流保护功能。（４）具有欠电压保护功能。（５）有温度补偿功能。（６…     

中国首届电子电源及功率自关断器件应用技术研讨会征文

几年来,我国在电子电源开发及功率自关断器件（ＧＴＲ、ＧＴＯ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＭＣＴ、ＳＩＴＨ、ＳＩＴ等）的应用技术（包括驱动、保护及控制）领域取得了长足的进步,但与发达国家相比,我国在此方面还有较大差距,还存在着国驱动或保护线路的不成熟而引起烧器件的严重问题,但应看到国内在高校或科研单位已取得了成熟的研究成果。为推动该领域应用技术的发展及相关技术的进步和应用,中国电工技术学会电力电子学会、中国电源学会特种电源专业委员会、中国电源学会特种电源咨询培训服务中心、《电工技术学报》和《电工技术杂…     

新型电力半导体器件

电力半导体器件的发展是不断实现器件特性理想化的过程，该文中介绍了ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ、ＭＣＴ和ＰＩＣ等新型器件，并指出目前水平是ＩＧＢＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ，ＳＩＴ为１５００Ｖ、３００Ａ、ＳＩＴＨ为４５００Ｖ、２５００Ａ、ＭＣＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ、ＰＩＣ是智能化的功率集成电路。同时列表比较ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ和ＭＣＴ四种电力半导体器件的性能。最后指出：ＭＣＴ、ＰＩＣ器件处在不     

大功率IGBT模块工程化技术研究

大功率ＩＧＢＴ模块工程化技术研究ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＳｔｕｄｙｏｆＨｉｇｈＰｏｗｅｒＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ西安爱帕克电力电子有限公司王晓宝刘荡波祝咏晨蕾茸花（西安７１００６１）国际整流器公司模块研究发展中心李泉明（西安７１００６１）１前言为了发展我...     

国外动态

无刷直流电动机法国纳耶（Ｎｅｕｉｌｌｅ）的国际商贸技术公司（ＣＴＩ）将Ｓ／Ｍ系列无刷直流电动机在法国市场上商品化。利用电子技术对电动机的转矩进行了数字与模拟控制。这一无刷直流电动机,能适应尖端伺服装置的要求,具有比常规电动机更高的可靠性等优越性能。应用领域广泛,诸如雷达、稳定瞄准装置、医疗器械、自动控制、泵类、ＸＹ定位平台、半导体制造等。该电动机在工业上的几个突出优点是,使用期限长（无电刷,免维护）;速度可高达８００００ｒ／ｍｉｎ;热容量大,直接的热传导与有效的定型绕组;理想的运转环境不会因电刷…     

一种适用于IGBT,MOSFET的驱动电路

讨论了一种适用于ＩＧＢＴ和ＭＯＳＦＥＴ的新型驱动电路，该电路无需附加单独的浮地电源，工作频率高，延迟时间小，适用于高频软开关变换器场合。     

变频空调器传导干扰的检测与抑制

１引言 随着空调行业产品技术的快速发展,ＰＷＭ方式高频开关电源、ＩＧＢＴ大功率逆变装置变频技术被广泛采用。开关电源及其变换装置工作的特定波形,具有陡峭的上升及下降沿,使其成为严重的射频干扰产生源。由于这种电源传导和辐射引起的电磁干扰对通信及灵敏的电控电路导致误动作,恶化了电磁环境。 在世界发达国家和地区都严格制定了有关电磁兼容（ＥＭＣ）的法令。如国际ＩＥＣ、ＣＩＳＰＲ系列标准、欧共体的ＥＮ标准、美国的ＦＣＣ ＤＯＣＫＥＴ２０７８０、德国的ＶＤＥ－０８７５／Ｎ,０８７１／．Ａ．Ｃ要求电子设备的生产厂…     

电力半导体器件的低温特性

以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性。     

无位置传感器无刷电动机及其控制原理

１前言无刷直流电动机（ＢＬＤＣＭ）是利用电子换向装置代替传统的机械换向（电刷荷和换向器）的一种直流电动机。ＢｌＤＣＭ的发展得益于永磁材料技术和现代电力电子技术、微机控制技术的巨大发展,它是传统电机技术与现代控制技术结晶的产物,广泛应用于机电一体化产品中,例如在变转速空调器中,可以大幅度地改变压缩机的转速,提高空调器的性能。２采用无刷直流电动机调速的优点无刷直流电动机调速与异步电动机调速比较有以下优点２．１效率在结构和容量相近时,无刷直流电动机较之异步电动机有更高的运转效率,这是因为无刷直流电动机…