雷达产品静电防护

静电与静电放电(ESD)现象是普遍存在的一种自然现象,静电放电除可造成电子产品失效外,还可能产生电磁脉冲引起雷达产品误动作和信息丢失,本文就雷达产品的静电危害、静电防护的必要性、防护措施作简单介绍。     

分析电子通信产品的ESD防护设计

对于电子通信产品而言,静电释放(ESD)是一个隐性杀手。在电子通信产品的生产使用过程中,对电子通信产品静电放电,不但会使产品的正常工作遭到干扰,同时还可能造成电子通信产品电子元器件的损坏,使电子通信产品出现故障,严重者还可能引起事故的发生。因此,加强对电子通信产品的ESD防护设计至关重要。本文在阐述了电子通信产品静电释放的危害及其ESD防护设计要求的基础上,进一步分析了电子通信产品的ESD防护设计的方法。     

分析电子通信产品的ESD防护设计

社会发展和时代进步,推动人们生活发展,提高人们生活质量,加快电子通信产更新换代的速度.电子通信产品是当下人们的生活必需品,对人们的生活起着不可代替的通信作用,是人类发展最具有代表性社会产物,但是电子通信产品中的ESD对人们身体有着一定的危害性,最为典型危害是静电危害.为降低ESD对人们的危害性,本文作者根据自己对电子通信产品的了解,对子通信产品ESD危害找出简要分析,简单分析了ESD的危害性,并提出电子通信产品的ESD防护设计.     

静电放电电磁脉冲均匀辐射场模拟

为了研究静电放电电磁脉冲（ESDEMP）的特性,利用传统的静电放电电磁脉冲产生方法,通过静电放电模拟器在静电放电抗扰度试验平台上放电,产生了静电放电电磁脉冲,并测出了静电放电电磁脉冲的时域波形和频谱。在研究电磁脉冲模拟器的基础上,首次通过ESD模拟器和GTEM室的结合,在GTEM室内产生了均匀的、重复性和线性好的ESDEMP。实验表明,用TEMP室、GTEM室等大型装置产生均匀静电放电电磁脉冲辐射场的方案是可行的。     

电子通讯产品的ESD防护设计及方法浅析

如今,越来越多先进的电子通讯设备涌入人们的生活,给人们的生活和工作带来诸多便利.但是一些电子通讯产品因为一些内部或外部因素的影响而产生ESD,即静电释放,从而对电子通讯产品造成损害,更严重的还会给人们的生命安全造成威胁.所以,有效防止ESD现象出现在电子通讯产品中,成为了很对相关研究人员工作的重点.本文就电子通讯产品的ESD防护设计及方法方面的内容进行简单的论述,并提出了一些建设性意见,仅供参考.     

浅析电子通信产品的ESD防护设计

ESD对电子通信产品的危害比较大,电子通信产品在工作中较容易产生静电,一旦积累过多,即会发生静电危害。ESD在电子通信产品中被理解为释放的静电,为保障电子通信产品的安全工作,必须防护ESD的危害,为电子通信产品营造安全的环境。因此,本文通过对电子通信产品的ESD进行研究,分析防护方式的设计架构,提出电子通信产品ESD防护的优化的对策,对电子通信产品的ESD防护设计研究具有一定指导意义和借鉴价值。     

电子通讯产品ESD防护及具体方法浅述

在电子通讯产品具体的设计以及使用的过程中,经常产生静电的释放,简称为ESD,这种静电释放会给产品带来一定的干扰,从而损坏产品内部的元器件,引起严重的故障,甚至会使产品失效。因此,对于ESD防护具体的设计具有重要的意义。本文主要讲述了ESD带来的主要危害以及电子通讯产品使用ESD防护的具体设计方法。     

LCD-ITO膜层导致ESD研究及改善

ESD是LCD生产过程中经常会遇到的问题,生产过程中的各个环节都有可能产生静电放电现象.文中结合LCD生产过程中遇到的实际情况,对静电产生的原因展开认真研究.通过理论分析和实验验证,当ITO膜层表面结晶存在很多尖峰的时候,由于微电产和电势差的原因,很容易出现静电放电现象、烧伤甚至烧断ITO走线.根据试验验证了靶材使用时...     

如何建立一个有效的防静电质保系统

建立防静电质保系统的基本需求取决于这样一个简单的事实:人体可以带有高达3000v的静电而毫无察觉,而寥寥50v静电就能对微电子产品(如手机,PDA等)中的敏感电子结构产生不同程度的破坏;又以Latent Defects造成的经济损害最大。LatentDefects在产生后并不马上表现出来,并且它往往又能通过产品出厂前的质量检测,所以会给质量管理带来隐患并造成较大的经济损失。     

LED静电损伤在老化过程中的变化趋势

针对发光二极管(LED)的可靠性问题,将抗静电测试与高温老化实验结合,将蓝绿色发光材料制成的二极管分组,测试其经过老化过程后的光色参数变化。实验数据表明,蓝绿色LED裸片与封装样品老化过程中的衰减趋势有一定差异,老化程度与封装材料和发光材料的搭配方式有关。对于未被静电损伤的芯片,经过老化过程后,并没有出现静电损伤被放大导致功能性失效的现象,静电对其参数衰减无明显影响,与单一的老化实验趋势相似。对于经过静电击打后出现异常,无法正常发光的芯片,高温老化实验产生了使其迅速损坏和复原的情况。     

MOS器件的ESD失效

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施.     

IC静电放电的测试

本文主要论述了静电放电(ESD)人体放电模式的测试过程,包括测试标准、IC管脚的测试组合、IC失效判别以及静电放电敏感度等级分类等。     

微波混合集成电路的ESD设计

主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V.     

EPA的实时监控与静电防护

随着电子技术高速发展,大规模集成电路大量使用,对电子元器件及其组件在包装、运输、储存、电子装联、清洗和测试等各环节的静电防护要求越来越严格。通过对静电的产生及危害的描述,阐述了静电防护的三要素：防——防止静电荷的积聚;泄——建立安全的的泄放通路;控——对所有防静电措施的有效性进行实时监控。阐述了在防静电工作区内实施全面网络实时监控与管理的必要性和可行性。     

集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术

介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法，该方法不仅可替代HBM测试，还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制，有目的地进行器件ESD保护电路的设计，提高器件的抗ESD水平。     

一种CCD静电保护电路的设计

介绍了一种适用于电荷耦合器件(CCD)的静电保护电路.在对该静电保护电路工作原理分析的基础上,通过电路仿真确定了静电保护电路中MOS管的电学参数,再由半导体器件仿真确定了其工艺条件,并按此条件制作了静电保护电路.通过人体模型静电放电试验对该静电保护电路进行测试,结果表明CCD的抗静电能力由原来的不足100 V提高到450 V.     

静电放电模型及其失效特征

本文介绍了人体模型、机器模型和带电器件模型等三种静电放电模型及其模拟测试方法,重点对这三种静电放电模型的失效特征进行了对比分析.对这些失效特征的深入了解,有助于工程师在失效分析时能够判断出静电放电的类型,从而更有效地帮助调查静电放电的根源.     

数控系统的静电防护设汁

静电放电(ESD)是数控系统损坏失效的主要因素。论述了ESD的产生原因以及危害与影响,探讨了ESD防护措施以及静电放电抗扰度试验。     

IC设计中的ESD保护技术探讨

ESD是集成电路设计中最重要的可靠性问题之一。IC失效中约有40%与ESD/EOS(电学应力)失效有关。为了设计出高可靠性的IC,解决ESD问题是非常必要的。文中讲述一款芯片ESD版图设计,并且在0.35μm 1P3M 5V CMOS工艺中验证,成功通过HBM-3000V和MM-300V测试。这款芯片的端口可以被分成输入端口、输出端口、电源和地。为了达到人体放电模型(HBM)-3000V和机器放电模型(MM)-300V,首先要设计一个好的ESD保护网络。解决办法是先让ESD的电荷从端口流向电源或地,然后从电源或地流向其他端口。其次,给每种端口设计好的ESD保护电路,最后完成一张ESD保护电路版图。