一种低温漂带隙基准电压源设计

文中设计了一种适用于DC—DC转换器的带隙基准电压源,在0.18μm的SIMC工艺下,采用Cadence Spectre对电路进行仿真分析。结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.214 V,在-40~+85℃范围内,基准电压的温度系数为2.46×10-6/℃。     

一种新颖的无运放高性能带隙基准设计

基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源。该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响。电路在Cadence Spectre下仿真。仿真结果表明,设计的输出电压为1.228 V;在-40 ℃至125 ℃的温度范围内,温度系数为1.47×10-6/℃;在1 kHz时的PSRR约为-86 dB;线性调整率为6.5×10-5/V。     

一种低功耗无运放的带隙基准电压源设计

设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响,同时还提升了电源抑制比,且降低了功耗。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。该设计基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺在Candence Specture环境下进行仿真,电源电压采用3.3 V,温度范围为-55~125℃,电源抑制比为82 d B,功耗仅有0.06 m W。     

一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构,在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管,两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响,降低了基准电压的温度失调系数.电路设计与仿真基于CSMC0.5μm CMOS工艺,经流片,测得室温下带隙基准输出电压为1.326 65 V,在-40～+85℃范围内的温度系数为2.563 ppm/℃;在3.3 V电源电压下,整个电路的功耗仅为2.81μW;在2～4 V之间的电源调整率为206.95 ppm.     

低温漂带隙基准源及驱动电路设计

基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μmCSMC-HJN阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在–55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V￣6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA￣2mA的电流驱动能力。     

一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计

为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压V_BE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证。在-40～85℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10^-6/℃,电源电压抑制比可达到-88 dB。     

一种4阶曲率补偿低温漂低功耗带隙基准源

基于UMC 0.25 μm BCD工艺,设计了一种4阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。通过设置正负温度系数相异的电阻的比值,抵消了三极管发射极-基极电压泰勒级数展开后的高阶项,实现了4阶曲率补偿。经过Hspice仿真验证,基准输出电压为1.196 V,-40 ℃~150 ℃温度范围内温度系数达到1.43×10-6/℃;低频时电源抑制比为-70.8 dB,供电电压在1.7~5 V变化时,基准输出电压的线性调整率为0.039%,整体静态电流仅为9.8 μA。     

一种带高阶补偿的低温漂基准电压源

在0.18 μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8 V、温度范围为-25 ℃~125 ℃时,该基准电压源的温度系数为3.12 ×10–6/℃。     

曲率补偿低温漂带隙基准电压源设计

设计了一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,在电路中加入两种不同的分段曲率补偿电路,低温阶段,设计节点电流相减产生一段负温度系数补偿电流,高温阶段,控制晶体三极管导通产生一段正温度系数补偿电流,实现了对基准电压曲率补偿,同时采用共源共栅结构以提高电路的电源抑制比。在0.18μm的TSMC工艺下,使用Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在3.3 V的电源电压下,基准输出电压为1.241 V,在–40~+125℃范围内,基准电压的温度系数为3.02×10–6/℃,低频时电源抑制比(PSRR)低于–57 d B。     

一种新型无运放的带隙基准电路

设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在Cadence Spectre环境下进行了仿真。在5 V电源电压下,电源抑制比为79 d B,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。     

一种低温漂超低功耗带隙基准电压源

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源。采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能。基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大地降低了温漂系数,稳定了输出电压。利用Cadence Spectre EDA软件,对电路进行设计和仿真。结果表明,在 -50℃~100 ℃温度范围内,温漂系数仅为2.9×10-6/℃。在0.99～3 V的电压范围内具有稳定的基准输出。在1 kHz频率下电源抑制比为 -71.28 dB。整个带隙基准源的功耗仅为185.9 nW。     

一种高阶补偿低温漂带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺，设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上，利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量，对传统结构进行补偿，从而得到一个温度系数极低的带隙基准源。仿真结果表明，所设计电路整体结构简单、易实现，在-55～125℃的温度范围内，温漂系数仅为2.52 ppm/℃，低频时的电源抑制比为-78 dB。     

一种新型无运放CMOS带隙基准电路

介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。     

一种无运放低压低功耗CMOS带隙基准电压源的设计

采用无运放电路结构,通过改进反馈环路和调整电阻的方法,设计了一种低电压低功耗的带隙基准电压源.相比传统有运放结构,电路芯片面积更小和具有更低的电流损耗,并且大部分电流损耗都用于产生输出电压.基于CSMC 0.5 μmCMOS工艺对所研制带隙基准电压源进行流片,测试结果表明,当电源电压大于0.85 V时,能够产生稳定的输...     

一种低功耗带隙基准电压源的设计

设计了一种工作在亚阈值区无运放结构的CMOS带隙基准电压电路。通过使用线性区工作的MOS管取代传统电阻,使电路工作在亚阈值区,结合无运放设计,极大地降低了功耗。采用0.35μm CMOS工艺,在室温27℃、工作电压3 V的条件下进行仿真,输出基准电压1.2086 V,偏差在4 m V内,工作电流仅为1.595μA,功耗仅为4.785μW。在-50℃到120℃的温度范围内温度系数为17.3×10-6/℃。该带隙基准电压电路具有低功耗、宽温度范围、面积小等特点。     

一种高性能带隙基准电压源设计

在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-35～125℃范围内,达到平均低于2×10^-6/℃的温度系数。整个电路采用SMIC的标准的0.35μm CMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。     

一种无运放电流模式带隙基准设计

为满足集成电路中低功耗／低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下电路在室温27℃,工作电压4．5V下输出电压1．25062V,工作电流小于38pA,功耗小于170μW。在-40～＋150℃。宽温度范围内,基准电压在1．25018～1．25086V之间变化,温度系数约为2．86ppm／℃。     

一个高精度低温漂的带隙基准源

文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结,重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上,采用低失调电压运算放大器,融合了熔丝烧写调整电压技术,提出了一个温漂低于15×10-6℃-1的改进型带隙基准源电路。整个电路采用CSMC0.5μm工艺设计,采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差,输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。     

一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准源设计

基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结果表明,在5 V供电电压下,223~423 K(–50~+150℃)内,基准电压的波动范围为1.175~1.182 V,温漂为2.15×10–6/K,具有较高精度,低频时电路电源抑制比为–64 d B,整体静态电流仅为5.6μA。     

一种高精度低温漂带隙基准源设计

基于TSMC40nmCMOS工艺设计了一种高精度带隙基准电路。采用Spectre工具仿真,结果表明,带隙基准输出电压在温度为-40—125℃的范围内具有10×10^-6／℃的温度系数,在电源电压在1．5-5．5V变化时,基准输出电压随电源电压变化仅为0．42mV,变化率为0．23mv／V,采用共源共栅电流镜后,带隙基准在低频下的电源电压抑制比为-72dB。