Sm3+对SrWO4:Dy3+,Eu3+白色荧光粉发光性能的影响研究

利用共沉淀法合成了以Sm~(3+)为敏化离子,Dy~(3+),Eu~(3+)为激活离子共掺杂SrWO_4荧光粉,通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光分析仪对荧光粉的形貌、物相结构及发光性能进行了表征及分析。结果表明,在394 nm波长激发下,Sm~(3+)浓度为1.5 mmol/L时SrWO_4荧光粉发光性能最好,样品色坐标为(0.338,0.342),接近标准白光色坐标(0.33,0.33)。因此,通过调控敏化离子Sm~(3+)浓度可以实现SrWO_4荧光粉色坐标的红移,在暖白光LED材料的应用研究上具有一定的意义。     

Y3MgAl3SiO12:Dy 3+,Eu 3+荧光粉的能量传递与暖白光实现

采用高温固相法合成了Dy ³⁺、Eu ³⁺共掺杂Y₃MgAl₃SiO₁₂石榴石型荧光粉。采用XRD、荧光光谱仪等仪器对样品的结构以及光谱特性进行表征,探究了Dy ³⁺/Eu ³⁺在Y₃MgAl₃SiO₁₂基质结构中的光谱特征以及离子间的能量传递机制。在367 nm近紫外光激发下,Y₃MgAl₃SiO₁₂:Dy ³⁺,Eu ³⁺的发射光谱包含Dy ³⁺的6F9/2到6H15/2和6H13/2的电子跃迁特征发射(487 nm蓝光和592 nm黄光)和Eu ³⁺的5D0 7F2 and 5D0 7F4特征发射峰(616 nm和710 nm红光)。在400~500 nm范围内Dy ³⁺发射谱与Eu ³⁺激发谱重叠,表明Dy ³⁺与Eu ³⁺之间存在着能量传递,能量传递的机理为电四极-电四极相互作用。该荧光粉通过调整Dy ³⁺和Eu ³⁺的掺杂浓度比封装近紫外LED芯片,可以实现单基质暖白光LED照明。     

长余辉蓝色荧光粉SrSiO3:Eu2+,Dy3+的制备与发光性能研究

采用高温固相法,在碳粉还原条件下制备了SrSiO<,3>:Eu<'2+>,Dy<'3+>长余辉蓝光发光材料.研究了Eu<'2+>的掺杂浓度对样品发光性质的影响.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱等手段对样品进行物相、形貌和光谱等性能的表征.研究结果表明,样品为单斜晶体,样品颗粒呈花束形;该荧光粉激发...     

Dy3+,Tm3+掺杂的NaGd(MoO4)2白色荧光粉的制备与发光性能的研究

采用高温固相法成功制备出了一系列LED用白色 荧光粉NaGd1－x－y(MoO₄)₂:xDy³⁺,yTm 3+,用X射线衍射仪(XRD),荧光分光光度计和紫外-可见-近红外光谱分析系统对样 品的物相结构和发光性能进行了表征。结果显示制备的荧光粉的白光由Dy3＋的特征黄光发 射(575 nm)、特征蓝光发射(488 nm)与Tm 3＋的特征蓝光发射(459 nm)组合而成。制备的 NaGd(MoO₄)₂基质为四方晶系即白钨矿结构。在上述荧光粉中,激活离子Dy3＋ 发射⁴F9/2－⁶H13/2 跃迁的黄光(575 nm)和⁴F9/2－⁶H15/2跃迁的蓝光(488 nm),激活离子Tm3＋发射¹D₂-³F₄的蓝光 (459nm)跃迁,蓝光发射受晶体场的影响被劈为两个发 射峰。该系列荧光粉在389nm波长激 发下,当Dy3＋浓度为10%,Tm3＋浓度为12%时样品色坐标(0. 326,0.326)最接近标 准白 光(0.33),当Dy3＋浓度为8% ,Tm3＋浓度为12%时样品发光强度达到 最大,色坐标为(0.377,0.369),结果表明,该系列荧光粉有潜在的发展和应用前景 。     

Sr3Ga2O5Cl2:Sm3+荧光粉的制备及发光特性

采用传统的高温固相法成功合成了Sr3-xGa2O5Cl2:Sm3+系列橙红色荧光粉。使用X射线衍射仪（XRD）测试了样品的晶体结构,样品的形貌和颗粒尺寸由扫描电子显微镜（SEM）表征,使用荧光光谱仪测试了样品的光致发光光谱和衰减寿命。Sr3Ga2O5Cl2晶相为单斜结构,掺杂的Sm3+离子取代Sr2+的格位成为荧光粉的发光中心。样品的激发光谱由O2-→Sm3+的电荷迁移带和Sm3+离子4f内层电子的特征激发峰组成,位于230 nm、404 nm的激发峰较强。发射光谱的峰值位于565、601、650 nm处,分别对应于Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2、4G5/2→6H9/2特征跃迁。样品的发光强度随着Sm3+浓度的增加先增大后减小,最佳掺杂浓度为3.0% mol。根据实验数据对浓度淬灭的原因进行了探讨,浓度淬灭机理为电偶极-电偶极相互作用。     

Zn3(BO3)(PO4)∶Ce3+/Tb3+中的发光特性及其能量传递

采用高温固相法合成了一系列Ce3＋、Tb 3＋及Ce3＋/Tb3＋掺杂的Zn₃(BO₃)(PO₄)荧光粉, 研 究了材料的发光性能。结果显示,在Ce3＋、Tb3＋在Zn₃(BO₃)(PO₄)中,分别发射蓝和绿色光, 同时,Ce3＋的发射光谱和Tb3＋的激发光谱有明显的重叠,通过分析Ce 3＋、Tb3＋共掺时,材料 的荧光寿命曲线,发现在Zn₃(BO₃)(PO₄):Ce3＋/Tb3＋中 ,Ce3＋对 Tb3＋有明显的能量传递,在实验范围内,能量传递效率可以达 到68%。     

场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展

场发射显示器(FED)是一种新发展起来的平板显示器。它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求，然后介绍了FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作。最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。     

Eu3+掺杂钙钛矿结构的MSnO3(M＝Ca,Sr,Ba)发光粉的发光特性研究

利用高温固相反应法合成了MSnO3:Eu3+ (M=Ca,Sr,Ba)发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的结构、固相反应机理及发光特性进行了研究.结果表明:Eu3+离子的掺杂未明显改变MSnO3 (M＝Ca,Sr,Ba)的晶体结构.荧光光谱测试显示Ca0.98Eu0.02SnO3样品的发射以电偶...     

Yb3+掺杂对Yb:GdYAl3(BO3)4晶体性质的影响

采用助熔剂法生长了不同Yb3+掺杂量的Ybx:Gd0.20Y0.8-xAl3(BO3)4 (Yb:GdYAB).对比分析Yb3+掺杂量对晶体的晶胞参数、室温吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命、比热等性质的影响,结果表明,Yb3+掺杂量对晶体的生长、光谱和比热有较大的影响.随着Yb3+掺杂量的增加,吸收峰的半波宽增大,吸收强度提高.随着Yb3+掺杂量的增加,Yb:GdYAB晶体的荧光光谱的强度下降,荧光寿命逐渐降低.随着Yb3+掺杂量的增加,Yb:GdYAB晶体的比热逐渐变小.研究结果表明,选择适中的Yb3+掺杂量,不仅有利于Yb:GdYAB晶体的生长,也能保证各种性能都较优良,更有利于实现自倍频激光的输出.     

Li_3V_2(PO_4)_3/C复合正极材料的合成及电化学性能

通过碳热还原法合成了锂离子电池正极材料Li3V2(PO4)3,研究了球磨和碳含量对Li3V2(PO4)3的合成和电化学性能的影响.利用XRD、SEM和电化学测试对Li3V2(PO4)3进行研究表明,经过球磨合成的样品XRD晶面衍射峰的强度增强,样品颗粒均匀细化;样品中随着碳含量的增加,其XRD晶面衍射峰的强度减弱,样品颗粒趋于细化;经过球磨4 h,且原料中碳过量30%合成的Li3V2(PO4)3样品的首次放电容量为117 mAh/g,常温下循环30次后容量为105 mAh/g,在55℃高温下循环30次后容量103 mAh/g.     

Ba(Zn_((1-x)/3)Ni_(x/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的介电性能

利用 Ni2 取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 的B位Zn2 来改善其介电性能.XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等.当系统中x(Ni2 )=0.7时,1 500 ℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tan δ为0.33×10-4(1 MHz).     

真空紫外激发下(Y,Gd)Al3(BO3)4:Re(Re=Ce,Tb)的发光特性

采用高温固相反应合成了(Y,Gd)Al3(BO3)4中掺杂Ce^3 、Tb^3 的样品,并研究了其结构特性和真空紫外激发下的发光特性。在147nm真空紫外激发下(Y,Gd)Al3(BO3)4：Ce,Tb的发光过程中存在着Gd^3 →Ce^3 ,Tb^3 →Ce^3 的能量传递。     

低阻钛酸锶钡基PTC材料的制备与电性能

BaTiO3正温度系数(PTC)陶瓷因其具有较高的室温电阻率而使其在低压领域中的应用受到限制,因此,有必要降低其室温电阻率.低阻化的一个途径是将金属与BaTiO3基PTC陶瓷复合来制备复合PTC材料.采用传统陶瓷工艺制备Ni/(Ba,Sr)TiO3复合PTC材料.为避免金属Ni被氧化,复合材料在弱还原气氛下烧成.为排除烧结气氛的影响而讨论金属Ni的影响,(Ba,Sr)TiO3 PTC陶瓷也在同一弱还原气氛下烧成.PbO-B2O3-ZnO-SiO2系玻璃料的加入改善了复合材料的两相分布,优化了复合材料的性能.     

钛酸钙对BZN-CaTiO3系统介电性能的影响

研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。     

Nd: Sr5 (PO4) 3F Crystal Laser Characteristics Using GaAs as Passive Q-switch

It is investigated the properties of a diode-pumped Nd: Sr5 ( PO4 )3F laser that is passively Q-switched by a thin, single crystal GaAs wafer. The short high-peak-power pulses of the laser have been obtained. The pulse energies, pulse widths and pulse repetition rates for different conditions have been measured and the experimental results show that GaAs is an excellent passive Q-switch of the diode-pumped Nd: Sr5(PO4)3F lasers.     

MgZr4(PO4)6的反应及高温电性能研究

以Mg(OH)2、NH4H2PO4、ZrCl2O·8H2O为原料,在不同的热处理温度(800 ℃、900 ℃、1 000 ℃、1 100 ℃)下应用固相反应法合成磷酸镁锆(MgZr4,PO4)6(MZP)粉体,研究了其热重 示差扫描热(TG/DSC)图谱、物相组成、微观形貌和高温电性能。结果表明,900 ℃处理下可以合成纯相MZP粉体,且粉体能稳定存在。随着热处理温度的升高,出现了Zr2O(PO4)2第二相产物,其物量随着热处理温度的升高而增多。合成的MZP粉末具有2~5 μm大小不等的颗粒状,表面粗糙,并有更小颗粒聚集及呈不规则立方体状,还有极少量的形状为棒状,表面光滑,尺寸大小为2 μm的两种形态。随着温度的升高,MZP由于镁离子通道扩散能力的增加,试样的电导率提高了3个数量级。     

Li-Mo共掺杂Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的介电弛豫

采用固相反应法制备了Ba1-xLix(Ti0.91Zr0.09)1-yMoyO3陶瓷,并研究了Li-Mo共掺杂对其相结构和介电性能的影响。结果表明:当x>0,y=0时,陶瓷为单一的四方钙钛矿结构;当x=0,y>0或x=y>0时,陶瓷出现第二相BaMoO4。在–30～+130℃,Li-Mo共掺杂时,陶瓷具有铁电–顺电弥散相变特征,随着频率的增加,介电常数峰值对应的温度tm移向高温,陶瓷由正常铁电体变成弛豫铁电体。     

Ba_5CaAl_4O__(12):Tb~(3+)荧光粉的制备与发光特性

采用高温固相法合成Ba5CaAl4O12:Tb3+绿色荧光粉,并对其发光性质进行研究。Ba5CaAl4O12:Tb3+在239nm激发下,跃迁发射峰值位于489,543,550,587和623nm,分别对应于Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3的能级跃迁。样品的紫外激发光谱表明,Ba5CaAl4O12:Tb3+基质吸收是位于240nm附近的宽带吸收。研究Tb3+浓度对样品发光强度的影响,当Tb3+掺杂摩尔分数为4%时,发光强度达到最大。加入H3BO3和NH4Cl两种助熔剂均不同程度地提高了该荧光粉的发光强度,且随着助熔剂浓度的增加发光强度先逐渐增强后下降。相比两种助熔剂发现,NH4Cl比H3BO3的效果更好,更有利于荧光粉的发光。