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使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能 总被引:1,自引:0,他引:1
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等. 相似文献
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使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能 总被引:1,自引:0,他引:1
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等. 相似文献
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纳米硅二极管的独特性能 总被引:4,自引:0,他引:4
摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。 相似文献
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利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点(Q.D)特征制成隧道二极管结构,在液氮温区(〈100K)在其σ-V,I-V及C-V特性曲线上呈出共振隧穿峰,库仑台阶和量子振荡现象,说明,对无序分布着量子点阵列,只要其粒子尺寸足够小,同样会发生量子功能作用,估计了室温范围呈出这种量子功能作用的可能性。 相似文献
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纳米硅薄膜结构特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为2~10nm的纳米微晶相结构的硅薄膜,使用高分辨电子显微镜(HREM),X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)等结构分析手段检测了其结构特征.结果表明,纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构.X射线衍射谱表明除了Si(111)的2θ=28.5°和Si(220)的2θ=47.3°处的衍射峰外,在2θ=32.5°处存在着一个强的异常峰.HREM结果表明存在新的Si结晶学结构与XRD异常峰相关联. 相似文献
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纳米硅薄膜与纳米电子学 总被引:3,自引:0,他引:3
纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的,制备可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成。纳米半导体硅薄膜对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等,很有价值。 相似文献
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作为一项新一半导体薄膜技术,阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点;着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。 相似文献
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硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备.介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面的纳米传感器、纳米晶体管、光电探测器等纳米器件的最新进展,并对其研究前景做了展望. 相似文献
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纳米硅薄膜低温光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
以高氢稀释硅烷为反应气源,用PECVD方法淀积了nc-Si:H薄膜。未经任何后处理过程,在低温77K下观察到光致发光,并对薄膜样品进行了Raman散射,红外吸收谱,氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc-Si:H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。 相似文献
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纳米硅薄膜的Raman光谱 总被引:18,自引:1,他引:17
通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 . 相似文献
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纳米硅薄膜的Raman光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加. 相似文献